Поиск по сайту

up

Компьютерные новости

Все разделы

Samsung выпустила первый инженерный образец модуля памяти PRAM

Несмотря на то, что запланированный на июнь этого года запуск полномасштабного производства модулей памяти на базе ячеек с фазовым переходом PRAM (Phase change Random Access Memory) был отложен на несколько месяцев вперёд и до сих пор находится в процессе подготовки, компания Samsung предсказывает стремительное распространение данного типа памяти в качестве энергоэффективного носителя информации в различных портативных устройствах ближайшего будущего. По мнению одного из высокопоставленных представителей компании, данный тип памяти завоюет широкую популярность в таких сегментах рынка как мобильные телефоны, мультимедийные проигрыватели, смартфоны.

Принципиальное отличие ячеек модулей памяти PRAM от ячеек DRAM состоит в возможности сохранения пользовательских данных в энергонезависимом режиме благодаря фазовому переходу халькогенидных стеклообразных полупроводников из кристаллического состояния в аморфное. Таким образом, функционирование модуля памяти PRAM в энергонезависимом режиме сочетается с высочайшим уровнем производительности данных ячеек памяти, обеспечивающих увеличение показателя скорости обмена данными между ячейками до 3000 %, а также поддержку в десять раз большего количества циклов записи сравнительно с распространёнными NOR и NAND флэш-памятью. Представленный на этой неделе первый рабочий образец модуля PRAM представляет собой произведенный по 60 нм технологии чип памяти объёмом в 512 МБ. По результатам внутреннего тестирования, данный инженерный образец способен стереть количество информации размером в 64 килослова за 80 мс, что соответствует 10-кратному увеличению скорости обработки операции относительно флэш-памяти типа NOR. Измеренная скорость стирания и перезаписи очереди из сегментов данных объёмом в 5 МБ эквивалентна 7-кратному приросту относительно замера скоростных показателей аналогичных операций с использованием NOR флэш-памяти.

К сожалению, заявленный срок хранения пользовательских данных в условиях долговременного отстутствия электроснабжения ячеек памяти с фазовым переходом, а также эксплуатационные факторы, в той или иной степени влияющие на сохранность данных, производителем не сообщаются.

TechConnectMagazine
Илья Паринов