Взгляд в будущее: планы AMD после выхода Vermeer (Zen 3) и Renoir (Zen 2)
Twitter-аккаунт KOMACHI_ENSAKA скрупулезно собрал крупицы информации из различных источников касательно будущих CPU и APU компании AMD. Вот что нас ожидает в ближайшем и отдаленном будущем.
AMD Matisse Refresh (Zen 2)
Эта временная линейка процессоров на базе текущей микроархитектуры Zen 2. В ее состав войдут минимум три модели – AMD Ryzen 9 3900XT, 7 3800XT и 5 3600XT. Бонус производительности достигается за счет повышения базовой и динамической частоты на 200 – 300 МГц.
CPU AMD Vermeer (Zen 3) и APU AMD Renoir (Zen 2)
AMD Vermeer – это кодовое название для линейки десктопных процессоров Ryzen 4000, которая предположительно дебютирует осенью этого года. Она создана на базе микроархитектуры Zen 3 под Socket AM4.
AMD Renoir – это серия APU AMD Ryzen 4000, сочетающая 7-нм микроархитектуры Zen 2 и Vega. Выход ожидается летом текущего года.
AMD Cezanne (Zen 3 + GCN)
Эта линейка заменит AMD Renoir в 2021 году. Она буде представлена в сегменте высокопроизводительных ноутбуков (Socket FP6) и среднеценовых десктопных компьютеров (Socket AM4). Процессорная часть использует микроархитектуру Zen 3, а графическая по-прежнему базируется на Vega.
AMD Rembrandt (Zen 3 + RDNA)
В 2022 году придет на смену AMD Cezanne в тех же сегментах мобильного и десктопного рынка. Использует связку процессорной микроархитектуры Zen3+ и графики RDNA. Ожидается, что эта линейка будет поддерживать новый процессорный разъем, память DDR5 и LPDDR5, а также интерфейс USB4.
AMD Raphael
Это линейка новых десктопных процессоров под Socket AM5 без встроенного видеоядра. В 2022 году она придет на смену AMD Vermeer. Возможно, в 2021 году AMD выпустит линейку Vermeer Refresh.
AMD Van Gogh (Zen 2 + RDNA)
Этой линейки нет в таблице KOMACHI_ENSAKA, но о ней сообщает китайский IT-портал Expreview. Она будет представлена в ультраэнергоэффективном сегменте APU с TDP 9 Вт, созданном для ультратонких мобильных устройств и встроенных систем. Внешним конкурентом является линейка Intel Y.
https://videocardz.com
Сергей Будиловский
Micron начала поставки первой в мире памяти LPDDR5 для высокопроизводительных смартфонов
Компания Micron Technology, Inc. с гордостью сообщила о начале поставок первой в мире памяти LPDDR5 для высокопроизводительного смартфона Xiaomi Mi 10. Она увеличивает скорость доступа к данным на 50% и улучшает энергоэффективность на 20% по сравнению со стандартом LPDDR4x. Кроме того, новая память нацелена и в другие сегменты, включая автомобильную промышленность, клиентские PC и сетевые системы для 5G и AI.
В данный момент Micron поставляет своим клиентам память LPDDR5 объемом 6, 8 и 12 ГБ со скоростью 5,5 и 6,4 Гбит/с. До конца первой половины текущего года она интегрирует новые микросхемы в мультичиповый пакет uMCP5 для использования в смартфонах среднего и высокого класса. Благодаря этому повышается пропускная способность памяти и снижается нагрузка на аккумулятор. В итоге производительность отдельных задач (например, обработка изображений) повышается до уровня флагманских смартфонов.
https://www.techpowerup.com
https://www.micron.com
Сергей Будиловский
Процессоры Intel Tiger Lake-U поддерживают память LPDDR4x и LPDDR5
Дебютировавшие летом текущего года 10-нм процессоры линейки Intel Ice Lake принесли с собой поддержку оперативной памяти LPDDR4-3733. В следующем году им на смену придет 10-нм линейка Intel Tiger Like.
В базе данных Евразийской Экономической Комиссии (ЕЭК) замечено описание нескольких новых наборов для разработчиков, созданных на основе процессоров линейки Intel Tiger Lake-U. Вместе с ними используется оперативная память стандартов LPDDR4x и LPDDR5.
Напомним, что речь идет об энергоэффективной памяти, которая активно используется в составе смартфонов и планшетов, а теперь станет частью ноутбуков. LPDDR5 предлагает более высокие тактовые частоты (максимум 6400 МГц против 4266 МГц для LPDDR4x) при снижении энергопотребления на 30%. Но этот стандарт только начинает завоевывать рынок. Например, Samsung лишь этим летом начала массовое производство 6- и 12-гигабитных чипов LPDDR5-5500.
https://www.techpowerup.com
https://portal.eaeunion.org
Сергей Будиловский
На 40% эффективнее: SK hynix представила 16-гигабитные чипы DDR4-памяти
Компания SK hynix с гордостью представила самые емкие в индустрии 16-гигабитные микросхемы памяти DDR4, созданные на основе техпроцесса 1z нм. Их производство не требует использования дорогой EUV литографии, а значит есть все предпосылки для снижения конечной стоимости.
Пропускная способность новинок достигает 3200 Мбит/с – это самый большой номинальный показатель для интерфейса DDR4. При этом энергоэффективность готовых модулей на базе этих чипов улучшилась на 40% по сравнению с аналогичными по плотности модулями, созданными на основе 8-гигабитных чипов прошлого поколения (технология 1y нм).
Массовое производство 1z-нм микросхем памяти запланировано на следующий год. SK hynix также планирует использовать эту технологию для создания чипов LPDDR5 и HBM3.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Samsung начала массовое производство 12-гигабитных мобильных чипов LPDDR5-памяти
Компания Samsung Electronics с гордостью сообщила о начале массового производства первых в мире 12-гигабитных (1,5-гигабайтных) мобильных чипов LPDDR5 DRAM-памяти. Они оптимизированы для поддержки 5G и алгоритмов AI в новых поколениях смартфонов.
Новые чипы пришли лишь спустя пять месяцев после выхода 12-гигабайтных микросхем LPDDR4X. Кстати, до конца месяца Samsung планирует объединить в одном корпусе восемь 12-гигабитных LPDDR5-чипов, чтобы получить 12-гигабайтную микросхему памяти для новых смартфонов.
Новинки созданы на базе 10-нм технологии. Скорость передачи данных у них находится на уровне 5500 Мбит/с. Это на 28,9% быстрее, чем у предшественников (LPDDR4X, 4266 Мбит/с). В результате пропускная способность 12-гигабайтной микросхемы LPDDR5 достигнет 44 ГБ/с. Дополнительно на 30% снизится энергопотребление за счет интеграция нового дизайна и энергосберегающих функций. Таким образом, новинка гарантирует более высокую производительность при меньшей нагрузке на аккумулятор. В следующем году Samsung планирует начать производство 16-гигабитных чипов LPDDR5.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Память DDR5 появится уже в этом году
В рамках International Solid-State Circuits Conference компании SK Hynix и Samsung поделились планами касательно выпуска на рынок DDR5-памяти. Презентация первой сконцентрировалась на 16-гигабитном чипе, произведенном на базе 1y-nm процессе с площадью 76,22 мм2. Он работает при напряжении 1,1 В с пропускной способностью 6,4 Гбит/с на каждый контакт. Эта микросхема ляжет в основу десктопных модулей памяти.
В свою очередь Samsung сконцентрировалась на мобильном стандарте LPDDR5. Ее чипы произведены на базе 10-нм технологии и обладают пропускной способностью 7,5 Гбит/с на контакт при рабочем напряжении 1,05 В.
Обе компании обещают уже до конца 2019 года представить первые образцы готовой продукции. SK Hynix прогнозирует, что к 2021 году стандарт DDR5 займет 25% рынка, а к 2022 – 44%.
https://www.tomshardware.com
Сергей Будиловский
JEDEC анонсировала публикацию стандарта оперативной памяти LPDDR5
Ассоциация JEDEC анонсировала публикацию стандарта JESD209-5 для выпуска микросхем оперативной памяти Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5) объемом от 2 до 32 Гбит. Ожидается, что скорость новинок достигнет 6400 Мбит/с, что на 50% выше аналогичного показателя LPDDR4 на момент выхода в 2014 году (3200 Мбит/с). Чипы LPDDR5 будут использоваться в смартфонах, планшетах, ультра тонких ноутбуках и автомобилях.
Кроме повышения уровня производительности, микросхемы LPDDR5 улучшат энергоэффективность систем и снизят нагрузку на аккумуляторы. Этому поспособствуют новые команды Data-Copy и Write-X для ускоренной записи данных.
Напомним, что в июле 2018 года Samsung представила первые 8-гигабитные чипы LPDDR5, которые работают на скорости 6400 Мбит/с при напряжении 1,1 В и 5500 Мбит/с при 1,05 В. Их пропускная способность достигает 51,2 и 44 ГБ/с соответственно при 64-битной шине. У микросхем LPDDR4X-4266 она составляет 34,1 ГБ/с.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Samsung первой представила 8-гигабитные чипы LPDDR5
Пока десктопные процессоры активно осваивают DDR4-память, компания Samsung переводит мобильные устройства и автомобильную промышленность на стандарт LPDDR5. Корейский гигант первым в мире представил 8-гигабитные чипы LPDDR5, созданные на базе 10-нм технологии.
В продажу поступят два варианта. Первый может похвастать пропускной способностью 6400 Мбит/с (скорость передачи достигает 51,2 ГБ/с при 64-битной шине) при рабочем напряжении 1,1 В, а второй – 5500 Мбит/с (44 ГБ/с) при 1,05 В. Для сравнения напомним, что максимальная пропускная способность актуальных чипов LPDDR4X не превышает 4266 Мбит/с (34,1 ГБ/с). То есть новинки на 29-50% быстрее.
Дополнительно чипы ОЗУ Samsung 8Gb LPDDR5 характеризуются рядом оптимизаций. Например, они могут снижать напряжение в зависимости от актуальной рабочей частоты. А в случае активации режима глубокого сна (Deep Sleep Mode) их энергопотребление не превышает половины того, что использует LDDR4X в режиме ожидания. В результате этих и других улучшений потребление энергии новыми чипами снизилось на 30%, что позволит уменьшить нагрузку на аккумулятор и продлить время автономной работы мобильных устройств.
На данный момент Samsung вместе с партнерами завершила функциональное тестирование и валидацию прототипа 8-гигабайтной микросхемы LDDR5, состоящей из восьми 8-гигабитных чипов, и уже планирует ее массовое производство. Таким образом, в следующем поколении смартфонов мы обязательно увидим модели с 8 ГБ LDDR5-памяти на борту.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
