up
ru ua en
menu


ASUS_Quiz1.gif

nano gaming ram

Выбрать из: Обзоров Новостей
Только в разделе
Искать в найденом тег:

DDR4 vs. DDR3: сравнительное тестирование оперативной памяти

Выпуск платформы Socket LGA1151 наконец-то позволил сравнить между собой память стандартов DDR4 и DDR3 в равных условиях. Однако прежде чем перейти к результатам тестирования, предлагаем сначала более детально изучить различия между данными типами модулей. Это даст нам лучшее представление о том, чего стоит ожидать от новой памяти не только сейчас, но и в ближайшем будущем.

За разработку стандарта DDR4 ассоциация JEDEC взялась еще в 2005 году. В те времена в магазинах еще полных ходом продавались планки DDR2, и только планировался серийный выпуск модулей DDR3. Иными словами, инженеры уже тогда понимали, что возможности данных стандартов ограничены и рано или поздно они станут лимитировать либо вовсе не соответствовать уровню остальных комплектующих ПК.

DDR4 vs DDR3 GECID

Причем речь идет не только о пропускной способности памяти, но и о таких важных характеристиках, как энергопотребление модулей и их объем. Как можно убедиться из данной диаграммы, планки DDR4 обходят своих предшественников по всем параметрам.

Увеличение пропускной способности

DDR4 vs DDR3 GECID

Пропускная способность подсистемы памяти напрямую зависит от скорости работы модулей: чем она выше, тем быстрее осуществляется запись и чтение из памяти. Конечно, далеко не все приложения постоянно обмениваются большими массивами данных, поэтому в реальных условиях эксплуатации пользователь может и не ощутить преимущества от установки более производительных комплектов. Но если мы говорим о специализированных программах наподобие видео- и фоторедакторов, CAD-систем или средств для создания 3D-анимации, то результат от применения скоростных модулей уже окажется куда существеннее. Также высокая пропускная способность подсистемы памяти важна при использовании встроенной графики. Ведь у iGPU нет доступа к быстрым чипам GDDR5, поэтому вся необходимая ему информация помещается в оперативную память ПК. Соответственно, в данном случае установка более производительных комплектов памяти напрямую будет влиять на количество FPS на экране.

DDR4 vs DDR3 GECID

Для формата DDR3 стандартными являются частоты от 1066 МГц до 1600 МГц, и лишь недавно добавилось значение 1866 МГц. Для DDR4 же минимальная скорость работы начинается с отметки 2133 МГц. Да, вы скажете, что модули DDR3 могут наверстать разницу с помощью разгона. Но ведь то же самое доступно и для планок DDR4, у которых и разгонный потенциал выше. Ведь с помощью оптимизации параметров модули DDR3 обычно берут планку в 2400 – 2666 МГц, для DDR4 без проблем покоряются высоты в 2800 – 3000 МГц.

Если сравнивать стандарты DDR4 и DDR3 с точки зрения энтузиастов-оверклокеров, то и тут перевес будет на стороне DDR4. Уже сейчас достигнуто значение в 4838 МГц, а ведь прошел только один год после анонса нового формата. Напомним, рекордной частотой разгона для модулей DDR3 является 4620 МГц, которая была зафиксирована лишь через 7 лет после запуска стандарта DDR3 в производство. Одним словом, в плане скорости работы потенциал у памяти DDR4 очень большой.

Улучшение энергоэффективности

DDR4 vs DDR3 GECID

Вторым важным преимуществом модулей DDR4 является возможность функционирования на низких напряжениях. Так, для их корректной работы на номинальных частотах (2133 – 2400 МГц) достаточно всего лишь 1,2 В, что на 20% меньше, чем у их предшественников (1,5 В). Правда, со временем на рынок была выведена энергоэффективная память стандартов DDR3L и DDR3U с напряжением питания 1,35 и 1,25 В соответственно. Однако она стоит дороже и имеет ряд ограничений (как правило, ее частота не превышает 1600 МГц).

Также память DDR4 получила поддержку новых энергосберегающих технологий. Например, модуль DDR3 использует только одно напряжение Vddr, которое для выполнения некоторых операций повышается с помощью внутренних преобразователей. Тем самым генерируется лишнее тепло и уменьшается общая эффективность подсистемы памяти. Для планки стандарта DDR4 спецификация предусматривает возможность получения этого напряжения (Vpp, равное 2,5 В) от внешнего преобразователя питания.

DDR4 vs DDR3 GECID

Память DDR4 также получила усовершенствованный интерфейс ввода/вывода данных под названием «Pseudo-Open Drain» (POD). От используемого ранее Series-Stub Terminated Logic (SSTL) он отличается отсутствием утечки тока на уровне драйверов ячеек памяти.

В целом же использование всего комплекса энергоэффективных технологий должно привести к 30%-ому выигрышу в энергопотреблении. Возможно, в рамках настольного ПК это покажется несущественной экономией, но если речь идет о портативных устройствах (ноутбуки, нетбуки), то 30% – не такое уж и маленькое значение.

Модернизированная структура

В максимальной конфигурации чип DDR3 содержит 8 банков памяти, тогда как для DDR4 доступно уже 16 банков. При этом длина строки в структуре чипа DDR3 составляет 2048 байт, а в DDR4 – 512 байт. В результате новый тип памяти позволяет быстрее переключаться между банками и открывать произвольные строки.

DDR4 vs DDR3 GECID

Микроархитектура DDR4 предполагает использование 8-гигабитных чипов, в то время как модули стандарта DDR3, как правило, создаются на основе микросхем емкостью 4 Гбит. То есть при одинаковом количестве чипов мы получим в два раза больший объем. На сегодняшний день наиболее распространенными являются 4-гигабайтные модули (к слову, это минимальная емкость для планки памяти стандарта DDR4). Но в ряде зарубежных стран предлагаются уже и более емкие модули: на 8 и даже на 16 ГБ. Заметьте, что при этом мы говорим о массовом сегменте рынка.

DDR4 vs DDR3 GECID

Для решения же узкоспециализированных задач без проблем можно создавать модули еще большего объема. Для этих целей предусмотрены 16-гигабитные чипы и специальная технология для их компоновки в корпусе DRAM (Through-silicon Via). Например, компании Samsung и SK Hynix уже представили планки емкостью 64 и 128 ГБ. Теоретически же максимальный объем одного модуля DDR4 может составлять 512 ГБ. Хотя вряд ли мы когда-нибудь увидим практическую реализацию таких решений, поскольку их стоимость будет чрезвычайно большой.

DDR4 vs DDR3 GECID

Несмотря на увеличение всех основных характеристик, размеры планок памяти DDR4 и DDR3 остались сопоставимыми: 133,35 х 31,25 мм против 133,35 х 30,35 мм соответственно. В физическом плане изменилось лишь расположение ключа и количество контактов (с 240 их число увеличилось до 288). Так что даже при всем желании модуль DDR4 никак не удастся установить в слот для памяти DDR3 и наоборот.

Новый интерфейс связи с контроллером памяти

DDR4 vs DDR3 GECID

Стандарт DDR3

DDR4 vs DDR3 GECID

Стандарт DDR4

Новый стандарт памяти предусматривает использование и более прогрессивной шины связи модулей с контроллером памяти. В стандарте DDR3 применяется интерфейс Multi-Drop Bus с двумя каналами. При использовании сразу четырех слотов получается, что два модуля подключены к одному каналу, что не самым лучшим образом сказывается на производительности подсистемы памяти.

В стандарте DDR4 усовершенствовали этот интерфейс, применив более эффективную схему − один модуль на один канал. Новый тип шины получил название Point-to-Point Bus. Параллельный доступ к слотам однозначно лучше последовательного, поскольку в дальнейшем позволяет более эффективно наращивать быстродействие всей подсистемы. Может быть сейчас особого преимущества пользователи и не ощутят, однако в дальнейшем, когда возрастут объемы передаваемой информации, оно станет более показательным. Ведь именно по такой же схеме развивалась видеопамять GDDR и интерфейс PCI Express. Только использование параллельного доступа позволило в значительной степени увеличить их производительность.

Однако шина Point-to-Point Bus накладывает некие ограничения на количество используемых модулей. Так, двухканальный контроллер может обслуживать только два слота, а четырехканальный − четыре. При увеличении объемов планок стандарта DDR4 это не столь критично, но все же на первых порах может вызвать определенные неудобства.

DDR4 vs DDR3 GECID

Решается эта проблема довольно простым способом − путем установки специального коммутатора (Digital Switch) между контроллером и слотами памяти. По принципу своего действия он напоминает коммутатор линий PCI Express. В результате пользователю, как и прежде, будет доступно 4 или 8 слотов (в зависимости от уровня платформы), при этом будут использоваться все преимущества шины Point-to-Point Bus.

Новые механизмы обнаружения и коррекции ошибок

Так как работа на высоких скоростях с большими стеками данных увеличивает шанс возникновения ошибок, то разработчики стандарта DDR4 позаботились о реализации механизмов для их обнаружения и предупреждения. В частности, в новых модулях имеется поддержка функции коррекции промахов, связанных с контролем четности команд и адресов, а также проверка контрольных сумм перед записью данных в память. На стороне же самого контроллера появилась возможность тестирования соединений без использования инициализирующих последовательностей.

Тэги: ddr4   ddr3   hyperx fury   kingmax   nano gaming ram   g.skill   ddr3l   ddr3-2400   sk hynix   samsung   intel core   jedec   kingston   hyperx   
Читать обзор полностью >>>

Обзор и тестирование комплекта оперативной памяти KINGMAX DDR4-3200 Nano Gaming RAM объемом 16 ГБ

Продукция компании KINGMAX уже не в первый раз попадает к нам на обзор. Ранее мы уже знакомили вас с SSD-дисками, флэш-накопителями, а также картами памяти тайваньского производителя, которые произвели достаточно хорошее впечатление благодаря удачному сочетанию производительности, качества и разумной стоимости. Не обошел вниманием столь крупный производитель такую сферу как производство модулей оперативной памяти.

KINGMAX DDR4-3200 Nano Gaming RAM

Тэги: ddr4   kingmax   nano gaming ram   xmp   intel xmp   
Читать обзор полностью >>>

Обзор 8 ГБ двухканального комплекта памяти DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS)

Продукция компании KINGMAX Technology хорошо известна среди пользователей по всему миру, в первую очередь за счет качественных и недорогих решений, таких как flash-накопители, диски SSD и модули оперативной памяти.

Компания KINGMAX Technology по меркам IT-индустрии уже довольно долго существует на рынке компьютерных комплектующих. Основанная в 1989 году корпорация KINGMAX Group и её филиал KINGMAX Semiconductor посвятили свою деятельность исследованию разработок в области систем памяти. В 2001 году группа KINGMAX создала компанию KINGMAX Digital, которая специализируется на разработках и производстве малогабаритных накопителей информации.

Большим преимуществом KINGMAX Technology по сравнению с конкурентами является полное отслеживание процесса производства от начала до конца: начиная с кремниевых пластин (заготовок для интегральных микросхем) и заканчивая производством, исследованиями, разработкой, дизайном, исполнением и испытаниями продукции.

Как и большинство других компаний, KINGMAX Technology постоянно расширяет ассортимент своей продукции, тем самым открывая для себя новые рынки сбыта, в том числе и оперативной памяти. Ни для кого не секрет, что многие требовательные пользователи при выборе компьютера все чаще обращают свой взгляд на производительные комплекты памяти, способные работать на высоких частотах. У каждой уважающей себя компании, которая занимается выпуском оперативной памяти, в ассортименте продукции всегда имеются предложения для разного рода энтузиастов компьютерной техники.

В компании KINGMAX Technology такая серия, предназначенная для нужд геймеров и оверклокеров, носит название KINGMAX Nano Gaming. Примечательно, что производитель старается выпускать не просто высокоскоростные наборы памяти, но и также внедряет на них разные инновационные технологии, одной из которых является NANO Thermal Dissipation Tech. Что же представляет собой данная технология, а также как проявит себя память серии KINGMAX Nano Gaming на фоне своих конкурентов, узнаем из сегодняшнего обзора на примере комплекта DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS) объемом 8 ГБ.

DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS)

Серия KINGMAX Nano Gaming включает в себя довольно большой модельный ряд. Здесь присутствуют как одноканальные решения, так и двух-, трех- и даже четырехканальные комплекты памяти. Скорость работы этих наборов лежит в пределах от 1600 МГц до 2400 МГц, а суммарный объем – от 1 ГБ до 32 ГБ. Как видим, даже самый требовательный покупатель сможет выбрать подходящую именно для его системы память.

Сегодня мы будем тестировать двухканальный комплект памяти с эффективной скоростью работы 2200 МГц и, пожалуй, самым востребованным на сегодняшний день объемом – 8 ГБ. Для начала давайте, как всегда, познакомимся с комплектом поставки и внешним видом модулей DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB.

DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS)

Как и подобает продукции такого класса, память DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB поставляется в картонной коробке. На передней стороне расположены вырезы, через которые можно рассмотреть модули. Сама коробка унифицирована для всей серии комплектов памяти KINGMAX Nano Gaming. Об этом красноречиво свидетельствует приведенный в углу список почти всего модельного ряда этой серии.

У нижнего края расположены пиктограммы, сообщающие, что данная память имеет пожизненную гарантию, совместима с операционной системой MS Windows 7 и имеет поддержку XMP-профилей. Кроме того, здесь же указаны еще логотипы двух фирменных технологий компании KINGMAX Technology – TinyBGA и NANO Thermal Dissipation Tech. С ними мы более детально познакомился чуть позже, когда будем рассматривать архитектуру модулей DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB.

DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS)

Внутри картонной коробки находится пластиковый блистер, в котором надежно зафиксированы два модуля памяти. Такое решение обеспечивает дополнительную защиту от ударов и возможных повреждений при транспортировке. Сверху память DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB закрыта прозрачной пластиной, предохраняющей модули памяти от пробоя статического электричества.

DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS)

Мы привыкли, что на скоростных комплектах памяти всегда присутствуют массивные радиаторы для охлаждения чипов. На модулях памяти DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB таких радиаторов нет. Может закрасться мысль, что производитель просто решил сэкономить на системе охлаждения, но это не так. Охлаждение микросхем здесь присутствует, просто оно реализовано по фирменной технологии NANO Thermal Dissipation Tech, о которой нужно рассказать более подробно.

DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS)

Технология NANO Thermal Dissipation Tech в принципе не нова, она уже и раньше неоднократно использовалась на комплектах памяти серии KINGMAX Hercules, но на таких скоростных модулях применяется впервые. Напомним, что в модельном ряду KINGMAX Nano Gaming присутствуют и более быстрые наборы памяти, работающие на частоте 2400 МГц. Также не будем забывать, что слово «overclocking» указанное на упаковке подразумевает под собой возможность разгона, который в большинстве случаев сопровождается поднятием напряжения питания на модулях памяти. Все это неминуемо ведет к повышению нагрева чипов памяти, с которым призвана бороться технология NANO Thermal Dissipation Tech.

Суть ее заключается в следующем: на охлаждаемую поверхность наносится слой смеси, состоящей из материалов с высокой теплопроводностью, таких как кремний и алмазоподобный углерод. Частицы этих материалов настолько малы, что заполняют все микроскопические неровности поверхности и в результате отбирают тепло на большей площади, чем обычный радиатор. Да и хорошая теплопроводность позитивным образом сказывается на конечной температуре чипов памяти.

По заявлениям компании KINGMAX Technology, с применением технологии NANO Thermal Dissipation Tech отвод тепла от микросхем памяти улучшается на 10%, при этом они на 2⁰С «холоднее», чем при использовании обычных радиаторов.

На практике система охлаждения модулей DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB довольно хорошо справилась со своей задачей. Во время тестирования зафиксированная температура на поверхности микросхемы памяти  не превышала 36,1⁰С. То есть эффективность системы охлаждения действительно соизмерима с эффективностью громоздких алюминиевых радиаторов.

DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS)

Сами модули выполнены на текстолите черного цвета. На каждой стороне распаяно по восемь микросхем памяти. Двухсторонняя компоновка модулей может дать небольшую прибавку в производительности в некоторых приложениях, по сравнению с односторонней. Особенно данный факт будет интересен оверклокерам, для которых любая, пусть даже небольшая, прибавка в производительности может стоить нескольких мест в соревнованиях по разгону.

DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS)

Еще одной характерной особенностью модулей памяти KINGMAX, в том числе и модулей DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB, является использование собственной фирменной технологии упаковки микросхем памяти – TinyBGA. По заявлениям компании, данная технология позволяет использовать чипы меньшего размера с низким энергопотреблением.

Существенным плюсом внедрения технологий NANO Thermal Dissipation Tech и TinyBGA является то, что высота модулей осталась прежней. То есть пользователи могут быть уверены, что память DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB не будет препятствовать установке массивных кулеров для охлаждения процессора.

На обратной стороне радиатора производитель поместил наклейку с техническими характеристиками, из которой можно узнать маркировку – FLK66F-C8KKAA HEIS, эффективную частоту работы – 2200 МГц, объем одного модуля – 4 ГБ. Также напоминается о потере гарантии при удалении данного стикера.

Чтобы узнать более подробные характеристики, обратимся за помощью к специальному программному обеспечению. В нашем случае мы воспользовались программами CPU-Z и AIDA64.

Как видно из представленных скриншотов, в SPD модулей памяти DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB записаны четыре стандартных JEDEC-режима работы: DDR3-666 9-9-9-24 1,5V, DDR3-592 8-8-8-22 1,5V, DDR3-518 7-7-7-19 1,5V, DDR3-444 6-6-6-16 1,5V и один XMP-профиль: DDR3-1100 (2200 МГц) 10-11-10-30 1,6V.

Как и положено для комплекта памяти такого уровня, в SPD записан XMP-профиль, позволяющий задействовать заявленные в технической спецификации эффективные настройки. Это должно упростить жизнь рядовому пользователю, позволяя ему избежать лишнего «копания» в BIOS в поисках необходимых параметров памяти, отвечающих за частоту и задержки (тайминги).

Перед тестированием обозреваемого в этом материале набора памяти DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB, давайте еще раз взглянем на его характеристики. Для наглядности данные сведены в таблицу.

Спецификация:

Производитель и модель

KINGMAX Nano Gaming RAM DDR3-2200 2x4GB

Маркировка модулей

FLK66F-C8KKAA HEIS

Тип памяти

DDR3

Гарантированный эффективный режим работы (реальная частота)

DDR3-2200 (1100 МГц)

Форм-фактор

240 pin U-DIMM

Количество модулей в наборе

2

Объем памяти каждого модуля, ГБ

4

Рекомендуемые режимы работы

DDR3-1100 10-11-10-30 1,6V

Стандартные режимы работы JEDEC

DDR3-666 9-9-9-24 1,5V

DDR3-592 8-8-8-22 1,5V

DDR3-518 7-7-7-19 1,5V

DDR3-444 6-6-6-16 1,5V

Расширенные профили XMP

DDR3-1100 10-11-10-30 1,6V

Расширенные профили EPP

Нет

Дополнительные сертификаты

-

Рабочий диапазон температур, ⁰С

-

Энергопотребление комплекта

-

Высота каждого модуля, мм

30

Сайт производителя

http://www.kingmax.com/

Тестирование производительности

Для проведения тестов мы использовали такую конфигурацию стенда:

Процессор

Intel Core i7-3770K (3,5 ГГц, 8 МБ L3, LGA1155)

Материнские платы

ASUS P8Z77-V PRO/THUNDERBOLT

Кулер

Thermalright SI-128 (LGA775) + VIZO Starlet UVLED120 (62,7 CFM, 31,1 дБ)

Видеокарта

ZOTAC GeForce GTX 480 AMP! (NVIDIA GeForce GTX 480, 1,5 ГБ GDDR5, PCIe 2.0)

Жесткий диск

Hitachi Deskstar HDS721616PLA380 (160 ГБ, 16 МБ, SATA-300)

Оптический привод

ASUS DRW-1814BLT SATA

Блок питания

Seasonic M12II-500 (SS-500GM), 120 мм fan

В качестве оппонента для сравнения был использован еще один оверклокерский набор памяти DDR3-2400 G.Skill TridentX F3-2400C10D-16GTX объемом 16 ГБ (2х8 ГБ). Оба комплекта памяти проходили тестирование в следующих режимах работы:

Модель

Скорость работы, МГц

Набор задержек

KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB

2200

10-11-10-30

2133

10-10-10-30

1866

9-10-9-27

G.Skill TridentX F3-2400C10D-16GTX

2200

10-11-11-28

2133

9-11-10-28

1866

9-9-9-24

Комплект памяти DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB почти во всех тестах продемонстрировал те же результаты, что и его оппонент из лагеря конкурентов. При этом изменение скорости памяти с 1866 МГц до 2200 МГц фактически никак не повлияло на общую производительность системы. Разница наблюдалась лишь в отдельных программах, которые сильно зависят от частоты памяти. Но и в этом случае прирост быстродействия 3-5% нельзя назвать существенным.

В игровых приложениях разница также была почти незаметна. Производительность менялось в пределах 1-2%, что скорее можно списать на погрешность измерений при тестировании.

Разгон

Поскольку производитель позиционирует память серии KINGMAX Nano Gaming как решение не только для геймеров, но также и для оверклокеров, мы решили испытать возможности комплекта DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB в разгоне.

Память DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB без проблем удалось разогнать до скорости 2400 МГц при таймингах 11-11-11-32, что соответствует приросту в 9,1% по сравнению с номинальной частотой. При этом напряжение питания, подаваемое на модули памяти, было установлено на уровне 1,65 В (номинальное значение – 1,60 В). Интересно, что в разгоне температура на поверхности чипов памяти поднялась до отметки 36,6⁰С, что всего лишь на 0,5⁰С больше по сравнению с температурой в номинальном режиме работы.

Из этого можно сделать вывод, что набор памяти DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB имеет довольно неплохой разгонный потенциал. Отметим, что напряжение питания 1,65 В для большинства скоростных наборов памяти является стандартом. Так что у заядлых оверклокеров остается еще большой запас по напряжению питания для экстремального разгона модулей DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB.

Чтобы убедиться в стабильности разгона, было использовано стандартное средство проверки памяти операционной системы Windows 7. После 51-го цикла теста никаких ошибок не выявлено. Из этого можно судить об удачном разгоне и стабильной работе всей системы.

Выводы

DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS)

Комплект памяти DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB (FLK66F-C8KKAA HEIS) произвел на нас довольно хорошее впечатление. Несмотря на то, что он не считается флагманским в серии KINGMAX Nano Gaming, здесь использованы все передовые технологии компании. Естественно, особое внимание привлекает отсутствие громоздких радиаторов на модулях памяти. Вместо них производитель применил систему охлаждения, основанную на фирменной технологии под названием NANO Thermal Dissipation Tech. Она по эффективности не уступает традиционным радиаторам и, в то же время, не увеличивает габариты самих модулей. Последний факт достаточно актуален, поскольку основной проблемой большинства геймерских и оверклокерских наборов памяти является невозможность их одновременного использования с многими моделями процессорных «суперкулеров».

Что касается возможности разгона, то тут набор DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB также продемонстрировал довольно хорошие результаты - 2400 МГц при задержках 11-11-11-32, причем не потребовалось особо «задирать» напряжение питания, подаваемое на модули памяти.

Все это позволяет говорить, что серия KINGMAX Nano Gaming в целом и набор DDR3-2200 KINGMAX Nano Gaming RAM 2x4GB в частности, будут популярны на рынке скоростной оперативной памяти и, благодаря использованию эксклюзивных технологий, предложат пользователям совокупность возможностей, которая отсутствует у решений конкурентов.

[MEDALS]

Тэги: kingmax   nano gaming ram   ddr3   
Читать обзор полностью >>>

Анонс оперативной памяти KINGMAX DDR3 2400 МГц Nano Gaming Ram

Компания KINGMAX расширила линейку высокопроизводительной оперативной памяти Nano Gaming Ram новым 4 ГБ двухканальным набором (2 х 2 ГБ), который функционирует на тактовой частоте 2400 МГц. Как известно, с увеличением тактовой частоты, возрастает температура микросхем, которая может привести к нестабильной работе или выхода их со строя. Для предотвращения этого и улучшения теплоотвода, производители оснащивают оптимизированные модули оперативной памяти системой охлаждения в виде защитного радиатора. Уникальность комплекта KINGMAX DDR3 2400 МГц Nano Gaming Ram состоит именно в дизайне системы охлаждения, которая использует технологию Nano Thermal Dissipation (NTD). Ее суть в том, что каждая микросхема покрыта специальным пластом, который изготовлен из соединений кремния. Толщина этого слоя составляет всего несколько нанометров. Как заявляют представители KINGMAX, этого вполне достаточно для улучшения эффективности теплоотвода на 10%. Данная технология позволяет заменить традиционные радиаторы.

Также отметим, что каждый модуль оперативной памяти KINGMAX DDR3 2400 МГц Nano Gaming Ram оснащен специальным чипом ASIC, который используется для борьбы с контрафактной продукцией. Наличие такой микросхемы свидетельствует о том, что данный модуль относится к оригинальной линейке KINGMAX DDR3 2400 МГц Nano Gaming Ram.

Новинки прошли тестирование на совместимость с платформой Intel P55, продемонстрировав при этом высокий уровень эффективности и стабильности характеристик. Это позволило компании KINGMAX предоставить пожизненную гарантию. Подробная таблица технической спецификации новой оперативной памяти KINGMAX DDR3 2400 МГц Nano Gaming Ram выглядит следующим образом: 

Тип

240-контактные DDR3

Объем, ГБ

4 (2 х 2)

Тактовая частота, МГц

2400

Тайминги

9-11-9-27

Напряжение питания, В

1,65

Ширина полосы пропуска, ГБ/с

19,2

Гарантия

пожизненная

Полученные сертификаты

CE (EU), Intel XMP, RoHS

http://www.tcmagazine.com
http://www.kingmax.com
Сергей Будиловский

Тэги: kingmax   ddr3   nano gaming ram   intel xmp   
Читать новость полностью >>>

nano gaming ram

Выбрать из: Обзоров Новостей
Только в разделе
Искать в найденом тег:
Поиск по сайту
Почтовая рассылка
top10

vote

Голосование