up
ru ua
menu


BeQuiet_.gif

Новости: > 2014 > 11 > 22

rss

Технология Intel 3D NAND позволит выпускать SSD-диски емкостью 10 ТБ

Компания Intel порадовала отличной новостью: во второй половине 2015 года будут представлены SSD-накопители, созданные на основе технологии 3D NAND, разработанной в паре с компанией Micron. Стековая структура новых флэш-микросхем памяти объединяет в себе 32 плоскостных слоя, что позволяет получать объем 256 Гбит (32 ГБ) на одном MLC-ядре. Если же использовать технологию TLC (позволяет сохранять три бита информации в одной ячейке), то емкость ядра увеличивается до 384 Гбит (48 ГБ). Дальнейшее развитие технологии Intel 3D NAND позволит создавать твердотельные диски объемом 10 ТБ или же компактные мобильные решение емкость 1 ТБ и толщиной всего 2 мм.

Intel 3D NAND

Ключевым же конкурентом пока выступает технология Samsung V-NAND, микросхемы которой также используют 32-слоевую структуру ядра. В MLC-исполнении она реализует объем 86 Гбит (10,75 ГБ), а в TLC – 128 Гбит (16 ГБ). Во второй половине 2015 года планируется дебют второго поколения технологии Samsung V-NAND. Вполне возможно, что она принесет с собой более высокие показатели реализуемого объема.

http://techreport.com
Сергей Будиловский

Новость прочитана 2200 раз(а)

Тэги: 3d   intel   micron   nand   samsung   


<< предыдущая новость     следующая новость >>





Социальные комментарии Cackle

Рекомендуемые видео:


Поиск по сайту
Почтовая рассылка
top10

vote

Голосование