Поиск по сайту

up
Banner

finfet

Дело о нарушении патента: Intel грозит штраф в $31 млн или запрет на продажи процессоров в Китае

Технология FinFET является ключевой и используется почти во всех процессорах Intel с 2011 года. Однако в феврале 2018 года Институт микроэлектроники Китайской академии наук (Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences (IMECAS)) подал в Высокий суд Пекина иск о нарушении патентных прав. Ответчиками в этом деле выступили Intel, Dell (China) Co., Ltd. и Beijing JD Century Information Technology Co., Ltd. Истец уверен, что серия процессоров Intel Core нарушает патент 201110240931.5, поэтому требует компенсации в размере 200 млн юаней (около $31 млн) и уплаты всех издержек на судебное разбирательство.

Intel

Intel отказалась от признания своей вины и обратилась в Китайскую комиссию по повторной экспертизе патентов (China Patent Reexamination Board). На днях компания проиграла уже шестую попытку отвода. Все это время Intel пыталась перенести рассмотрение дела в Бюро по патентам и товарным знакам США (U.S. Patent and Trademark Office (USPTO)), однако USPTO отказалось заслушать это дело и оставило все разбирательства китайским патентным органам.

Есть у Intel и некоторые успехи в этом деле – 3 претензии истца были признаны недействительными. Однако остается еще 11 пунктов, по которым идет разбирательство.

Кроме того, IMECAS расширил свои требования и предъявил иск Intel в нарушении двух других патентных прав касательно использования технологии MOSFET при производстве и продаже процессоров Core i3. Этот иск также требует судебного запрета и возмещения судебных издержек, но в этот раз IMECAS оставляет за собой право потребовать неуказанную сумму ущерба.

Кроме судебного разбирательства с IMECAS, у Intel еще не разрешен спор с VLSI. В случае полного проигрыша по этому делу Intel может потерять около $11 млрд. И еще можно вспомнить более мелкие судебные иски против Intel касательно уязвимостей Meltdown и Spectre, а также задержки выхода 7-нм техпроцесса. Одним словом, юридический отдел Intel обеспечен работой на годы вперед.

https://www.tomshardware.com
Сергей Будиловский

intel   intel core   core i3   finfet  

Постоянная ссылка на новость

TSMC завершает создание нового чипа на 3-нм техпроцессе

Компания отмечает, что соблюдать закон Мура, не так просто, однако сотрудники компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) решили эту проблему. Сегодня появилась информация о том, что компания завершила строительство своего производственного предприятия для 3-нм полупроводникового чипа следующего поколения. Компания TSMC, расположенная в научном парке Южного Тайваня недалеко от Тайнаня, планирует начать массовое производство 3-нм чипа во второй половине 2022 года. Как и ранее, одним из первых ее клиентов является Apple.

Предполагается, что фабрика обойдется в 19,5 миллиардов долларов, и будет производить 55 000 пластин диаметром 300 мм (12 дюймов) в месяц. Учитывая, что обычные мощности TSMC позволяют выпускать более 100 тыс. единиц в месяц, ожидается, что эта новая установка со временем увеличит объемы до 100 тысяч в месяц. Новый 3-нм чип будет использовать технологию FinFET и обеспечит увеличение производительности на 15% по сравнению с предыдущим 5-нм чипом, при этом потребление энергии уменьшится на 30% и увеличится плотность операций до 70%. Конечно, все эти параметры будут зависеть от конкретного дизайна.

https://www.techpowerup.com
Паровышник Валерий

apple   tsmc   finfet  

Постоянная ссылка на новость

Intel могут оштрафовать на 200 млн юаней за нарушения патента на FinFET

В конце июля Комитет по вопросам патентной проверки (Patent Review Committee) государственного ведомства интеллектуальной собственности (State Intellectual Property Office) устно заслушал ходатайство о недопустимом использовании Intel патента 201110240931.5, который для простоты понимания именуют «патентом на FinFET». Он принадлежит Институту микроэлектроники (Institute of Microelectronics) Китайской академии наук (Chinese Academy of Sciences).

Это был один из ответных шагов Intel в судебном споре о нарушении патентных прав. До этого Intel пять раз обращалась в китайское и американское ведомства с подобным ходатайством, но во всех случаях она получала отказ. Решение по последнему еще не вынесено, однако у Intel крайне мало шансов на позитивный исход дела.

Intel FinFET

Все началось в феврале 2018 года. Институт микроэлектроники подал в Высокий суд Пекина иск о нарушении патентных прав. Ответчиками в этом деле выступили Intel, Dell (China) Co., Ltd. и Beijing JD Century Information Technology Co., Ltd. Истец уверен, что серия процессоров Intel Core нарушает патент 201110240931.5, и поэтому требует компенсации ущерба в размере 200 млн юаней ($28,67 млн).

Первое слушанье по этому делу прошло 24 апреля 2018 года, но дата разбирательства по сути еще не назначена. За это время Intel несколько раз пыталась подать ходатайства в комитеты по вопросам патентной проверки Китая и США, но получала отказы. А без этого ей будет очень сложно выиграть в суде.

https://www.techpowerup.com
https://www.smalltechnews.com
Сергей Будиловский

intel   finfet   intel core   dell  

Постоянная ссылка на новость

TSMC начнет массовое производство 5-нм чипов в 2020 году

Согласно информации портала DigiTimes, компания TSMC начнет массовое производство 5-нм чипов в марте 2020 года, через 2 года после запуска 7-нм техпроцесса. То есть именно TSMC, а не Intel сейчас ближе к тому, чтобы восстановить корректность закона Мура.

TSMC

5-нм технология TSMC использует EUV-литографию (Extreme Ultra-Violet) и существующий дизайн FinFET. От одного лишь перехода с 7- на 5-нм максимальные частоты работы чипов вырастут на 15%, а плотность размещения транзисторов увеличится на впечатляющие 80%. А еще максимум на 30% снизится энергопотребление.

https://www.techpowerup.com
https://www.digitimes.com
Сергей Будиловский

tsmc   intel   finfet  

Постоянная ссылка на новость

Samsung готовится к переходу на нормы 3-нм технологии GAA

Пока Intel продолжает использовать 14-нм техпроцесс, а TSMC активнее задействует 7-нм технологию, южнокорейский IT-гигант в рамках мероприятия Samsung Foundry Forum 2019 USA представил техпроцесс 3-нм Gate-All-Around (3GAA). Его разработка проходит в соответствии с намеченным графиком. В апреле партнеры получили Process Design Kit (PDK) версии 0.1 для 3GAA, что позволяет им начинать разработку своих продуктов в соответствии с новым техпроцессом.

Samsung 3GAA

Переход с 7-нм на 3-нм технологию обеспечит 45%-ое снижение площади микросхем и 50%-ое падение энергопотребления или 35%-ое повышение уровня производительности. Samsung ожидает, что новый техпроцесс будет широко использоваться для создания чипов для мобильных устройств, сетевого оборудования, автомобилестроения, для работы с искусственным интеллектом и в IoT. Она уже изготовила тестовый чип на основе 3GAA, и теперь сфокусируется на улучшении его производительности и энергоэффективности.

Также компания запатентовала новый дизайн MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) для 3GAA. Он обеспечивает прохождение больших токов в стеке и повышает гибкость при создании новых продуктов, чем традиционный FinFET. Но главное, что сохраняется совместимость MBCFET и FinFET, поэтому производители могут использовать оба

Пока в планах Samsung значатся 4 FinFET-технологии (от 7-нм до 4-нм) и 3-нм GAA или MBCFET. В частности, во второй половине этого года она начнет массовое производство чипов на основе 6-нм техпроцесса и закончит разработку 4-нм технологии. А уже в первой половине 2020 года начнется массовое производство первых продуктов на основе 5-нм FinFET-технологии. Сроки выпуска первых микросхем на базе 3GAA пока не сообщаются.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

samsung   finfet  

Постоянная ссылка на новость

TSMC создала дизайн для SoC-процессора Apple A11 на базе 10-нм FinFET-технологии

Известный интернет-ресурс утверждает, что компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) полным ходом готовится к производству SoC-процессора Apple A11 на базе 10-нм технологии FinFET. Для этого она уже создала соответствующий дизайн, однако пока еще не приступила к активному его использованию. Дело в том, что лишь в четвертом квартале 2016 года 10-нм техпроцесс пройдет всю необходимую сертификацию.

TSMC

Таким образом, первые тестовые образцы Apple A11 могут быть получены уже в начале 2017 года. Если все испытания пройдут успешно, то массовое производство начнется во втором квартале следующего года. По предварительным данным, компания TSMC получит заказ на изготовление около 67% от общего количества процессоров Apple A11. Соответственно, дебют нового поколения популярных смартфонов ожидается не ранее второй половины 2017 года.

http://digitimes.com
Сергей Будиловский

apple   tsmc   finfet   soc  

Постоянная ссылка на новость

TSMC начнет испытания 7-нм техпроцесса в 2017 году

Основная часть производственных мощностей тайваньской компании TSMC в данный момент занята под активное производство 16-нм продуктов с применением технологии FinFET. Однако индустрия постоянно смотрит вперед, продолжая освоение все более тонких техпроцессов.

TSMC

Следующем шагом TSMC станет производство 10-нм микросхем, первые образцы которых уже были получены в первом квартале текущего года. Однако основной акцент возложен на успешное освоение 7-нм технологии. Так, в первой половине 2017 года ожидается запуск испытательного производства первых образцов продукции. TSMC уже получила заказы от 20 компаний, 15 из которых ожидают уже до конца 2017 года получить готовые образцы собственных продуктов. Массовое же производство различных микросхем на основе 7-нм техпроцесса должно стартовать в начале 2018 года.

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

tsmc   finfet  

Постоянная ссылка на новость

Samsung и GLOBALFOUNDRIES будут выпускать 14-нм продукты AMD

Согласно информации одного из южнокорейских изданий, компании Samsung и GLOBALFOUNDRIES параллельно будут выпускать новое поколение графических и центральных процессоров компании AMD, используя при этом 14-нм техпроцесс FinFET LPP (Low Power Plus). Поскольку именно Samsung помогла GLOBALFOUNDRIES освоить данную технологию, то никакой разницы между самими чипами не будет.

Сообщается, что первыми в производство поступят флагманские графические процессоры линейки AMD Greenland во втором квартале 2016 года. За ними последуют процессоры с микроархитектурой AMD Zen. Ожидается, что уже в третьем квартале следующего года первые образцы 14-нм продуктов могут поступить на рынок.

Samsung GLOBALFOUNDRIES

Отметим, что выбор Samsung и GLOBALFOUNDRIES в качестве партнеров по производству осуществлен благодаря двум факторам. Во-первых, технология 14-нм FinFET LPP обещает в два раза повысить показатель «производительность на ватт» в сравнении с 28-нм техпроцессом, что очень важно для AMD. А во-вторых, TSMC имеет очень длинную очередь желающих использовать ее 16-нм техпроцесс в производстве собственных чипов, что может вызвать задержки в поставках.

Если выпуск новых продуктов для AMD окажется успешным, то сотрудничество с Samsung может продлиться и в долгосрочной перспективе, учитывая, что уже в 2017 году южнокорейский гигант планирует представить технологию 10-нм процесса производства микросхем.

http://hexus.net
Сергей Будиловский

amd   samsung   globalfoundries   finfet   tsmc   amd zen  

Постоянная ссылка на новость

Показать еще

Banner