Компьютерные новости
Все разделы
Компания Samsung Electronics приступила к массовому выпуску 8-гигабитных микросхем памяти GDDR5
Компания Samsung Electronics первой среди производителей приступила к выпуску микросхем памяти типа GDDR5 с пропускной способностью 8 гигабит. Они выполнены по 20-нанометровому техпроцессу и предназначены для использования в дискретных графических ускорителях.
Благодаря увеличенной пропускной способности появляется возможность обрабатывать больший поток графических данных, что будет актуальным при повсеместном внедрении разрешения 4K Ultra HD для игр и видео. Кроме видеокарт данная память также предназначена для игровых консолей и ноутбуков.
По сравнению с самой распространенной сейчас памятью DDR3, которой комплектуется большинство современных ноутбуков, новые микросхемы GDDR5 позволяю добиться практически четырехкратного увеличения скорости.
Также планируется дальнейшее расширение линейки 20-нанометровыми микросхемами с пропускной способностью 6 и 4 гигабит для обеспечения потребностей всех сегментов рынка.
