up
ru ua
menu


BeQuiet_.gif

logo minifile

::>Оперативная память > 2014 > 11 > Strontium DDR3-1600

Версия для печати
Переопубликовать обзор

26-11-2014


rss

Обзор модуля оперативной памяти DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z объемом 8 ГБ

Для многих пользователей слово «Strontium» ассоциируется скорее с названием химического элемента, чем с крупной компанией по производству компьютерных комплектующих. Однако такое положение вещей будет сохраняться недолго. Данная компания всерьез нацелилась на рынок стран СНГ, поэтому есть все шансы, что ее продукция не обойдет и прилавки отечественных магазинов.

Под брендом Strontium выпускаются разные комплектующие, связанные в основном с твердотельной памятью. Так, в нашей тестовой лаборатории уже успели побывать: флэш-накопитель Strontium Jet Flash Drive SR16GBBJET и карта памяти формата microSDXC Strontium microSDXC Nitro Plus UHS-1 U3 SRP64GTFU1C. Теперь пришел черед познакомиться и с «тяжелой артиллерией» - оперативной памятью. В ассортименте продукции компании Strontium она представлена разными решениями, начиная со стандарта DDR1. Очевидно, что для многих читателей такие планки памяти сегодня окажутся не особо актуальными. Поэтому для знакомства мы выбрали модуль формата DDR3 - DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z объемом 8 ГБ. К слову, он же является и самым производительным во всей линейке оперативной памяти, выпускаемой под брендом Strontium.

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

Спецификация:

Модель

Strontium DDR3-1600

Маркировка модуля

SRT8G86U1-P9Z

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

240-контактные DIMM

Количество модулей в наборе

1

Объем памяти каждого модуля, ГБ

8

Суммарный объем памяти комплекта, ГБ

8

Рекомендуемый режим работы

DDR3-1600 11-11-11-28

Номинальное напряжение питания, В

1,5

Обычные режимы работы

DDR3-1600 11-11-11-28

DDR3-1333 10-9-9-24

DDR3-1333 9-9-9-24

DDR3-1066 8-7-7-19

DDR3-1066 7-7-7-19

DDR3-800 6-6-6-14

Расширенные профили XMP

Нет

Температура воздуха при эксплуатации, °С

0…+95

Сайт производителя

Strontium

Страница продукта

Strontium DDR3-1600

Упаковка и внешний вид модулей

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

Модуль DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z поставляется в стандартной пластиковой упаковке с прозрачной верхней крышкой. Она обеспечивает надежную защиту памяти во время транспортировки от механических повреждений и пробоя статического электричества. Поверх коробки можно обнаружить специальную ленту, на которой, помимо логотипа компании, нанесены основные характеристики модуля: объем (8 ГБ) и эффективная частота (1600 МГц).

Несмотря на то, что данный продукт нацелен на массовую аудиторию, он имеет пожизненную гарантию от производителя, как и более дорогие его аналоги.

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

Во внешнем виде планки памяти DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z нет ничего примечательного. Производитель даже отказался от использования системы охлаждения с целью снизить ее конечную стоимость. Хотя по большому счету дополнительные радиаторы здесь и не нужны. Работу на частоте DDR3-1600 при стандартном напряжении питания 1,5 В уж никак нельзя назвать экстремальным режимом, который будет сопровождаться большим нагревом микросхем памяти. Поэтому в данном случае вполне хватит природной конвекции.

В качестве подтверждения наших слов можем привести температурные показатели, зафиксированные во время тестирования модуля DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z под продолжительной нагрузкой. В таком режиме нагрев чипов памяти составил всего лишь 38,1°С, что является довольно хорошим результатом. Правда, здесь стоит сделать одно уточнение: эксперимент проводился с одной планкой. Скорее всего, в своей системе вы будете использовать два или даже четыре таких модуля, что, естественно, скажется на нагреве микросхем памяти. Однако переживать по этому поводу особо не стоит: температурные показатели все равно будут очень далекими от критических значений.

На всякий случай отметим, что согласно спецификации, максимальная температура воздуха, при которой DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z разрешается эксплуатировать, составляет 95°С.

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

К тому же у модулей памяти, лишенных дополнительной системы охлаждения, есть и свои преимущества. К примеру, они имеют высоту всего лишь 30 мм, а значит, будут совместимы практически со всеми доступными на рынке процессорными кулерами. Для решений, нацеленных на массовую аудиторию, к которым, безусловно, относится и DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z, это является довольно важным фактором.

Сам модуль выполнен на текстолите зеленого цвета, с обеих сторон которого прикреплено по 8 чипов памяти, емкостью 512 МБ каждый. Таким образом, его суммарный объем составляет 8 ГБ.

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

Производителем микросхем памяти с маркировкой K4B4G0846D-BCK0 является небезызвестная компания Samsung. Это не самый «удачный» вариант чипов из данной серии. Согласно документации, в нее входят и более производительные решения (с символами «-BCNB» в конце названия), способные работать на частоте 2133 МГц. Однако это не повод ставить крест на разгонном потенциале модуля DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z. Просто с микросхемами памяти Samsung K4B4G0846D-BCK0 шанс на удачную оптимизацию его параметров будет меньше.

Микросхема SPD EEPROM представлена чипом с маркировкой D1U S27 производства компании ON Semiconductor.

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

На модуле DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z мы обнаружили сразу два стикера. Один из них был наклеен сотрудниками компании Strontium, а второй, по-видимому, остался от OEM-производителя планок памяти. Хотя и без этикетки легко догадаться, что им является компания Samsung.

Что касается технических данных, то на фирменном стикере отмечены лишь основные характеристики: маркировка (SRT8G86U1-P9Z), объем модуля (8 ГБ) и его эффективная частота (1600 МГц). На наш взгляд, не лишним было бы указать еще набор таймингов и номинальное напряжение питания.

Технические характеристики и режимы работы

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

Более подробную информацию можно получить с помощью специальных утилит. Мы отказались от использования популярных программ AIDA64 и CPU-Z, так как они интерпретируют информацию из SPD по старому алгоритму и не всегда корректно. Чтобы избежать появления возможных неточностей, было решено задействовать утилиту Thaiphoon Burner, разработанную специально для диагностики оперативной памяти. Выше подан краткий и подробный отчеты о технических характеристиках модуля DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z.

Интересно отметить, что специалисты компании Strontium не стали менять информацию в SPD. Поэтому не удивляйтесь, что по данным программы производителем по-прежнему числится Samsung, а маркировка модулей определяется как M378B1G73DB0-CK0.

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

Вполне очевидно, что для памяти такого уровня не предусмотрено никаких XMP-профилей. После включения системы загружается первый режим DDR3-1600 МГц 11-11-11-28. Он же является и самым оптимальным. Номинальное напряжение питания модуля составляет 1,5 В.

Тестирование

Для проведения тестов мы использовали такую конфигурацию стенда:

Процессор

Intel Core i7-4770K (Socket LGA1150, 3,5 ГГц, L3 8 МБ)

Turbo Boost: enable

Материнская плата

ASRock Fatal1ty Z97X Killer

Кулер

Scythe Kama Angle Rev.B

Видеокарта

ZOTAC GeForce GTX 480 AMP!

Жесткий диск

Hitachi Deskstar HDS721616PLA380 (160 ГБ, 16 МБ, SATA-300)

Оптический привод

ASUS DRW-1814BLT SATA

Блок питания

Seasonic X-660 Gold

Оппонентом в тестировании выступал модуль DDR3-2400 TwinMOS TwiSTER 9DHCGN4B-HAWP объемом 4 ГБ. Соответственно, подсистема памяти работала в одноканальном режиме. Также в данном эксперименте мы решили выяснить влияние количества используемых каналов памяти на производительность ПК. Для этих целей была задействована вторая планка DDR3-2400 TwinMOS TwiSTER 9DHCGN4B-HAWP.

В результате тестирование происходило в следующих режимах работы:

Модель

Скорость работы, МГц

Набор задержек

Strontium SRT8G86U1-P9Z

1333

9-9-9-24

1600

11-11-11-28

1 х TwinMOS TwiSTER 9DHCGN4B-HAWP

1333

9-9-9-24

1600

11-11-11-29

2 х TwinMOS TwiSTER 9DHCGN4B-HAWP

1333

9-9-9-24

1600

11-11-11-29

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z

Сначала давайте посмотрим, как проявил себя модуль DDR3-1600 Strontium SRT8G86U1-P9Z на фоне своего оппонента, работая в одноканальном режиме. При одинаковых настройках разница в результатах была на уровне погрешности. Из этого можно сделать вывод, что в плане производительности память Strontium в сопоставимых условиях эксплуатации ничем не уступает более именитым аналогам.

Если же сравнивать между собой два режима (DDR3-1333 и DDR3-1600), то использование более высокой частоты выльется в прирост быстродействия ПК на уровне 2-5%. В принципе, немного, но ведь в данном случае мы говорим о повседневных приложениях. В узкоспециализированных программных пакетах, более требовательных к ресурсам компьютера, в том числе и к производительности подсистемы памяти, разница будет измеряться уже десятками процентов. Для подтверждения этих слов достаточно взглянуть на результат бенчмарка AIDA64. Переход с частоты 1333 на 1600 МГц приводит к 20%-ому росту скорости копирования / записи / чтения из памяти.

Что касается целесообразности использования двухканального режима, то графики говорят сами за себя. Солидное преимущество над одноканальным режимом наблюдается лишь в синтетических тестах. Здесь оно может достигать даже 100%. В реальных же приложениях разница менее существенная - на уровне 3-10%. Примечательно, что наиболее чувствительными к количеству используемых каналов памяти оказались игры. Да, использование одноканального режима не приводит к катастрофическому падению количества FPS на экране. Однако если вы желаете выжать максимум производительности из своего компьютера, особенно в играх, то стоит применять именно двухканальную (а по возможности и четырехканальную) организацию подсистемы памяти.


Социальные комментарии Cackle
Поиск по сайту
Почтовая рассылка
top10

ТОП-10 Материалов

  1. DDR4 vs. DDR3: сравнительное тестирование оперативной памяти
  2. Сравнение DDR3-1600 и DDR4-2133 в играх со встроенным и дискретным видеоускорителем
  3. Обзор комплекта оперативной памяти DDR3-1866 Kingston HyperX FURY HX318C10FBK2/16 объемом 16 ГБ
  4. Обзор двухканального комплекта оперативной памяти DDR3-1866 Crucial Ballistix Tactical BLT8G3D1869DT1TX0 объемом 16 ГБ
  5. Обзор модулей оперативной памяти DDR3-1333 PATRIOT PSD32G13332 2 ГБ
  6. Обзор комплекта оперативной памяти DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H
  7. Обзор и тестирование комплекта оперативной памяти DDR4-2400 Kingston HyperX FURY HX424C15FBK4/32 объемом 32 ГБ
  8. Обзор комплекта оперативной памяти DDR4-2800 Corsair Vengeance LPX CMK16GX4M4A2800C16 объемом 16 ГБ
  9. Обзор двухканального комплекта оперативной памяти DDR3-1600 GOODRAM Play GY1600D364L9/8GDC объемом 8 ГБ
  10. Обзор и тестирование комплекта оперативной памяти DDR4-3000 HyperX Savage HX430C15SBK2/16 объемом 16 ГБ

vote

Голосование