Стандарты памяти HBM3 и DDR5 обещают удвоенный прирост производительности
Американская компания Rambus, которая ранее занималась разработкой чипов памяти, а теперь знаменита своей деятельностью по торговле патентами и судебному преследованию производителей оперативной памяти (т.н. патентный тролль), раскрыла предварительную спецификацию готовящихся стандартов памяти HBM3 и DDR5, официальный релиз которых состоится не ранее 2019 года.
Так, оба стандарта будут производиться по нормам 7-нм техпроцесса. Для памяти HBM3 скорость передачи данных достигнет 4 ГБ/с, в то время как текущая HBM2 может предоставить максимум 2 ГБ/с. В результате, при сохранении такой же ширины шины, пропускная способность для каждого стека увеличится до 512 ГБ/с. Таким образом, этот тип памяти может стать отличным решением для топовых видеокарт следующих поколений.
В свою очередь для стандарта памяти DDR5 точные скоростные показатели не указываются, однако известно, что они будут находиться в диапазоне от 4800 до 6200 МБ/с, что в 1,5-2 раза превышает этот показатель для памяти DDR4.
В любом случае, эта информация имеет предварительный характер, а окончательные характеристики стандартов памяти HBM3 и DDR5 могут измениться ближе к дате их релиза.
Читать новость полностью >>>Samsung планирует вывести на рынок стандарт GDDR6 в 2018 году
Если SK hynix связывает дальнейшее развитие рынка со стандартом HBM3, обеспечивающим пропускную способность на уровне 2 ТБ/с, то Samsung активно разрабатывает стандарт GDDR6, планируя его коммерческое использование в 2018 году.
Можно спрогнозировать, что в 2017 году микросхемы GDDR5X если не полностью вытеснят GDDR5, то существенно упрочнят свои позиции. А вот в следующем году им на смену придут GDDR6 с улучшенной производительностью и энергоэффективностью. Так, пропускная способность на контакт увеличится с 10-12 до 14-16 Гбит/с. В результате общая пропускная способность для 256-битной шины вырастет до 512 ГБ/с, а для 384-битной – до 768 ГБ/с.
Что же касается энергоэффективности, то здесь ключевой инновацией является переход от технологии LP4X до LP5. Она обеспечивает более адекватное изменение рабочих напряжений в зависимости от частоты, гарантируя 20% снижение энергопотребления.
Кстати, на графиках можно заметить и появление в 2018 году стандарта оперативной памяти DDR5, который придет на смену DDR4, обеспечив небольшой прирост в производительности и дополнительное снижение энергопотребления.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Третье поколение HBM обеспечит видеокартам 64 ГБ памяти
Активным продвижением стандарта HBM занимается компания SK hynix. В данный момент на рынке присутствуют модели с первым поколением HBM-памяти (серия AMD Radeon R9 Fury), а вскоре появятся видеоускорители со вторым. Тем не менее SK hynix уже активно работает над созданием третьего поколения.
Согласно первым подробностям технической спецификации, стандарт HBM3 обеспечит создание максимум 64-гигабайтных микросхем с 4096-битной шиной и общей пропускной способностью 2 ТБ/с (512 ГБ/с для каждого стека). Для сравнения, стандарт HBM2 предполагает пропускную способность на уровне 1 ТБ/с (256 ГБ/с для каждого стека).
SK hynix обещает, что HBM3 будет более производительным, энергоэффективным и экономично выгодным, чем существующие стандарты памяти. Поэтому HBM3 может использоваться не только в видеокартах, но и в составе разнообразных тонких клиентов, планшетов 2-в-1, игровых консолях, серверах и других устройствах.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
