up
ru ua
menu


ASUS_Quiz1.gif

logo minifile

::>Оперативная память > 2011 > 07 > Silicon Power DDR3-1333

Версия для печати
Переопубликовать обзор

13-07-2011


rss

Обзор 8 ГБ комплекта памяти Silicon Power DDR3-1333 SP008GBLTU133V21

Современные игры, рабочие, да и офисные программы становятся все более требовательными к аппаратному оснащению персональных компьютеров. Не последним условием для нормальной работы таких программных продуктов является наличие достаточного объема оперативной памяти. Профессиональные программные комплексы и «тяжелые» игры в своей прожорливости уже давно требуют более 4 ГБ ОЗУ и использования операционной системы с полноценной поддержкой 64-битной адресации. По этой причине для высокопроизводительных систем минимальный рекомендуемый объем установленной памяти составляет от 4-8 ГБ. Такие тенденции развития современных приложений только подтверждают востребованность «ёмких» модулей оперативной памяти объемом 4 и более гигабайт.

Отметим также, что большой объем используемой памяти увеличивает время поиска расположенной в ней информации. Однако такие задержки можно компенсировать использованием более быстрых микросхем памяти, что позволяет производить модули памяти с меньшими таймингами и более высокими частотами работы. Посмотрим, как выглядит быстродействие пришедшего к нам от компании Silicon Power Computer & Communications Inc на тестирование комплекта 8 ГБ памяти, который состоит из двух модулей по 4 ГБ.

У нас уже были на тестировании 4 ГБ модули памяти от компании TwinMOS, модели  TwinMOS 9DCEBNZB-TATP 4GB DDR3-1333. В их обзоре было отмечено небольшое падение производительности при использовании простых тестов, по сравнению с аналогичными по скорости двумя модулями памяти по 1 ГБ каждый. На данное тестирование мы также выбрали недорогой комплект с хорошими рекомендациями по быстродействию Silicon Power SP008GBLTU133V21.

Silicon Power DDR3-1333 SP008GBLTU133V21

Участвующий в сегодняшнем тестировании комплект из двух модулей памяти Silicon Power SP004GBLTU133V01 DDR3 1333 (CL9) 4G объемом по 4 ГБ относится к бюджетной линейке предложений компании Silicon Power. С виду это самые обычные модули, только помещенные в хорошо оформленную прозрачную упаковку. На лицевой стороне вложенного внутрь бумажного вкладыша иконками отмечены основные преимущества данного комплекта: суммарный объем 8 ГБ, полная совместимость для работы в двухканальном режиме, а также бесконечная гарантия от производителя на данный продукт. Подчеркнута максимальная универсальность и стабильность работы данных модулей. Также указано на 100% тестирование этой продукции еще на заводе, что должно вселить уверенность в надежности комплекта.

Silicon Power DDR3-1333 SP008GBLTU133V21

На обратной стороне упаковки, кроме выше упомянутых особенностей, присутствует небольшая схема вынимания модулей памяти из упаковки, адрес и телефоны производителя, и основные особенности спецификации комплекта Silicon Power SP008GBLTU133V21.

Silicon Power DDR3-1333 SP008GBLTU133V21

Silicon Power DDR3-1333 SP008GBLTU133V21

Сами модули памяти выглядят очень стандартно, они выполнены на двухсторонней печатной плате, с каждой стороны которой расположено по 8 микросхем. Отметим лишь относительно малые размеры самих микросхем памяти. Никаких радиаторов в данном комплекте не предусмотрено, но для бюджетных модулей памяти это вполне оправдано. Мы оценим, как такой подход влияет на быстродействие и разгонный потенциал используемых здесь микросхем памяти, и проверим возможности комплекта Silicon Power SP008GBLTU133V21 в реальных тестах производительности.

Silicon Power DDR3-1333 SP008GBLTU133V21

Сам модуль конструктивно выполнен в формате U-DIMM – обычная не буферизированная память для ПК. На одной из боковых сторон имеется наклейка, которая несет информацию о модели модуля, его объеме в 4 ГБ, стандарте DDR3 и эффективной рабочей частоте 1333 МГц (PC3-10600). Также здесь приводится и основная задержка Column Address Strobe (CAS) latency, или сокращенно CL, которая составляет 9 тактов. Вполне достаточная информация, но мы встречали ранее и намного более развернутый перечень технических особенностей.

Чипы памяти, которые используются на двух модулях комплекта Silicon Power SP008GBLTU133V21, имеют маркировку S-POWER 20YT3N1. Этот факт говорит о производстве данных микросхем на заводах компании Silicon Power. Само наличие полного цикла производства памяти у этого производителя должно положительно влиять на конечную стоимость продукта.

При помощи утилит CPU-Z и AIDA64 можно узнать информацию, которая записана в SPD модулей. Именно данные из SPD использует BIOS материнской платы для автоматического определения режимов работы модуля при начальной загрузке системы. В модуле Silicon Power SP004GBLTU133V01 записаны четыре JEDEC-режима работы: DDR3-457 МГц, DDR3-533 МГц, DDR3-609 МГц и DDR3-685 МГц при соответствующих задержках и напряжении питания 1,5 В. Стандартным режимом для данной памяти является DDR3-685, как самый близкий к рекомендованной рабочей частоте в 667 МГц при задержках (таймингах) 9-9-9-25-34 для CL-tRCD-tRP-tRAS-tRС соответственно. Такие величины задержек можно назвать вполне стандартными для современных модулей памяти. Однако надежда на увеличение частот работы до DDR3-1600 МГц с более высокой формулой таймингов (10-10-10) все же остается.

Какими-либо расширениями XMP, а также сертификатом «SLI Ready», который подразумевает наличие профилей EPP (Enhanced Performance Profiles) для увеличения производительности, данные модули отличиться не могут. С одной стороны это говорит об ориентации этой оперативной памяти на работу в обычных системах, а с другой – ничто не увеличивает их стоимость.

Характеристики модулей:

Производитель и модель

Silicon Power SP008GBLTU133V21 (2 х SP004GBLTU133V01 DDR3 1333 MHz (CL9) 4G 1101SK0090)

Тип памяти

DDR3

Объем модулей, ГБ

2 x 4

Форм-фактор

240 pin U-DIMM

Стандартные режимы работы JEDEC

DDR3-685 9-9-9-25-34 1.5V

DDR3-609 8-8-8-22-30 1.5V

DDR3-533 7-7-7-20-27 1.5V

DDR3-457 6-6-6-17-23 1.5V

Расширенные профили XMP/EPP

Нет

Дополнительные сертификаты

Dual mode

Рабочий диапазон температур, ºС

-

Энергопотребление комплекта, Вт

-

Сайт производителя

http://www.silicon-power.com/

Из спецификации можно выделить гарантированную поддержку двухканального режима работы пары модулей памяти. В таком режиме быстродействие оперативной памяти существенно возрастает, но следует обратить внимание на правильность установки данных модулей в слоты на материнской плате, в противном случае данный режим будет недоступен. В остальном спецификация повторяет таковую у большинства недорогих модулей памяти. Теперь перейдем к самому интересному, к оценке производительности и разгонного потенциала комплекта Silicon Power SP008GBLTU133V21.

Тестирование производительности

Стенд для тестирования оперативной памяти.

Процессор

Intel Core i5-2500K (LGA1155, 3,3 ГГц, L3 6 МБ, Turbo Boost Off, C1E Off)

Материнские платы

ASUS P8P67 (Intel P67, LGA 1155, DDR3, ATX)

Кулер (Intel)

Thermalright SI-128 (LGA775) + VIZO Starlet UVLED120 (62,7 CFM, 31,1 дБ)

Видеокарта

ZOTAC GeForce GTX 480 AMP! (NVIDIA GeForce GTX 480, 1,5 ГБ GDDR5, PCIe 2.0)

Жесткий диск

Hitachi Deskstar HDS721616PLA380 (160 ГБ, 16 МБ, SATA-300)

Оптический привод

ASUS DRW-1814BLT SATA

Блок питания

Seasonic M12II-500 (SS-500GM), 120 мм fan

Производитель рекомендует использовать память в режимах DDR3-685 9-9-9-25-34 1.5V, DDR3-609 8-8-8-22-30 1.5V, DDR3-533 7-7-7-20-27 1.5V и DDR3-457 6-6-6-17-23 1.5V. Однако при тестировании будет использоваться только режим DDR3-685 9-9-9-25 1.5V, так как он самый близкий к рекомендованной для этих модулей частоте в 1333 МГц (667 МГц) и самый востребованный в современном мире.

Детальный анализ подтвердил небольшое превосходство 8 ГБ комплекта Silicon Power SP008GBLTU133V21 в сравнении с 2 х 4 ГБ модулями памяти  TwinMOS 9DCEBNZB-TATP 4GB DDR3-1333. В частности можно отметить относительно низкую латентность микросхем памяти у модулей Silicon Power SP004GBLTU133V01 как для такой емкости. Однако даже такое незначительное преимущество ни как не меняет общей картины производительности. Более ёмкие чипы остаются и более медлительными. Падение быстродействия в тестовых пакетах составляет до 3-4% по сравнению с набором из пары модулей по 1 ГБ. Немного забегая вперед, хочется отметить возможность работы комплекта Silicon Power SP008GBLTU133V21 на частоте в 1600 МГц. Это позволило в некоторых случаях скомпенсировать задержки, которые возникают из-за большого объема памяти. Однако в половине тестов лидером все же остаются менее ёмкие модули памяти, в частности два по 1 ГБ DDR3 TwinMOS 9DEPBKZ8-TATP с эффективной частотой работы в 1333 МГц.

Более дорогие модули памяти, такие как оверклокерский комплект DDR3-1333 Kingston KHX2250C9D3T1K3/6GX, имеют заметно более высокое быстродействие даже при схожих рабочих частотах благодаря использованию заметно меньших задержек. Однако они не могут быть оптимальными по критерию выбора цена/производительность при использовании  в обычных системах.

Уменьшение общей скорости работы системы, в которой установлены ёмкие модули памяти, по 4 ГБ каждый, в сравнении с использованием в ней 1-гигабайтных модулей, наглядно доказывают результаты тестирования. Но все же главным критерием выбора, какой объем оперативной памяти необходимо устанавливать в вашу систему, должна быть потребность в памяти запускаемых на этом ПК приложений. В противном случае нехватка оперативной памяти может привести к намного более значительным задержкам при работе, что приведет к заметному снижению быстродействия всей системы.

Стабильность работы модулей памяти была проверена различными тестами. В их число вошел и стандартный модуль проверки памяти, который встроен в операционную систему WINDOWS 7.

Как видно из приведенного «скриншота», неполадок после 97 «прогонов» теста обнаружено не было. Такие результаты говорят об отличной стабильности работы попавшего на тестирование комплекта памяти 8 ГБ DDR3-1333 Silicon Power SP008GBLTU133V21, а именно этот критерий и является для памяти этого класса самым главным. Еще одним аспектом при выборе памяти, помимо стабильности работы на рекомендованных частотах, является её быстродействие и возможности разгона.


Социальные комментарии Cackle
Поиск по сайту
Почтовая рассылка
top10

ТОП-10 Материалов

  1. DDR4 vs. DDR3: сравнительное тестирование оперативной памяти
  2. Сравнение DDR4-2133 vs DDR4-2400 на чипсетах H110 с Pentium G4560 и Z170 с Core i7-6700K
  3. Обзор и тестирование комплекта оперативной памяти DDR4-2400 GOODRAM IRDM IR-W2400D464L15S/16GDC объемом 16 ГБ
  4. Обзор комплекта оперативной памяти DDR3-1866 Kingston HyperX FURY HX318C10FBK2/16 объемом 16 ГБ
  5. Сравнение DDR3-1600 и DDR4-2133 в играх со встроенным и дискретным видеоускорителем
  6. Обзор двухканального комплекта оперативной памяти DDR3-1866 Crucial Ballistix Tactical BLT8G3D1869DT1TX0 объемом 16 ГБ
  7. Обзор модулей оперативной памяти DDR3-1333 PATRIOT PSD32G13332 2 ГБ
  8. Single vs Dual Channel DDR4-2400: углубленное сравнение на трех системах Intel
  9. Обзор и тестирование комплекта оперативной памяти DDR4-3200 G.SKILL Trident Z F4-3200C15D-16GTZKW объемом 16 ГБ
  10. Обзор и тестирование комплекта оперативной памяти DDR4-2400 Kingston HyperX FURY HX424C15FBK4/32 объемом 32 ГБ

vote

Голосование