up
Gecid 1024x90 UKR.jpg
ru ua
menu

ru.gecid.com-160x600-04-2019.gif


Banner_Hyper212_RGB_600x90.jpg

eufs

Выбрать из: Обзоров Новостей
Только в разделе
Искать в найденом тег:

Samsung начала массовое производство 512-гигабайтных микросхем eUFS 3.0

В данный момент флагманские смартфоны используют накопители формата embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1. Но компания Samsung уже приготовила им замену в виде eUFS 3.0. Для справки: Samsung представила первые накопители eUFS 2.0 в январе 2015 года. Они были в 1,4 раза быстрее eMMC 5.1. В 2017 году появились чипы eUFS 2.1, а теперь пришла очередь eUFS 3.0.

Samsung eUFS 3

Первыми появятся 512-гигабайтные микросхемы eUFS 3.0. В компактном форм-факторе стековой структуры расположились восемь ядер V-NAND пятого поколения объемом по 512 Гбит и высокопроизводительный контроллер.

Максимальная скорость последовательной передачи данных в 512-гигабайтных чипах eUFS 3.0 достигает 2100 МБ/с, а записи – 410 МБ/с. Для сравнения: в микросхеме eUFS 2.1 аналогичного объема эти же показатели составляли 860 и 255 МБ/с соответственно. При произвольном чтении и записи данных скорости новинки достигают 63 000 и 68 000 IOPS (42 000 и 40 000 IOPS у eUFS 2.1).

Samsung eUFS 3

Уже в этом месяце Samsung выпустит 512- и 128-гигабайтные накопители eUFS 3.0. Во второй половине 2019 года на рынок поступят варианты объемом 1 ТБ и 256 ГБ. Их стоимости не сообщаются.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: eufs   samsung   v-nand   emmc   
Читать новость полностью >>>

Samsung представила первый в мире накопитель eUFS 2.1 объемом 1 ТБ

Samsung сообщила о начале массового производства первых в мире терабайтных накопителей формата embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1, которые предназначены для использования в мобильных устройствах, в первую очередь – в смартфонах. Таким образом, южнокорейскому IT-гиганту потребовалось четыре года, чтобы перейти от 128-гигабайтного чипа eUFS до 1-терабайтного.

Samsung 1 TB eUFS

Размеры новинки составляют всего 11,5 х 13,0 мм. Внутри в форме стека расположены 16 микросхем V-NAND объемом по 512 Гбит каждая и фирменный контроллер. Общей емкости в 1 ТБ достаточно для хранения 260 десятиминутных 4K-видео (3840 х 2160). Для сравнения: 64 ГБ хватит лишь для 13 подобных файлов.

Также новинка может похвастать высокими скоростными показателями. Максимальная последовательная скорость чтения и записи составляет 1000 и 260 МБ/с соответственно. А эти же показатели при произвольном доступе к данным достигают 58 000 и 50 000 IOPS. То есть при чтении данных Samsung 1 TB eUFS работает в 2 раза быстрее обычных SATA SSD, но по скорости записи он пока еще проигрывает.

Samsung 1 TB eUFS

В первой половине текущего года компания планирует нарастить производство 512-гигабитных микросхем V-NAND на одном из своих заводов, чтобы удовлетворить потребности рынка в новых терабайтных накопителях.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: eufs   samsung   v-nand   ssd   
Читать новость полностью >>>

Стартовало массовое производство компактных eUFS-накопителей объемом 512 ГБ

Компания Samsung заявила о начале массового производства 512-гигабайтных накопителей embedded Universal Flash Storage (eUFS), которые предназначены для использования в мобильных устройствах следующего поколения. В компактном корпусе новинки расположено восемь 64-слойных 512-гигабитных микросхем V-NAND и контроллер для управления их работой.

Samsung eUFS

Общего объема достаточно для хранения 130 10-минутных видеоклипов в разрешении 4K Ultra HD (3840 x 2160), что в 10 раз больше, чем позволяют актуальные 64-гигабайтные eUFS-накопители. При этом показатели производительности новинки также находятся на высоте. В частности, последовательная скорость чтения и записи достигает 860 и 255 МБ/с соответственно, что гораздо выше показателей карт microSD. При произвольных операциях скорости чтения и записи составляют 42 000 и 40 000 IOPS. Для сравнения: у карты microSD они находятся на уровне 100 IOPS.

Кроме 64-слойных 512-гигабитных микросхем, компания Samsung анонсировала расширение выпуска 256-гигабитных V-NAND-чипов, что позволит разнообразить портфолио компактных решений для хранения данных.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   microsd   v-nand   flash   4k ultra hd   eufs   
Читать новость полностью >>>

eufs

Выбрать из: Обзоров Новостей
Только в разделе
Искать в найденом тег:

Поиск по сайту
Почтовая рассылка

top10

vote

Голосование