up
ru ua
menu

msi-achieve_a_new_level_of_cool-banner-160x600.jpg

GOODRAM-SSD-Iridium-PRO.gif

Новости: > 2010 > 08 > 19

rss

Intel и Micron начинают поставки 3-битной флеш-памяти NAND по 25-нм техпроцессу

Корпорация Intel и компания Micron Technology сообщили о начале поставок NAND-памяти с многоуровневой структурой ячеек, каждая из которых способна хранить три бита данных (3 bit per cell, 3bpc). Новые микросхемы изготавливаются в соответствии с нормами 25-нанометрового техпроцесса, благодаря чему достигается наибольшая емкость при наименьших размерах. Поставки образцов микросхем производятся некоторым производителям, а серийное производство планируется начать к концу текущего года. Разработка ориентирована на USB-накопители, карты памяти, смартфоны, проигрыватели и твердотельные накопители.

Новые модули памяти 3bpc, изготавливаемые с применением 25-нм техпроцесса, вмещают по 64 Гбит данных. По сравнению с продуктами предыдущих поколений они обладают меньшей себестоимостью и увеличенной емкостью. Новая технология разработана совместным предприятием IM Flash Technologies (IMFT). В модулях NAND 64 Гбит (8 ГБайт) каждая ячейка хранит по три бита данных против двух бит в технологии предыдущего поколения. Это трехуровневая ячейка (triple-level cell, TLC).

Новый модуль на 20% компактнее по сравнению с другими модулями аналогичной емкости, производимыми Intel и Micron на базе технологии 25-нм MLC и в настоящее время являются самым миниатюрным чипом емкостью 8 Гбайт в серийном производстве. Компактность играет важную роль для карт памяти. Площадь изделия составляет 131 мм2, оно помещается в стандартный тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами (TSOP).

Intel

Новость прочитана 148 раз(а)



<< предыдущая новость     следующая новость >>

Социальные комментарии Cackle

Рекомендуемые видео:


Поиск по сайту
Почтовая рассылка
top10

vote

Голосование