Стали известны характеристики SSD Samsung SZ985 на основе флэш-памяти Z-NAND
Компания Samsung обнародовала техническую документацию с окончательными характеристиками твердотельного накопителя Samsung SZ985 емкостью 800 ГБ, основанного на флэш-памяти Z-NAND. Изначально новинка ориентируется на коммерческий рынок, где должна составить конкуренцию SSD Intel Optane c типом памяти 3D XPoint, однако вскоре подобные продукты выйдут и для массового пользовательского сегмента. Для подключения она использует интерфейс PCI Express 3.0 x4.
Если говорить о скоростных показателях Samsung SZ985, то для последовательного чтения и записи данных они достигают 3,2 ГБ/с, а скорость работы с произвольными блоками объемом 4 КБ составляет 750 000 и 170 000 IOPS для чтения и записи. У Intel Optane они находятся на уровне 2,4 / 2 ГБ/с и 550 000 / 500 000 IOPS соответственно. Показатель выносливости SSD заявлен на отметке 30 DWPD (количество полной перезаписи накопителя за день в течении гарантийного периода), что эквивалентно результату ключевого конкурента.
По стоимости и дате поступления в продажу твердотельного накопителя Samsung SZ985 какая-либо информация пока отсутствует.
Читать новость полностью >>>Релиз 750-ГБ версии твердотельного накопителя Intel Optane SSD DC P4800X
Твердотельный накопитель Intel Optane SSD DC P4800X, который ранее был доступен в объеме 375 ГБ, получил новую модификацию с емкостью 750 ГБ. Эти SSD рассчитаны на использование в промышленности, дата-центрах и облачных хранилищах, а главной их особенностью является применение нового типа постоянной памяти – 3D XPoint.
Новинка будет доступна в двух форм-факторах – в виде карты расширения PCI Express и 2,5” устройства с разъемом U.2. Скоростные показатели последовательного чтения и записи данных будут сопоставимы с младшей моделью – 2400 и 2000 МБ/с соответственно, как и скорость работы с произвольными блоками объемом 4 КБ – 550 000 и 500 000 IOPS для чтения и записи.
Стоимость 750-ГБ Intel Optane SSD DC P4800X достигает €3000, а в будущем планируется выпуск модели емкостью 1,5 ТБ.
Читать новость полностью >>>SK hynix представила 72-слойную микросхему памяти 3D NAND TLC
В последнее время на рынке памяти мы наблюдаем множество новшеств. Сначала Intel запустила технологию 3D XPoint, Samsung на это ответила релизом Z-NAND, а теперь SK hynix представляет первую в отрасли 72-слойную 256-гигабитную микросхему флэш-памяти 3D NAND TLC. Увеличив количество слоев до 72-х, удалось поместить в них в 1,5 раза больше ячеек, чем на предыдущих 48-слойных чипах SK hynix 3D NAND.
Один 256-гигабитный чип 3D NAND может предоставлять 32 ГБ памяти – существенное обновление по сравнению с 48-слойными 3D NAND, которые находятся в массовом производстве только с ноября 2016 года. Согласно информации от SK hynix, переход на 72 слоя дает прирост производительности около 30%, что достигается за счет размещения на чипе большего количества ячеек.
Вице-президент SK hynix, Джон Хо Ким, сообщил, что обновленная флэш-память 3D NAND TLC будет запущена в массовое производство во второй половине 2017 года, и компания планирует расширить ее применение в устройствах SSD и смартфонах.
http://kitguru.net
Юрий Коваль
Samsung Z-NAND – ответ на 3D XPoint
В то время как Intel начинает активно продвигать технологию 3D XPoint на рынке флэш-накопителей, компания Samsung решила ответить релизом Z-NAND. Этот стандарт позиционируется в качестве эволюции традиционных NAND-микросхем, улучшая их надежность, масштабируемость и снижая их стоимость.
Первое использование чипов Z-NAND мы увидим в серии твердотельных накопителей Samsung Z-SSD, ориентированных на использование в промышленной и корпоративной среде. Новинки созданы в формате карт расширения с интерфейсом PCI Express x4 и доступны в объеме 800 ГБ, хотя в последствии планируется выход на рынок моделей емкостью 1, 2 и 4 ТБ. Ключевое улучшение по сравнению с традиционными NAND PCIe-накопителями заключается в уменьшении задержек минимум на 70% и существенному повышению последовательной скорости чтения и записи (до 3200 МБ/с). А вот скорости произвольного чтения и записи уже не такие высокие по сравнению с обычными NVMe-накопителями – 750 000 и 160 000 IOPS соответственно. Стоимость новинок пока не сообщается.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Накопитель Intel Optane DC P4800X SSD поражает показателем TBW
Компании Intel и Micron совместными усилиями разработали новый тип постоянной памяти – 3D XPoint, и намерены независимо продвигать его на рынке. Intel для этого будет использовать бренд Optane. Уже в скором времени она готовится представить первые готовые продукты на базе 3D XPoint. Одним из них станет накопитель Optane DC P4800X SSD, технические параметры которого просочились в интернет.
Новинка изготовлена в формате карты расширения половинной высоты (half-height) для использования в дата-центрах. Она поддерживает интерфейс PCI Express 3.0 x4 и будет доступна в объеме 375 ГБ. Максимальные скорости последовательного чтения и записи данных заявлены на уровне 2400 и 2000 МБ/с – показатели высокие, но не рекордные. Работа с произвольными блоками объемом 4 КБ будет осуществляться при скорости 550 000 и 500 000 IOPS для чтения и записи соответственно, что выше конкурентных MLC-моделей.
Однако наиболее поразительной является выносливость Optane DC P4800X SSD: показатель TBW достигает 12 300 ТБ, то есть новинка выдерживает 30 полных перезаписей в день (DWPD) в течение 3 лет. Это недостижимый уровень даже для самой надежной SLC-памяти.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Первые клиентские SSD линейки Intel Optane появятся в конце текущего года
Согласно новой дорожной карте накопителей для пользовательских систем, уже в четвертом квартале текущего года компания Intel планирует вывести на рынок свою революционную технологию 3D XPoint, которую она разработала совместно с Micron.
Первой на рынке появится серия памяти с кодовым названием «Stony Beach» в форм-факторе M.2 с интерфейсом PCIe/NVMe Gen3 x2. Она будет нацелена на системных интеграторов, поэтому ее решения мы увидим в составе готовых систем. Ближе к концу 2016 года дебютирует серия SSD «Mansion Beach», ориентированная на энтузиастов и рабочие станции. Ее модели будут использовать интерфейс PCIe/NVMe Gen3 x4. А в начале 2017 года в сегмент высокопроизводительных компьютеров придут SSD серии «Brighton Beach» с интерфейсом PCIe/NVMe Gen3 x2.
В более длительной перспективе трем этим линейкам уже готовятся преемники. В частности, серия «Carson Beach» заменит «Stony Beach» и «Brighton Beach», а «Mansion Beach Refresh» придет на смену «Mansion Beach». Любопытно, что серия «Stony Beach» включает в себя модели в BGA-исполнении, то есть сами накопители могут быть распаяны непосредственно на материнской плате.
http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
IDF: Intel Optane SSD передает информацию на скорости до 2 ГБ/с
Китайский рынок очень важен для Intel, поэтому она регулярно проводит там выставку IDF, демонстрируя свои новые продукты. В этот раз одной из ключевых новинок стал твердотельный накопитель серии Intel Optane SSD, а точнее – ранний инженерный образец этого продукта, финальные версии которого должны выйти на рынок до конца текущего года.
Для демонстрации возможностей Intel Optane SSD были собраны две системы, которые отличались лишь используемыми накопителями. В первую был установлен обычный SSD на основе NAND флэш-памяти, а во вторую – Intel Optane SSD, который базируется на технологии 3D XPoint. Оба накопителя были подключены с помощью интерфейса Thunderbolt 3. Задание перед системами было довольно простое – скопировать файл объемом 25 ГБ. Скорость копирования в первом случае составила 284 МБ/с, а во втором – 1,94 ГБ/с, то есть Intel Optane SSD понадобилось менее 15 секунд для успешного выполнения задания.
Также компания Intel сообщила, что использование стековой структуры открывает возможность создания твердотельных дисков объемом 15 ТБ. Однако конкретные сроки появления подобных новинок не оговаривались.
http://www.guru3d.com
Сергей Будиловский
Демонстрация возможностей SSD Intel Optane и Intel Optane DIMM на основе технологии 3D XPoint
Технология флэш-памяти 3D XPoint, которая была разработана совместными усилиями компаний Intel и Micron в качестве следующего поколения NAND-микросхем, приближается к своему коммерческому дебюту в виде SSD-накопителей серии Intel Optane. Они появятся на рынке уже в 2016 году, поэтому компания Intel использует все доступные возможности для их популяризации.
Поскольку в первую очередь они нацелены на рынок серверных систем, то конференция Oracle OpenWorld как нельзя лучше подходит для демонстрации их возможностей. Для этого компания Intel использовала два практически идентичных по характеристикам 1U-сервера серии Oracle X5-2. В первом был установлен накопителей Intel Optane, а во втором – высокоскоростной SSD с интерфейсом NVMe. Результаты весьма красноречивы: новинка продемонстрировала максимум 7-кратное преимущество при произвольном доступе к данным и 8-кратный перевес в задержках доступа к информации.
Эти показатели позволили Intel создать еще один интересный продукт – SSD в формате DIMM-модуля для прямого обмена данными с процессором через встроенный контроллер. По словам генерального директора Intel Брайна Кржанича (Brian Krzanich), SSD Intel Optane DIMM по своим характеристикам ближе подошли к уровню производительности DRAM-памяти, чем любые другие накопители. Благодаря этому компании могут существенно ускорить операции с базами данных, которые помещаются в оперативную память в процессе работы. Для этого необходимо просто установить Intel Optane DIMM в свободные слоты на материнской плате и использовать их наравне с обычной ОЗУ.
http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
HP и SanDisk совместно разрабатывают SCM-накопители
Компании Hewlett Packard (HP) и SanDisk Corporation анонсировали сотрудничество в разработке нового типа накопителей − Storage Class Memory (SCM), которые ориентировочно в 1000 раз быстрее и в 1000 раз долговечнее традиционной флэш-памяти. Также они позволят существенно сократить производственные затраты и уровень энергопотребления. В первую очередь SCM-накопители будут ориентированы на серверные системы для быстрой обработки больших объемов данных.
Отметим, что обе компании имеют собственные наработки в этой сфере. HP работала над технологией Memristor, а SanDisk разрабатывала технологию ReRAM. Именно объединения этих наработок и лежит в основе SCM SSD-накопителей.
Конечные сроки создания готового образца пока не уточняются. Однако у этого альянса есть уже не менее сильные конкуренты в виде союза Intel и Micron, которые с помощью технологии 3D XPoint планируют уже до конца текущего года получить первые образцы нового поколения накопителей с аналогичными характеристиками.
http://www.myce.com
http://www.businesswire.com
Сергей Будиловский
Seagate: первые HDD с технологией HAMR будут иметь емкость 4 ТБ
Производители твердотельных накопителей планомерно уменьшают конечную стоимость своих продуктов и повышают их объем. Например, компания Samsung недавно представила 256-гигабитные 3D V-NAND-микросхемы, с помощью которых можно построить 4-терабайтные SSD-диски в традиционном 2,5-дюймовом форм-факторе. Intel и Micron пошли еще дальше, создав технологию 3D XPoint, которая повышает теоретическую плотность хранения данных в 100 раз по сравнению с текущими решениями.
В противовес этим усилиям консорциум ASTC (Advanced Storage Technology Consortium) разработал свой график повышения емкости HDD-накопителей, согласно которому до 2025 года этот показатель должен достичь 100 ТБ. Компания Seagate, как один из влиятельных членов ASTC, активно трудится для реализации данного замысла. В данный момент происходит освоение технологии HAMR (Heat-assisted magnetic recording).
Суть ее работы состоит в предварительном нагреве магнитной поверхности диска до 450°С с помощью лазера. Длина его волны составляет 810 нм, а мощность – 20 мВт. Это позволяет на 50% увеличить показатель плотности записи данных (до 1,5 Тбит/дюйм2). Однако в данный момент головки с лазером немного толще обычных, поэтому дистанция между пластинами больше, чем в обычных HDD. В результате меньшее количество пластин можно разместить в стандартном корпусе. Поэтому емкость первых тестовых образцов HDD-накопителей с применением технологии HAMR составляет всего 4 ТБ.
Финальные образцы будут созданы в конце 2016 или начале 2017 года. Они будут отправлены выбранным клиентам на тестирование в реальных условиях. Коммерческие поставки ожидаются уже в 2018 году. В первую очередь новые диски будут доступны для больших дата-центров и облачных хранилищ, а уже потом появятся и для рынка массовых пользователей.
http://www.kitguru.net
Сергей Будиловский
Быстрые и надежные SSD-диски с технологией Intel Optane появятся в 2016 году
Совсем недавно компании Intel и Micron сообщили о значительном прорыве в области создания энергонезависимой памяти, назвав новую технологию 3D XPoint. В рамках же выставки IDF 2015 в Сан-Франциско компания Intel раскрыла собственные планы на ее коммерческое использование, которое начнется уже в 2016 году под названием «Intel Optane».
В состав технологии Intel Optane войдет не только 3D XPoint, но и фирменный контроллер памяти, аппаратный интерфейс и программные компоненты. То есть Intel Optane объединит в себе весь набор необходимых решений для создания нового поколения твердотельных дисков с высокой производительностью и надежностью. Более того, на основе технологии Intel Optane будет создана серия энергонезависимой памяти Intel DIMM, которая предназначена для использования в новых платформах для дата-центров.
В рамках IDF 2015 компания Intel также продемонстрировала первые результаты производительности прототипа нового SSD-диска, построенного на основе технологии Intel Optane. В качестве оппонента выступил высокопроизводительный SSD Intel P3700 с интерфейсом PCI Express 3.0 x4. Оба устройства были протестированы в бенчмарке IOMeter с параметром глубины очереди 8 и 1 (Queue Depth 8 и Queue Depth 1). Результаты приятно радуют: Intel Optane SSD достиг показателей 401 000 и 76 600 IOPS, а его конкурент – 77 000 и 10 600 IOPS соответственно.
http://www.myce.com
http://newsroom.intel.com
Сергей Будиловский
Intel и Micron сообщают о прорыве в вопросе хранения данных
Компании Intel и Micron презентовали совместную технологию 3D XPoint, которую они скромно назвали технологичным прорывом в области постоянной памяти, сравнив с изобретением NAND-памяти в 1989 году.
Сообщается, что построенные на базе 3D XPoint накопители сочетают в себе высокий уровень производительности (в 1000 раз быстрее, чем NAND), надежности (в 1000 раз) и плотности хранения (в 100 раз), а также низкое энергопотребление и доступную стоимость.
Технология 3D XPoint предполагает использование инновационной крестообразной трехмерной архитектуры, в которой ячейки памяти размещены на пересечении линий битов и слов, что позволяет индивидуально обратиться к любой ячейке. В результате можно быстрее записывать и считывать нужные данные, что существенно ускоряет обмен информацией.
Первые устройства на основе технологии 3D XPoint будут доступны в качестве тестовых образцов уже до конца этого года. Компании Intel и Micron будут разрабатывать собственные продукты на ее основе.
http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
