up
ru ua en
menu



ufs

Выбрать из: Обзоров Новостей
Только в разделе
Искать в найденом тег:

Samsung первой представила быстрые и емкие карты памяти стандарта UFS

Долгое время карты памяти формата microSD являлись одним из главных способов расширения постоянной памяти для различных мобильных устройств и фототехники. Однако в марте текущего года ассоциация JEDEC представила финальную версию спецификации Universal Flash Storage (UFS) 1.0 Card Extension Standard, открыв дорогу для карт памяти формата UFS.

Samsung UFS

Первой свое предложение сделала компания Samsung. Серия Samsung UFS включает в себя модели емкостью 32, 64, 128 и 256 ГБ. Кроме большого объема, они могут похвастать впечатляющими показателями производительности. Так, максимальные последовательные скорости чтения и записи достигают в 256-гигабайтной версии 530 и 170 МБ/с. Для сравнения, в среднем для карты памяти microSD UHS-I эти показатели составляют 95 и 85 МБ/с соответственно. Если же взять показатели произвольного чтения и записи, то для Samsung UFS они достигают 40 000 и 35 000 IOPS соответственно, а для microSD UHS-I – лишь 1 800 и 100 IOPS. Более того, новинки поддерживают выполнение нескольких команд благодаря функции очередности, а также позволяют производить одновременное чтение и запись информации.

Конечно, скорость распространения формата UFS в первую очередь зависит от его конечной стоимости и желании производителей мобильных устройств интегрировать его поддержку в свои модели. Поэтому наверняка пройдет еще несколько лет, пока UFS сможет существенно потеснить позиции microSD на рынке.

Сводная таблица технической спецификации карт памяти серии Samsung UFS:

Производитель

Samsung

Формат

UFS

Объем, ГБ

32 / 64 / 128 / 256

Скорость последовательного чтения / записи, МБ/с

530 / 170

Скорость произвольного чтения / записи, IOPS

40 000 / 35 000

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: ufs   samsung   microsd   uhs-i   flash   
Читать новость полностью >>>

Обновление стандартов UFS-накопителей: какие возможности ожидают на пользователей?

Ассоциация JEDEC Solid State Technology обновила ряд стандартов, касающихся UFS-накопителей. В частности, добавлены спецификации JESD220C UFS version 2.1, JESD223C UFSHCI version 2.1, JESD220-1A UFS UME version 1.1 и JESD223-1A UFSHCI UME version 1.1. Все они разработаны с целью повышения производительности, эффективности и защищенности данных в UFS-накопителях. Например, предполагаются следующие изменения:

  • интеграция дискриптора Device Health, который позволяет мониторить показатели «здоровья» накопителя для прогнозирования возможного времени выхода его из строя;
  • расширенные возможности системы Secure Write Protection для защиты накопителя от записи информации;
  • добавление функции Field Firmware Update, предполагающей возможность повышения уровня производительности и интеграцию новых возможностей путем обновления прошивки накопителя;
  • реализация технологии Command priority для повышения уровня производительности благодаря возможности назначения приоритетов различным задачам.

UFS

Напомним, что UFS-накопители активно продвигаются на смену более привычным eMMC-решениям в различных мобильных устройствах: от смартфонов до автомобилей. Новинки характеризуются повышенной производительностью, уменьшенным энергопотреблением и увеличенным набором функциональных возможностей.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: ufs   emmc   
Читать новость полностью >>>

Samsung представила скоростные 256-гигабайтные накопители стандарта UFS 2.0

Компания Samsung сообщила о начале массового производства емких и быстрых твердотельных накопителей стандарта UFS 2.0, которые в первую очередь нацелены на использование в составе мобильных устройств (смартфонов, планшетов и других). Их объем составляет 256 ГБ, что позволяет, например, хранить 47 фильмов в разрешении Full HD.

Samsung UFS 2.0

В основе новых накопителей находятся передовые флэш-микросхемы V-NAND и специально разработанный контроллер. В результате они гарантируют впечатляющие показатели производительности: скорость последовательного чтения достигает 850 МБ/с, а записи – 260 МБ/с. В свою очередь показатели произвольного чтения и записи данных находятся на уровне 45 000 и 40 000 IOPS, что существенно выше 19 000 и 14 000 IOPS, характерных для предыдущей версии стандарта UFS.

Сводная таблица технической спецификации новых твердотельных накопителей компании Samsung:

Производитель

Samsung

Тип

Твердотельный накопитель

Стандарт

UFS 2.0

Используемые микросхемы памяти

V-NAND

Объем, ГБ

256

Максимальная последовательная скорость чтения / записи данных, МБ/с

850 / 260

Максимальная скорость чтения / записи произвольных данных, IOPS

45 000 / 40 000

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   ufs   nand   full hd   v-nand   
Читать новость полностью >>>

Твердотельный накопитель SK hynix UFS 2.0 объемом 64 ГБ в три раза быстрее eMMC 5.1

Появление SSD-накопителей на рынке десктопных систем позволило существенно ускорить производительность компьютеров в целом. Аналогичную роль должны сыграть накопители стандарта UFS 2.0 на рынке мобильных устройств, которые пришли на смену eMMC-решениям.

SK Hynix UFS 2.0

Компания SK hynix анонсировала 64-гигабайтный накопитель стандарта UFS 2.0, который создан на основе собственных 16-нм NAND-микросхем, контроллера и прошивки. Максимальная скорость последовательного чтения данных новинки достигает впечатляющих 780 МБ/с. Скорость последовательной записи информации находится на уровне 160 МБ/с. Показатели произвольного чтения и записи данных составляют 32 000 и 17 000 IOPS соответственно. Таким образом, накопитель SK hynix UFS 2.0 работает в 3 раза быстрее, чем решения стандарта eMMC 5.1.

Для справки. Согласно исследованиям компании IHS Technology, UFS-накопители будут использоваться лишь в 4% мобильных устройств в 2015 году. Речь идет преимущественно о высокопроизводительных смартфонах и планшетах. В 2017 году их доля на рынке составит уже 23%, а в 2019 она достигнет 49%.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: emmc   ufs   nand   sk hynix   
Читать новость полностью >>>

Samsung UFS 2.0 – 128 ГБ чип памяти для высокоскоростного функционирования гаджетов

Компания Samsung объявила о старте производства встраиваемых чипов памяти, объем которых равен 128 ГБ. Речь идет о флеш-памяти, которая базируется на стандарте Universal Flash Storage (UFS) 2.0 и обладает парой важных преимуществ над аналогами.

Samsung UFS 2.0

Новинка имеет высокую скорость передачи данных, а также высокий уровень энергоэффективности. Стандарт UFS 2.0 работает по принципу технологии очереди команд (Command Queuing), которая повышает скорость выполнения команд в SSD через последовательный интерфейс. Таким образом, на выходе мы получаем превосходство новинки над памятью eMMC на уровне 2,7 раза и 2-12 раз – над картами памяти. Уровень IOPS (операции ввода-вывода в секунду) на чтение составляет 19000, а для записи этот показатель равен 14000.

Также сообщается, что наряду с вместительностью в 128 ГБ, встраиваемая UHS 2.0 память будет доступна и в других вариантах: 32 ГБ и 64 ГБ. Этот факт подчеркивает емкость, которая вдвое больше, нежели варианты чипов eMMC. Важно отметить, что память Samsung UFS 2.0 представляет собой решение ePoP (embedded package on package).

Также бытует мнение, что новая память будет присутствовать в ожидаемом устройстве от Samsung – смартфоне Galaxy S6. Так ли это, мы узнаем уже совсем скоро.

http://www.techtree.com
http://betanews.com
Мартынец Мария

Тэги: samsung   ufs   emmc   galaxy   flash   sd   ssd   
Читать новость полностью >>>

Samsung Galaxy S6 может использовать UFS-память

Современные смартфоны и планшеты являются по своей сути теми же компьютерами, только более компактными и с немного разной функциональностью. Но если смотреть на них в разрезе повышения уровня производительности, то никаких различий нет: общий уровень зависит от результатов составляющих отдельных компонентов (процессора, графической подсистемы, оперативной и постоянной памяти и т.д.).

Поэтому производители мобильных устройств не только желают использовать более скоростные процессоры, но и разрабатывают способы повышения быстродействия других компонентов. В данном случае речь пойдет о постоянной памяти. Сейчас очень популярными являются встроенные флэш-накопители на основе eMMC-чипов. Однако компания Samsung вскоре может перейти на микросхемы стандарта Universal Flash Storage (UFS) 2.0.

Samsung UFS

Согласно исследованиям, они в три раза быстрее eMMC-чипов. Скорость передачи данных в UFS-микросхемах достигает 1,2 ГБ/с (9,6 Гбит/с). В то же время потребляемая мощность технологии UFS 2.0 составляет лишь половину от аналогичного показателя в микросхемах eMMC 5.0. То есть переход на новую технологию повысит производительность и снизит нагрузку на аккумулятор, что очень важно в мобильных устройствах.

Согласно неофициальной информации, компания Samsung уже в ближайшие недели начнет массовое производство NAND-микросхем по технологии UFS 2.0, поэтому вполне возможно, что в смартфоне Samsung Galaxy S6 будут использоваться именно они в качестве внутреннего накопителя.

Отметим, что компании Nokia, Micron, Toshiba и SK Hynix также задействованы в процессе разработки этого стандарта, поэтому вскоре мы можем увидеть UFS-микросхемы и в составе мобильных аппаратов других производителей.

http://www.gsmarena.com
Сергей Будиловский

Тэги: hynix   emmc   flash   galaxy   toshiba   samsung   ufs   
Читать новость полностью >>>

ufs

Выбрать из: Обзоров Новостей
Только в разделе
Искать в найденом тег:
Поиск по сайту
Почтовая рассылка
top10

vote

Голосование



Seagate-IronWolf.gif