Поиск по сайту

up

В области новых технологий. Выпуск 15

20-04-2008

Раскрываем интересные моменты нашей техножизни, которые на сегодняшний день уже свершились: переход к другим материалам, совершенствование OLED-технологии, успехи полупроводниковых компаний в рамках новых технологических достижений, что предоставляет нам новые возможности, новые техноподходы к реализации и оптимизации задуманного.

Довольно интересные новинки на основе OLED-технологии появились в области дисплеестроения. Компания Sony представила свои новые решения по изготовлению дисплеев на основе органических светодиодов, причем основной акцент в этом случае сделан именно на толщине OLED-панелей, и здесь японские инженеры установили новый рекорд – публике показаны 3,5-дюймовая «органическая» панель и 11-дюймовый OLED-дисплей, толщина которых составляет всего 0,2 мм и 0,3 мм соответственно.

На сегодняшний день это самый лучший результат, а предыдущий рекорд был установлен компанией Samsung, изготовившей 4-дюймовую панель толщиной 0,25 мм.

Новые дисплеи поддерживают разрешения 320 x 220 и 960 x 540 пикселей, но на текущий момент это вся доступная техническая информация относительно показанных устройств. Для сравнения скажем, что выпущенные в декабре 2007 года телевизионные системы XEL-1 оснащались органической матрицей толщиной 1,4 мм, и снижение этого параметра сразу в пять раз можно назвать выдающимся достижением инженеров-разработчиков и технологов.

Компьютерная графика. Интересно отметить, что первый процессор, изготовленный по 55-нм для настольной графики, от NVIDIA выйдет наконец-то в массы. Компания планирует в скором времени перейти на изготовление всех своих графических процессоров по 55-нм технологическому процессу, что позволит повысить качество продукции: снизить стоимость изготовления микросхем, снизить потребляемую мощность, а также несколько увеличить рабочие частоты, подняв тем самым производительность адаптеров. Первым же процессором для «настольных» видеокарт, который будет изготовляться по 55-нм нормам, станет GeForce 9800 GT.

Видеокарты GeForce 9800 GT будут основаны на процессоре с названием G92b, при этом ориентировочной датой выхода этих устройств на мировой рынок станет июль текущего года, одновременно с появлением видеокарт серии GeForce 9900. Сообщается, что модель GeForce 9800 GT получит поддержку технологии Hybrid Power, смысл которой заключается в возможности снижения потребляемой мощности компьютера путем отключения дискретного адаптера, и переключение на использование менее «прожорливого» интегрированного видео, в моменты, когда нет необходимости в высокой производительности видеосистемы. Это пока вся доступная к данному моменту информация о характеристиках процессоров GeForce 9800 GT на ядре G92b, более подробные сведения должны появиться ближе к дате выхода продукта в продажу.

NVIDIA GeForce 9800GX2

А в настоящее время корпорация NVIDIA представила потребителям лишь три видеокарты последнего, девятого поколения: 9800 GTX, 9800GX2 и 9600 GT, о которых мы уже писали ранее, а теперь поступила информация о новых представителях 9-й серии. В мае ожидается видеокарта GeForce 9600 GSO, которая будет конкурировать с AMD Radeon HD 3830 на базе RV670. Выполнена новинка на базе графического процессора G92, который будет обновлен до G92b, на базе которого во второй половине текущего года появится и видеокарта GeForce 9900. Видеокарта будет оснащена все той же памятью GDDR3 объемом 384 MB, что и GeForce 8800 GS , но есть один нюанс. NVIDIA предоставит производителям видеокарт полную свободу в выборе частот и систем охлаждения, так что следует ожидать много разнообразных вариантов или даже целые семейства 9600 GSO.

Не забыл ведущий производитель и о ноутбуках, которые также получат просто поразительное количество «мобильных версий» дискретных видеокарт, в названии которых будет присутствовать приставка «М», с 55-нм графическими процессорами G92, G94, G96 и G98. Это будут модели 9200, 9300, 9400, 9500, 9600, 9650, 9700 и 9800. Как обычно, будут присутствовать модифицированные версии некоторых видеокарт: GeForce 9800M GTS и GeForce 9800M GT, построены на базе GPU G94b. Объем оперативной памяти GDDR3 для них составит 1 Гб. А в основе GeForce 9650M GT будет лежать чип G96b.

Уже доступен высокоскоростной сопроцессор для обработки видео Toshiba SpursEngine, начались поставки единичных экземпляров SpursEngine SE1000. Отметим, что устройства, основанные на процессорах Cell Broadband Engine (Cell/BE) с рабочей частотой 1,5 ГГц и характеризующиеся потребляемой мощностью 10-20 Вт, представляют собой мощные решения для обработки видеоконтента MPEG-2 и H.264, при этом производительность адаптеров составляет впечатляющее значение в 48 Гфлопс. Адаптеры оснащаются 128 Мб памяти стандарта XDR, при этом пропускная способность подсистемы памяти составляет 12,8 Гб/с.

Интересны разработки компании S3 Graphics, которая показала бюджетный 4300Е на конференции Embedded Systems Conference. Старейший производитель видеокарт, неожиданно предложил дешевую производительную продукцию – интегрированный графический процессор Graphics 4300E, изготовленный с использованием 65-нм техпроцесса, работой на частоте от 300 МГц до 600МГц (конкурент AMD использует частоты до 500 МГц, но разгоняется до 850 МГц).

IGP может работать с памятью DDR2 и DDR3 объемом до 256 Мб, включает контроллер PCI Express 2.0 с шириной шины x1, x4, x8, и x16 линий с поддержкой PCI Express ASPM для еще большего снижения энергопотребления. S3 Graphics 4300E оснащен трансмиттерами dual-link DVI/HDMI с HDCP и двухканальным LVDS с поддержкой широкоэкранных дисплеев высокого разрешения, а также двумя аналоговыми RAMDACS для совместимости с ЭЛТ дисплеями. Независимый поворот изображений (90, 180, 270 градусов) с ускорением 2D, 3D, и HD полностью обеспечивается дисплейным конвейером. S3 Graphics 4300E полностью совместим с Windows XP, XPe, CE и драйверы имеют WHQL сертификат для Windows Vista SP1.

Созданный в прошлом году альянс компаний-производителей полупроводниковой продукции возглавляемый IBM, о котором мы сообщали, совместными усилиями освоил и внедрил 32-нм техпроцесс в массовое производство, что позволило каждому из участников (IBM, Toshiba, AMD, Samsung, Chartered, Infineon и Freescale)  такого сотрудничества уменьшить расходы. Итак,  коалиция IBM создала первый 32-нм микропроцессор с использованием технологии high-k/metal gate.

Пластина с новыми микропроцессорами

Технология high-k/metal gate подразумевает замену диоксида кремния при изготовлении электрода затвора транзистора сплавом на основе гафния, который является хорошим диэлектриком. Используемая сегодня кремниевая технология исчерпала свой потенциал по уменьшению размеров транзисторов. Производительность нового процессора IBM и Ко на 35% выше, чем у продукции по 45-нм нормам, а энергопотребление при работе на одинаковом напряжении ниже на 30-50%.

Кстати, в свое время корпорация Intel не захотела принимать участие в альянсе, потому что посчитала, что ее собственного научно-технического потенциала вполне хватит, чтобы самостоятельно освоить 32-нм техпроцесс и заменить недавно выпущенные в массовое производство 45-нм процессоры. Пока Intel  «тормозит», альянс рассчитывает уже в третьем квартале 2008 года запустить 32-нм процессоры в продажу, и это может стать неплохим козырем для AMD. Результаты опытов IBM в процессе создания нового процессора, показали, что технология high-k/metal gate может быть использована при создании следующего поколения чипов, которые будут производиться по 22-нм техпроцессу. Альянс полон оптимизма и не скрывает, что рады работать друг с другом. В планах совместных разработок создание 22-нм технологического процесса, на который в 2011 году планирует перейти корпорация Intel. IBM часто работает в тандеме с другими компаниями, например, недавно в Албании IBM и AMD добились создания технологии полномасштабной гравировки микрочипа при помощи дальнего ультрафиолета.

Разработан новый тип памяти «racetrack memory» (память с беговой дорожкой), которая оперирует в трех измерениях. Инженеры из IBM создают прототип на основе нового метода хранения данных с использованием спинтроники (spintronics). Данные хранятся не в ячейках, а в намагниченных U-образных нанотрубках, которые расположены перпендикулярно поверхности чипа.

Информация может записываться или читаться в основании трубок, что происходит менее, чем за одну наносекунду, а на ее концах хранятся оперативные данные. Согласно изображению, видим правее считывание (Reading) при помощи магниторезистивного датчика, а запись (Writing) под действием поля поперечного проводника. При этом биты, «записанные в проволоку», могут перемещаться по ней вперед и назад под воздействием приложенного электрического тока. Всего в такую нанопроволоку могут уместиться тысячи бит. Сама же микросхема памяти состоит из множества U-образных «проволок», расположенных рядом друг с другом, и выполнена из пермаллоя и имеет 200 нм в диаметре. Новинка обладает в 100 раз большей емкостью по сравнению с современными носителями данных, а запись информации происходит в 100 тыс. раз быстрее.

Технология позволяет создавать МР3-плееры с возможностью хранения нескольких терабайт данных. При этом цена не превысит мыслимые пределы! Звучит, как фантастика, однако, IBM уверена, что коммерческие продукты с использованием спинтроники могут появиться в течение 10 лет. Основное отличие нового метода от существующих технологий – вместо магнитного заряда для записи информации используют спин электронов, новинка не имеет подвижных частей, как жесткие диски, и практически не изнашивается, как флэш-память. Правда, у нее пока есть и недостатки – высокий нагрев.

Более подробно описание технологии опубликовано в двух выпусках журнала Science и на недавно прошедшем официальном пресс-релизе IBM, а здесь можно посмотреть видеосюжет о новинке.

Ученые из Испании немного изменили будущее электроники, объединив вместе молекулы фуллерена в «жемчужные» нити, вследствие чего получили полимер с уникальными электронными свойствами.

Фуллерен

Важным событием является разработка материала, состоящего из сложного набора связанных колец. Мономер был получен путем модификации гетероциклического соединения TTF (tetrathiafulvalene, C6H4S4), в результате чего получилась ароматическая структура, способная удерживать фуллерены внутри полостей и выстраивать их в ряды. Длина полученных цепей достигала 300 нм, а ширина составляла 2 нм. Это в 5 миллионов раз меньше, чем настоящее жемчужное ожерелье.

Сами фуллерены имеют замечательные электронные свойства, однако реализовать их на практике довольно трудно, поэтому их объединение позволило решить данную проблему. Новый полимер объединяет их в единый материал, который может использоваться, например, в органических солнечных батареях. Кроме того, этот электроактивный полимер может выступать как в роли донора, так и акцептора электронов. Такая особенность новой структуры достаточно перспективна.

Переходим к источникам питания. Для портативных устройств создано несколько рабочих прототипов миниатюрных элементов питания компанией MTI Micro, которые позволяют устройству работать в два раза дольше, по сравнению с обычными литий-ионными элементами, при времени перезарядки в несколько минут.

Суть данной технологии во взаимодействии внутри устройства метанола и кислорода под действием катализатора, вследствие этой реакции выделяется необходимая энергия, а также углекислый газ и вода (побочный продукт производитель обещает утилизировать). К сожалению, цена таких элементов питания будет изначально более высокой по сравнению с электрическими батареями.

Что ж, новые технологии в компьютерном мире являются бесконечно пополняемой и интересной темой, которая постоянно будоражит воображение людей, заставляя заниматься поиском нового подхода к рационализации современной жизни.

Автор: Анна Смирнова

Основные источники:
VR-Zone
hwp.ru
IBM
Science
CNews.ru
Тechlabs.ru

Статья прочитана раз(а)
Опубликовано : 20-04-2008
Подписаться на наши каналы
telegram YouTube facebook Instagram