up
ru ua
menu

gecid-ru-160x600px-06-2019.gif


600x90_Banner_CK550_Aggressive_Marketing_001.jpg

ddr5

Выбрать из: Обзоров Новостей
Только в разделе
Искать в найденом тег:

Память DDR5 появится уже в этом году

В рамках International Solid-State Circuits Conference компании SK Hynix и Samsung поделились планами касательно выпуска на рынок DDR5-памяти. Презентация первой сконцентрировалась на 16-гигабитном чипе, произведенном на базе 1y-nm процессе с площадью 76,22 мм2. Он работает при напряжении 1,1 В с пропускной способностью 6,4 Гбит/с на каждый контакт. Эта микросхема ляжет в основу десктопных модулей памяти.

DDR5

В свою очередь Samsung сконцентрировалась на мобильном стандарте LPDDR5. Ее чипы произведены на базе 10-нм технологии и обладают пропускной способностью 7,5 Гбит/с на контакт при рабочем напряжении 1,05 В.

Обе компании обещают уже до конца 2019 года представить первые образцы готовой продукции. SK Hynix прогнозирует, что к 2021 году стандарт DDR5 займет 25% рынка, а к 2022 – 44%.

https://www.tomshardware.com
Сергей Будиловский

Тэги: ddr5   samsung   sk hynix   lpddr5   
Читать новость полностью >>>

Не покупайте сейчас ОЗУ: в ближайшие месяцы стоимость снизится

На днях аналитики изменили свой прогноз цены чипов NAND Flash-памяти и спрогнозировали рост их стоимости уже во втором квартале текущего года. Ревизии подверглась и ситуация на рынке оперативной памяти (DRAM). Если вначале аналитики компании TrendForce ожидали падения контрактных цен лишь на серверную DRAM-память, то теперь снижение прогнозируется и для массового пользовательского сегмента. Этому способствует перенасыщение рынка и более низкий спрос, чем изначально предполагалось.

DRAM

В результате в первом квартале цены должны упасть на 20%, и еще на 15% они снизятся во втором. Всего же по итогам года стоимость должна уменьшиться на 50%. После этого повышения цен не предвидится, ведь на сцену в 2020 году выйдет стандарт DDR5, и именно он постепенно займет лидирующие позиции в мейнстрим-сегменте.

Таким образом, если вы планировали покупку SSD и ОЗУ, то лучше сейчас возьмите твердотельник побольше, а оперативную память можно будет купить в середине года, когда ее цена будет ниже.

https://www.notebookcheck.net
Сергей Будиловский

Тэги: dram   nand   ddr5   
Читать новость полностью >>>

Cadence и Micron представили первый модуль оперативной памяти DDR5-4400

В данный момент на рынке оперативной памяти доминируют стандарты DDR4 и LPDDR4, но подобная ситуация продлиться не долго. Уже летом текущего года организация JEDEC представит финальную версию спецификации DDR5, официально запустив таким образом старт новой эпохи.

Предвестниками эры DDR5-памяти стали компании Cadence и Micron, которые совместными усилиями создали готовый образец нового модуля. Cadence разработала контроллер, а Micron – 8-гигабитные чипы, построенные на базе передового 7-нм техпроцесса на фабрике компании TSMC.

Cadence Micron DDR5

Созданный модуль DDR5-4400 обеспечивает пересылку данных со скоростью 4400 МT/s (мегатранзакции в секунду), что на 37,5% выше показателей самых быстрых DDR4-планок, присутствующих на рынке. Cadence рассчитывает, что DDR5-4400 станет одним из утвержденных JEDEC стандартов, причем одним из самых медленных, ведь в топе будет спецификация DDR5-6400.

Однако не скоростные показатели являются главной инновацией DDR5, а объем. Используемые в тестовом образце 8-гигабитные микросхемы характеризуются очень высоким CAS-таймингом – 42. При этом рабочее напряжение составляет всего 1,1 В. В будущем же на рынке появятся микросхемы емкостью 16 Гбит (2 ГБ) и 32 Гбит (4 ГБ) с вертикальной стековой структурой. Это решит сразу несколько задач: повысит общий объем модулей и снизит задержки доступа к данным.

Cadence Micron DDR5

Ожидается, что первые планки DDR5 появятся в следующем году в сегменте серверных систем, но по-настоящему весомые позиции этот стандарт приобретет лишь в 2021-2022 годах за счет сокращения позиций DDR4-памяти.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: micron   ddr5   ddr4   jedec   lpddr4   cadence   
Читать новость полностью >>>

Стандарты памяти HBM3 и DDR5 обещают удвоенный прирост производительности

Американская компания Rambus, которая ранее занималась разработкой чипов памяти, а теперь знаменита своей деятельностью по торговле патентами и судебному преследованию производителей оперативной памяти (т.н. патентный тролль), раскрыла предварительную спецификацию готовящихся стандартов памяти HBM3 и DDR5, официальный релиз которых состоится не ранее 2019 года.

HBM3 DDR5

Так, оба стандарта будут производиться по нормам 7-нм техпроцесса. Для памяти HBM3 скорость передачи данных достигнет 4 ГБ/с, в то время как текущая HBM2 может предоставить максимум 2 ГБ/с. В результате, при сохранении такой же ширины шины, пропускная способность для каждого стека увеличится до 512 ГБ/с. Таким образом, этот тип памяти может стать отличным решением для топовых видеокарт следующих поколений.

В свою очередь для стандарта памяти DDR5 точные скоростные показатели не указываются, однако известно, что они будут находиться в диапазоне от 4800 до 6200 МБ/с, что в 1,5-2 раза превышает этот показатель для памяти DDR4.

В любом случае, эта информация имеет предварительный характер, а окончательные характеристики стандартов памяти HBM3 и DDR5 могут измениться ближе к дате их релиза.

wccftech.com
Юрий Коваль

Тэги: hbm3   ddr5   ddr4   hbm2   
Читать новость полностью >>>

Samsung планирует вывести на рынок стандарт GDDR6 в 2018 году

Если SK hynix связывает дальнейшее развитие рынка со стандартом HBM3, обеспечивающим пропускную способность на уровне 2 ТБ/с, то Samsung активно разрабатывает стандарт GDDR6, планируя его коммерческое использование в 2018 году.

Samsung GDDR6

Можно спрогнозировать, что в 2017 году микросхемы GDDR5X если не полностью вытеснят GDDR5, то существенно упрочнят свои позиции. А вот в следующем году им на смену придут GDDR6 с улучшенной производительностью и энергоэффективностью. Так, пропускная способность на контакт увеличится с 10-12 до 14-16 Гбит/с. В результате общая пропускная способность для 256-битной шины вырастет до 512 ГБ/с, а для 384-битной – до 768 ГБ/с.

Samsung GDDR6

Что же касается энергоэффективности, то здесь ключевой инновацией является переход от технологии LP4X до LP5. Она обеспечивает более адекватное изменение рабочих напряжений в зависимости от частоты, гарантируя 20% снижение энергопотребления.

Samsung GDDR6

Кстати, на графиках можно заметить и появление в 2018 году стандарта оперативной памяти DDR5, который придет на смену DDR4, обеспечив небольшой прирост в производительности и дополнительное снижение энергопотребления.

Samsung GDDR6

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   gddr5   hbm3   gddr5x   ddr4   ddr5   gddr6   
Читать новость полностью >>>

ddr5

Выбрать из: Обзоров Новостей
Только в разделе
Искать в найденом тег:

Поиск по сайту
Почтовая рассылка

top10

vote

Голосование