Память DDR5 появится уже в этом году
В рамках International Solid-State Circuits Conference компании SK Hynix и Samsung поделились планами касательно выпуска на рынок DDR5-памяти. Презентация первой сконцентрировалась на 16-гигабитном чипе, произведенном на базе 1y-nm процессе с площадью 76,22 мм2. Он работает при напряжении 1,1 В с пропускной способностью 6,4 Гбит/с на каждый контакт. Эта микросхема ляжет в основу десктопных модулей памяти.
В свою очередь Samsung сконцентрировалась на мобильном стандарте LPDDR5. Ее чипы произведены на базе 10-нм технологии и обладают пропускной способностью 7,5 Гбит/с на контакт при рабочем напряжении 1,05 В.
Обе компании обещают уже до конца 2019 года представить первые образцы готовой продукции. SK Hynix прогнозирует, что к 2021 году стандарт DDR5 займет 25% рынка, а к 2022 – 44%.
https://www.tomshardware.com
Сергей Будиловский
JEDEC анонсировала публикацию стандарта оперативной памяти LPDDR5
Ассоциация JEDEC анонсировала публикацию стандарта JESD209-5 для выпуска микросхем оперативной памяти Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5) объемом от 2 до 32 Гбит. Ожидается, что скорость новинок достигнет 6400 Мбит/с, что на 50% выше аналогичного показателя LPDDR4 на момент выхода в 2014 году (3200 Мбит/с). Чипы LPDDR5 будут использоваться в смартфонах, планшетах, ультра тонких ноутбуках и автомобилях.
Кроме повышения уровня производительности, микросхемы LPDDR5 улучшат энергоэффективность систем и снизят нагрузку на аккумуляторы. Этому поспособствуют новые команды Data-Copy и Write-X для ускоренной записи данных.
Напомним, что в июле 2018 года Samsung представила первые 8-гигабитные чипы LPDDR5, которые работают на скорости 6400 Мбит/с при напряжении 1,1 В и 5500 Мбит/с при 1,05 В. Их пропускная способность достигает 51,2 и 44 ГБ/с соответственно при 64-битной шине. У микросхем LPDDR4X-4266 она составляет 34,1 ГБ/с.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Samsung первой представила 8-гигабитные чипы LPDDR5
Пока десктопные процессоры активно осваивают DDR4-память, компания Samsung переводит мобильные устройства и автомобильную промышленность на стандарт LPDDR5. Корейский гигант первым в мире представил 8-гигабитные чипы LPDDR5, созданные на базе 10-нм технологии.
В продажу поступят два варианта. Первый может похвастать пропускной способностью 6400 Мбит/с (скорость передачи достигает 51,2 ГБ/с при 64-битной шине) при рабочем напряжении 1,1 В, а второй – 5500 Мбит/с (44 ГБ/с) при 1,05 В. Для сравнения напомним, что максимальная пропускная способность актуальных чипов LPDDR4X не превышает 4266 Мбит/с (34,1 ГБ/с). То есть новинки на 29-50% быстрее.
Дополнительно чипы ОЗУ Samsung 8Gb LPDDR5 характеризуются рядом оптимизаций. Например, они могут снижать напряжение в зависимости от актуальной рабочей частоты. А в случае активации режима глубокого сна (Deep Sleep Mode) их энергопотребление не превышает половины того, что использует LDDR4X в режиме ожидания. В результате этих и других улучшений потребление энергии новыми чипами снизилось на 30%, что позволит уменьшить нагрузку на аккумулятор и продлить время автономной работы мобильных устройств.
На данный момент Samsung вместе с партнерами завершила функциональное тестирование и валидацию прототипа 8-гигабайтной микросхемы LDDR5, состоящей из восьми 8-гигабитных чипов, и уже планирует ее массовое производство. Таким образом, в следующем поколении смартфонов мы обязательно увидим модели с 8 ГБ LDDR5-памяти на борту.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
