up
ru ua en
menu



z-nand

Выбрать из: Обзоров Новостей
Только в разделе
Искать в найденом тег:

SK hynix представила 72-слойную микросхему памяти 3D NAND TLC

В последнее время на рынке памяти мы наблюдаем множество новшеств. Сначала Intel запустила технологию 3D XPoint, Samsung на это ответила релизом Z-NAND, а теперь SK hynix представляет первую в отрасли 72-слойную 256-гигабитную микросхему флэш-памяти 3D NAND TLC. Увеличив количество слоев до 72-х, удалось поместить в них в 1,5 раза больше ячеек, чем на предыдущих 48-слойных чипах SK hynix 3D NAND.

3D NAND TLC

Один 256-гигабитный чип 3D NAND может предоставлять 32 ГБ памяти – существенное обновление по сравнению с 48-слойными 3D NAND, которые находятся в массовом производстве только с ноября 2016 года. Согласно информации от SK hynix, переход на 72 слоя дает прирост производительности около 30%, что достигается за счет размещения на чипе большего количества ячеек.

Вице-президент SK hynix, Джон Хо Ким, сообщил, что обновленная флэш-память 3D NAND TLC будет запущена в массовое производство во второй половине 2017 года, и компания планирует расширить ее применение в устройствах SSD и смартфонах.

http://kitguru.net
Юрий Коваль

Тэги: sk hynix   nand   3d   tlc   3d xpoint   z-nand   samsung   ssd   intel   
Читать новость полностью >>>

Samsung Z-NAND – ответ на 3D XPoint

В то время как Intel начинает активно продвигать технологию 3D XPoint на рынке флэш-накопителей, компания Samsung решила ответить релизом Z-NAND. Этот стандарт позиционируется в качестве эволюции традиционных NAND-микросхем, улучшая их надежность, масштабируемость и снижая их стоимость.

Samsung Z-SSD

Первое использование чипов Z-NAND мы увидим в серии твердотельных накопителей Samsung Z-SSD, ориентированных на использование в промышленной и корпоративной среде. Новинки созданы в формате карт расширения с интерфейсом PCI Express x4 и доступны в объеме 800 ГБ, хотя в последствии планируется выход на рынок моделей емкостью 1, 2 и 4 ТБ. Ключевое улучшение по сравнению с традиционными NAND PCIe-накопителями заключается в уменьшении задержек минимум на 70% и существенному повышению последовательной скорости чтения и записи (до 3200 МБ/с). А вот скорости произвольного чтения и записи уже не такие высокие по сравнению с обычными NVMe-накопителями – 750 000 и 160 000 IOPS соответственно. Стоимость новинок пока не сообщается.

Samsung Z-SSD

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: nand   samsung   ssd   3d xpoint   pci express   intel   nvme   z-nand   
Читать новость полностью >>>

z-nand

Выбрать из: Обзоров Новостей
Только в разделе
Искать в найденом тег:
Поиск по сайту
Почтовая рассылка
top10

vote

Голосование



Seagate-BarraCuda-Pro.gif