up
ru ua
menu



logo minifile

::>Оперативная память > 2011 > 05 > TwinMOS DDR3-1333

Версия для печати
Переопубликовать обзор

30-05-2011


rss

Обзор пары 4 ГБ модулей памяти TwinMOS 9DCEBNZB-TATP DDR3-1333

Современные игры и офисные программы часто для своей работы требуют значительных объемов системной памяти. Профессиональные программные комплексы и «тяжелые» игры в своей прожорливости уже давно перешагнули через порог 32-битной адресации, которая ограничивает объем используемой памяти до <4 ГБ. Все популярные операционные системы достаточно давно получили полноценную поддержку 64-битной адресации ячеек памяти и рекомендуют использовать не меньше четырёх гигабайт оперативной памяти. Все это только подтверждает востребованность «ёмких» модулей оперативной памяти в современных системах. Однако больший объем установленной памяти должен увеличить время поиска расположенной в ней информации. Именно влияние таких задержек на общее быстродействие системы и хочется выяснить в данном материале.

TwinMOS

В предыдущей статье, посвященной модулям памяти TwinMOS 9DEPBKZ8-TATP DDR3-1333 по 1 ГБ, был отмечен их неплохой разгонный потенциал и стабильная работа при очень доступной цене. Именно по этим причинам на данное тестирование были выбраны модули памяти производства TwinMOS с дополнительными алюминиевыми радиаторами – модель TwinMOS 9DCEBNZB-TATP 4GB DDR3-1333. Такое сочетание дает надежду на существенное повышение рабочих частот установленных микросхем памяти при ручном разгоне.

TwinMOS 9DCEBNZB-TATP DDR3-1333

Попавшие на тестирование два модуля памяти TwinMOS 9DCEBNZB-TATP объемом по 4 ГБ относятся к средней ценовой линейке памяти компании TwinMOS. Наличие алюминиевых радиаторов с каждой стороны позволяет покупателю надеяться на оверклокерские возможности данных моделей. Цветовое исполнение радиаторов «piano black» и «ocean blue» обеспечит им привлекательный вид внутри корпуса. Однако не будем «встречать по одежке», намного интереснее проверить возможности TwinMOS 9DCEBNZB-TATP и оценить их быстродействие.

TwinMOS 9DCEBNZB-TATP DDR3-1333

TwinMOS 9DCEBNZB-TATP DDR3-1333

Модули памяти TwinMOS 9DCEBNZB-TATP 4GB DDR3-1333, попали к нам без какой-либо упаковки, скорее всего, и продаваться они тоже будут без неё.

Сами модули выполнены на двухсторонней печатной плате, с каждой стороны которой расположено по 8 микросхем с приклеенной на них алюминиевой пластиной радиатора. Она должна способствовать большей стабильности работы и лучшим возможностям разгона микросхем памяти.

TwinMOS 9DCEBNZB-TATP DDR3-1333

На одной из боковых сторон имеется наклейка, которая несет информацию о модели модуля, объеме в 4 ГБ, его стандарте DDR3 и эффективной рабочей частоте 1333 МГц (PC3-10600). Также здесь приводится и некоторая более низкоуровневая информация: архитектура модуля состоит из двух банков по 8x256 МБ в каждом, суммарно это шестнадцать чипов по 256 МБ (16IC); основная задержка Column Address Strobe (CAS) latency, или сокращенно CL, составляет 9 тактов; сам модуль конструктивно выполнен в виде U-DIMM – обычная не буферизированная память для ПК.

Алюминиевые пластины приклеены к микросхемам памяти достаточно прочно, что не позволило нам привести здесь фото самих микросхем. Однако сам производитель заявляет о маркировке TwinMOS TMPI08H3S20BE для чипов у моделей памяти TwinMOS 9DCEBNZB-TATP. Этот факт говорит о производстве данных микросхем на заводах компании TwinMOS. Само наличие полного цикла производства памяти у этого производителя должно положительно влиять на конечную стоимость продукта.

При помощи утилит CPU-Z и AIDA64 можно узнать информацию, которая записана в SPD модуля. Именно данные с SPD использует BIOS материнской платы для автоматического определения режимов работы модуля при начальной загрузке системы. В модуле TwinMOS 9DCEBNZB-TATP записаны четыре JEDEC-режима работы: DDR3-533 МГц, DDR3-609 МГц, DDR3-685 МГц и DDR3-761 МГц при соответствующих задержках и напряжении питания 1,5 В. Стандартным режимом для данной памяти является DDR3-685, как самый близкий к рекомендованной рабочей частоте в 667 МГц при задержках (таймингах) 9-9-9-25-34 для CL-tRCD-tRP-tRAS-tRС соответственно. Наличие режима DDR3-761 МГц позволяет надеяться на работу данных модулей с частотой в 800 МГц, что может оказаться весомым плюсом при приобретении моделей TwinMOS 9DCEBNZB-TATP. Увеличение частоты работы памяти с 667 МГц до 800 МГц должно обеспечить прирост общей производительности системы на несколько процентов.

Какими-либо расширениями (EPP или XMP), а также сертификатом «SLI Ready», данные модули отличиться не смогут. С одной стороны это говорит об ориентации этой оперативной памяти на работу в обычных системах, а с другой – ничто не увеличивает их стоимость.

Характеристики модулей:

Производитель и модель

TwinMOS 9DCEBNZB-TATP (PC3 10600 4GB DDR3 1333 MHz 256x8 16IC CL 9.0 U-DIMM)

Тип памяти

DDR3

Объем модуля, ГБ

4

Форм-фактор

240 pin U-DIMM

Стандартные режимы работы JEDEC

DDR3-761 10-10-10-28-38 1.5V
DDR3-685 9-9-9-25-34 1.5V
DDR3-609 8-8-8-22-30 1.5V
DDR3-533 7-7-7-20-27 1.5V

Расширенные профили XMP/EPP

Нет

Дополнительные сертификаты

-

Рабочий диапазон температур, ºС

-

Энергопотребление комплекта, Вт

2х 1,922 при 1,5 В

Сайт производителя

http://www.TwinMOS.com/

После знакомства с внешним видом модулей TwinMOS 9DCEBNZB-TATP, а также их техническими характеристиками, перейдем к самому интересному, к оценке производительности и разгонного потенциала.

Тестирование производительности

Стенд для тестирования оперативной памяти.

Процессор

Intel Core i5-2500K (LGA1155, 3,3 ГГц, L3 6 МБ, Turbo Boost Off, C1E Off)

Материнские платы

ASUS P8P67 (Intel P67, LGA 1155, DDR3, ATX)

Кулер (Intel)

Thermalright SI-128 (LGA775) + VIZO Starlet UVLED120 (62,7 CFM, 31,1 дБ)

Видеокарта

ZOTAC GeForce GTX 480 AMP! (NVIDIA GeForce GTX 480, 1,5 ГБ GDDR5, PCIe 2.0)

Жесткий диск

Hitachi Deskstar HDS721616PLA380 (160 ГБ, 16 МБ, SATA-300)

Оптический привод

ASUS DRW-1814BLT SATA

Блок питания

Seasonic M12II-500 (SS-500GM), 120 мм fan

Производитель рекомендует использовать память в режимах DDR3-761 10-10-10-28-38 1.5V, DDR3-685 9-9-9-25-34 1.5V, DDR3-609 8-8-8-22-30 1.5V и DDR3-533 7-7-7-20-27 1.5V. Однако при тестировании будет использоваться только режим DDR3-685 9-9-9-25 1.5V, так как он самый близкий к рекомендованной для этих модулей частоте в 1333 МГц (667 МГц) и самый востребованный в современном мире.

Полученные результаты тестирование подтвердили предыдущее утверждение о более медленной работе емких микросхем памяти. Это суммарно уменьшает быстродействие памяти на 3-5% относительно использования модулей этого же производителя с емкостью в 1 ГБ каждый. Такие задержки памяти снижают общую производительности системы на 1-2%. Хотя уменьшение общей скорости работы системы наглядно доказывают результаты тестирования, все же главным критерием при выборе объема установленной оперативной памяти должна стать потребность в таком объеме работающих на данном ПК приложений. Падение производительности в 1-2%, на фоне более существенных задержек в работе при недостатке оперативной памяти, не сможет стать существенным аргументом при комплектации вашего компьютера.

Стабильность работы модулей памяти была проверена различными тестами. В их число вошел и стандартный модуль проверки памяти, который встроен в операционную систему WINDOWS 7.

Как видно из приведенного изображения, неполадок после 98 «прогонов» теста обнаружено не было. Такие результаты говорят об отличной стабильности работы попавших на тестирование модулей памяти по 4 ГБ DDR3-1333 TwinMOS 9DCEBNZB-TATP, а именно этот критерий и является для памяти этого класса самым главным. Однако стабильность работы на рекомендованных частотах и приемлемое быстродействие это не все факторы, которые учитываются при выборе модулей памяти во время покупки. Немаловажным критерием при этом выборе будет и возможность разгона.


Социальные комментарии Cackle
Поиск по сайту
Почтовая рассылка
top10

ТОП-10 Материалов

  1. DDR4 vs. DDR3: сравнительное тестирование оперативной памяти
  2. Сравнение DDR4-2133 vs DDR4-2400 на чипсетах H110 с Pentium G4560 и Z170 с Core i7-6700K
  3. Single vs Dual Channel DDR4-2400: углубленное сравнение на трех системах Intel
  4. Обзор комплекта оперативной памяти DDR3-1866 Kingston HyperX FURY HX318C10FBK2/16 объемом 16 ГБ
  5. Обзор и тестирование комплекта оперативной памяти DDR4-2400 GOODRAM IRDM IR-W2400D464L15S/16GDC объемом 16 ГБ
  6. Сравнение DDR3-1600 и DDR4-2133 в играх со встроенным и дискретным видеоускорителем
  7. Обзор двухканального комплекта оперативной памяти DDR3-1866 Crucial Ballistix Tactical BLT8G3D1869DT1TX0 объемом 16 ГБ
  8. Обзор модулей оперативной памяти DDR3-1333 PATRIOT PSD32G13332 2 ГБ
  9. Обзор и тестирование комплекта оперативной памяти DDR4-3200 G.SKILL Trident Z F4-3200C15D-16GTZKW объемом 16 ГБ
  10. Обзор и тестирование комплекта оперативной памяти DDR4-2400 Kingston HyperX FURY HX424C15FBK4/32 объемом 32 ГБ

vote

Голосование