SSD Crucial BX500 теперь доступен и в варианте на 2 ТБ
Начались поставки 2-терабайтной версии бюджетного твердотельного накопителя Crucial BX500. Он создан в привычном 2,5-дюймовом формате с высотой 7 мм, поэтому подойдет для установки в ПК, тонкие ноутбуки, моноблоки и мини-ПК.
Новинка создана на базе связки 96-слойных чипов Micron 3D TLC NAND и контроллера SMI SM2258XT. Для подключения к компьютеру используется интерфейс SATA 6 Гбит/с. В результате максимальная последовательная скорость чтения достигает 540 МБ/с, а записи – 500 МБ/с.
В продажу она поступила с полезным ПО Acronis True Image и 3-летней гарантией. Сводная таблица технической спецификации SSD Crucial BX500:
|
Модель |
Crucial BX500 (CT2000BX500SSD1) |
|
Форм-фактор, дюймов |
2,5 |
|
Тип памяти |
96-слойная 3D TLC NAND |
|
Контроллер |
SMI SM2258XT |
|
Интерфейс |
SATA 6 Гбит/с |
|
Объем, ТБ |
2 |
|
Максимальная последовательная скорость чтения / записи, МБ/с |
540 / 500 |
|
Высота, мм |
7 |
|
Гарантия, лет |
3 |
|
Рекомендованная стоимость, $ |
214,99 |
https://www.techpowerup.com
https://www.crucial.com
Сергей Будиловский
TEAMGROUP выпустила игровые новинки T-FORCE: память Dark Z и SSD-накопитель DELTA MAX RGB
Сегодня в Tайпей TEAMGROUP представила новинки T-FORCE для геймеров всего мира, твердотельный накопитель T-FORCE DELTA MAX RGB и новейшую игровую память T-FORCE DARK Z. Накопитель T-FORCE DELTA MAX RGB имеет зеркальную светодиодную поверхность и максимальную площадь отображения световых эффектов. Зеркальная поверхность отображает прозрачные световые эффекты с эмитацией волшебного зеркала, что было достигнуто впервые. Абсолютно новая игровая память T-FORCE DARK Z DDR4 оснащена бронёй для физической защиты и улучшенного отвода тепла. Благодаря микросхемам отборного качества эти новинки имеют высокую производительность, низкое потребление, легко устанавливаются и отвечают запросам геймерского сообщества.
Новейшее поколение твердотельных накопителей T-FORCE DELTA MAX RGB отличается инновационным дизайном зеркальной поверхности. Светодиодная поверхность имеет наибольшую подсвечиваемую площадь и наибольшую площадь световых эффектов. Плотно расположенные светодиоды ARGB LED порадуют вас впечатляющей игрой света. Передовые микросхемы 3D NAND предлагают скорость до 560 МБ/с на чтение и 510 МБ/с на запись. Накопитель совместим с разъёмами для назначаемых светодиодов 5V 3pin ARGB на материнских платах. Световые эффекты и режимы T-FORCE DELTA MAX RGB настраиваются через программное обеспечение производителя материнской платы. Максимальная ёмкость накопителя составляет 2ТБ, что позволяет существенно расширить место и поймать модный техно-тренд с зеркальной поверхностью. В настоящее время доступен в трёх регионах, Тайвань/Китай/США.
Дизайн игровой памяти T-FORCE DARK Z DDR4 основан на концепции брони рыцаря. Тщательно изготовленная стальная кольчуга обеспечивает полную защиту. Радиатор имеет простой гениальный дизайн, и изготовлен традиционным методом штамповки. Электро-химическая обработка поверхности и гальванический логотип T-FORCE подчёркивают скоростные характеристики памяти. Теплоотвод толщиной 0,8 мм изготовлен методом штамповки из одного куска алюминия для большей структурной прочности. Электро-химическая обработка поверхности может повысить сопротивляемость коррозии и сделать её непроводящей. Отвод тепла осуществляется эффективно и даёт гладкую прорисовку в играх при максимальной производительности без задержек. Память T-FORCE DARK Z основана на высококачественных отборных микросхемах с максимальным быстродействием DDR4 3600 МГц. Она соответствует высокой производительности современных игр, имеет сниженное потребление энергии и легко устанавливается.
|
Item |
MSRP |
|
Delta Max SSD 250GB |
$59.99 |
|
Delta Max SSD 500GB |
$89.99 |
|
Delta Max SSD 1TB |
$149.99 |
|
DARK Z 2666 8G*2 |
$85.9 |
|
DARK Z 3000 8G*2 |
$79.9 |
|
DARK Z 3200 8G*2 |
$77.9 |
https://www.techpowerup.com
Паровышник Валерий
SK hynix сообщила о сокращении производства памяти DRAM и NAND
Компания SK hynix подвела финансовые итоги деятельности во втором квартале 2019 года, согласно которым сократились все ключевые показатели. Например, общий доход снизился на 5%, операционная прибыль упала на 53%, а чистый доход – на 51%. И это по сравнению с предыдущим кварталом. А если сравнивать с аналогичным периодом прошлого года, то показатели просели еще сильнее.
В свете такого положения дел, руководство SK hynix решило сократить производство памяти DRAM и NAND в надежде остановить падение цен. Объем сокращения производства микросхем ОЗУ не сообщается, но оно произойдет в четвертом квартале текущего года. Часть линий будет конвертировано в производство датчиков изображения CMOS.
В свою очередь объем выпуска NAND-пластин будет сокращен на 15%, хотя ранее планировалось уменьшить его на 10%. Также компания решила значительно снизить инвестиции в 2020 году по сравнению с предыдущими планами, но точные цифры не сообщаются.
И в завершении руководство SK hynix предупредило о возможном срыве производства из-за торговой войны между Японией и Южной Кореей.
https://www.dvhardware.net
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Торговый конфликт между Японией и Южной Кореей может привести к подорожанию памяти
Напряженная ситуация в торговой сфере наблюдается не только между США и КНР, но и между Японией и Южной Кореей.
Что же случилось? Начиная с 4 июля японские поставщики трех важных химикатов, которые активно используются в полупроводниковой индустрии, должны получить правительственное разрешение на их экспорт в Южную Корею. Рассмотрение таких заявок может растянуться на 3 месяца, а это критически важный срок, потому что он может повлечь за собой приостановку деятельности некоторых южнокорейских компаний.
Например, анонимный источник компании SK Hynix сообщил японскому изданию Nikkei, что у компании нет 3-месячного запаса требуемых химикатов. Поэтому SK Hynix может даже приостановить производство, если ей придется слишком долго ждать поставок из Японии. Samsung сообщила, что она мониторит ситуацию.
Почему это важно для индустрии в целом? Южнокорейские компании производят около 70% общего объема чипов оперативной памяти и 50% микросхем NAND флеш-памяти. Какие-либо перебои в их работе может привести к срывам контрактов. Пострадают как производители другой электроники (модулей памяти, SSD, смартфонов, ноутбуков и т.д.), так и обычные пользователи, ведь уменьшится предложение и цены могут пойти вверх.
Причина напряженных отношений между двумя странами кроется в прошлом. В октябре 2018 года верховный суд Южной Кореи обязал японскую компанию Nippon Steel выплатить компенсацию корейским рабочим, которые были насильно вывезены на работу в Японию во время Второй мировой войны. Это решение и вызвало недовольство правительства Японии, которое решило нанести ответный удар по экономике Южной Кореи. В свою очередь правительство Южной Кореи выразило глубокое сожаление по поводу решения японских коллег и уже готовится принять контрмеры, включая подачу жалобы в ВТО.
https://www.tomshardware.com
https://www.reuters.com
Сергей Будиловский
Что означает 13 минут без света при производстве NAND-памяти и как это отразится на мировых ценах?
В японском городе Йоккаити в совместном владении и управлении Toshiba и Western Digital находится крупный промышленный комплекс Yokkaichi Operations по производству NAND-памяти. В его состав входят пять фабрик (Fab 2, Fab 3, Fab 4, Fab 5, Fab 6) и R&D центр. Он производит около 35% всей NAND-памяти на глобальном рынке.
И вот 15 июня в Йоккаити произошло незапланированное отключение света. Длилось оно всего 13 минут, но уже принесло огромные убытки Toshiba и Western Digital, а также индустрии в целом. Во-первых, в это время фабрики работали на полную мощность и подобный форс-мажор мог привести к повреждению или выходу из строя сверхточного оборудования. В данный момент они частично приостановили свою работу, полноценное возобновление которой ожидается лишь в середине июля.
Во-вторых, столь длительный простой приведет к снижению поставок NAND-чипов на рынок. По предварительным подсчетам Western Digital уже недопоставит на рынок 6 ЭБ (1 эксабайт = 1000 петабайт = 1 000 000 терабайт) флеш-памяти в третьем квартале. Toshiba пока не дала оценку собственным потерям, но аналитики оценивают их в 6-9 ЭБ.
Есть еще третий неприятный момент для Toshiba и Western Digital в связи с этим форс-мажором: покупатели могут засомневаться в качестве и надежности микросхем памяти, выпущенных после возвращения в строй приостановленных фабрик.
Но как все это отразится на глобальных ценах? Yokkaichi Operations является крупным поставщиком памяти 2D NAND, которая сейчас используется в специальных накопителях, но уже редко встречается в массовом сегменте. Ее стоимость наверняка вырастет, но обычные пользователи этого не заметят.
Есть вероятность, что замедлится падение цен на память 3D NAND. Контракты на ее поставку в третьем квартале уже подписаны, поэтому в ближайшем будущем резких скачков не ожидается. Но в четвертом квартале возможны изменения. Аналитики сами пока теряются в догадках, поскольку не могут точно определить объем спроса: если он будет держатся на низком уровне, то особых изменений в ценах не ожидается.
https://www.anandtech.com
https://press.trendforce.com
Сергей Будиловский
Samsung поможет Intel разрешить проблему нехватки 14-нм процессоров
Согласно информации корейского новостного издания SeDaily, Intel успешно завершила переговоры с Samsung по производству 14-нм процессоров линейки Rocket Lake на фабриках южнокорейской компании. Они будут использоваться в мини-ПК. Массовое производство начнется в четвертом квартале 2020 года, а в продажу они поступят в 2021 году.
Источник уверяет, что ситуация с нехваткой производственных мощностей для 14-нм продуктов у Intel серьезнее, чем сообщалось ранее. А эффект от капитальных инвестиций в расширение производственных мощностей скажется лишь в долгосрочной перспективе. Поэтому Intel активно искала подрядчика для производства некоторых своих продуктов.
Выбор Samsung был не случайным. Во-первых, южнокорейская компания обладает современными технологиями, который уже позволили ей выиграть контракты на создание решений для IBM, NVIDIA, Qualcomm и других. Во-вторых, на выбор Intel повлияла ситуация с Huawei. После попадания в черный список правительства США, сотрудничество с ней стало токсичным для американских компаний. В то же время TSMC сообщила, что продолжит выпускать чипы для Huawei, несмотря на санкции. Поэтому Intel решила перестраховаться и не связываться с TSMC, наладив сотрудничество с Samsung.
Южнокорейская компания также оказывается в выигрыше. Во-первых, она получает прибыль от производства процессоров для Intel. Во-вторых, повышается ее репутация в сегменте создания полупроводниковых чипов. В-третьих, нехватка процессоров негативно сказывается на бизнесе Samsung по производству микросхем оперативной и NAND-памяти. Поэтому помогая решить проблему Intel, она также надеется на рост рынка и повышение цен на оперативную память и SSD.
https://www.techpowerup.com
https://www.sedaily.com
Сергей Будиловский
Производители NAND-памяти ускоряют переход на 120/128-слойные микросхемы
В марте SK Hynix начала производство первых 96-слойных микросхем 4D NAND, а Toshiba и Western Digital анонсировали планы по активному переходу к 128-слойным TLC-чипам. По информации DigiTimes, ключевые игроки решили ускорить переход к 120- / 128-слойной технологии производства NAND-памяти, чтобы начать массовое производство чипов уже в 2020 году.
Причина такого решения кроется в текущих низких ценах на флеш-память. Для производителей это идеальное время, чтобы взять паузу на освоение новой технологии. Ведь такой переход неизбежно означает снижение объемов выпуска продукции (нужно время для переоснащения производственных линий и налаживания процесса). А это позволит ликвидировать существующий избыток флеш-памяти и поднять цены.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
DRAMeXchange: цена 1 ГБ в некоторых SSD может упасть ниже $0,1
Согласно исследованиям подразделения DRAMeXchange компании TrendForce, индустрия NAND флеш-памяти демонстрирует явные признаки избытка предложения, а поставщики SSD вступили в ценовые войны между собой. В результате наблюдается падений стоимости твердотельных накопителей. Контрактные цены на SSD объемом 512 ГБ и 1 ТБ могут упасть ниже уровня $0,1 за 1 ГБ уже до конца текущего года – это рекордно низкий показатель для индустрии твердотельных накопителей.
В результате OEM-компании могут заменить 128-гигабайтные SSD на 512-гигабайтные варианты. Они станут вторыми по популярности (после 256-гигабайтных) в мейнстрим-классе. Также DRAMeXchange прогнозирует существенный рост для PCIe SSD – их доля на рынке вырастит до 50%.
В ноутбуках дела для твердотельных накопителей идут еще лучше. Они уже преодолели отметку в 50%, а до конца 2019 года SSD будут использоваться в 60 – 65% лептопов.
Ожидается, что по итогам второго квартала текущего года средние контрактные цены для PC OEM-клиентов упадут на 15-26% (SATA SSD) и на 16-37% (PCIe SSD). Низкий спрос и высокие запасы продукции на складах приведет к дальнейшему снижению цен, но оно будет менее существенным, поскольку сами производители приостанавливают расширение производства NAND-памяти, чтобы прекратить падение цен.
https://www.techspot.com
Сергей Будиловский
Накопитель GALAX HOF M.2 PCIe SSD с массивным радиатором и тепловой трубкой
На китайском рынке представлен интересный твердотельный накопитель GALAX HOF M.2 PCIe SSD. Он выделяется оригинальным белым оформлением и массивным радиатором, в конструкции которого присутствует медная тепловая трубка. Все это сделано для снижения внутренней рабочей температуры и поддержания высокого уровня производительности.
В основе GALAX HOF M.2 PCIe SSD находится 8-канальный контроллер Phison PS5012-E12 и 64-слойные микросхемы 3D TLC NAND от Toshiba общим объемом 512 ГБ, 1 и 2 ТБ. В качестве интерфейса используется PCIe Gen3 x4, а также заявлена поддержка спецификации NVMe.
Дата дебюта новинки и цена для европейского рынка пока не сообщается. Сводная таблица технической спецификации накопителя GALAX HOF M.2 PCIe SSD:
|
Модель |
GALAX HOF M.2 PCIe SSD |
||
|
Формат |
M.2 2280 |
||
|
Контроллер |
Phison PS5012-E12 |
||
|
Чипы памяти |
3D TLC NAND |
||
|
Интерфейс |
PCIe Gen3 x4, NVMe |
||
|
Объем, ГБ |
512 |
1000 |
2000 |
|
Максимальная последовательная скорость чтения / записи, МБ/с |
3400 / 2000 |
3400 / 2800 |
3400 / 2800 |
|
Максимальная производительность чтения / записи произвольных блоков объемом 4 КБ, IOPS |
400 000 / 540 000 |
400 000 / 600 000 |
400 000 / 600 000 |
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Не покупайте сейчас ОЗУ: в ближайшие месяцы стоимость снизится
На днях аналитики изменили свой прогноз цены чипов NAND Flash-памяти и спрогнозировали рост их стоимости уже во втором квартале текущего года. Ревизии подверглась и ситуация на рынке оперативной памяти (DRAM). Если вначале аналитики компании TrendForce ожидали падения контрактных цен лишь на серверную DRAM-память, то теперь снижение прогнозируется и для массового пользовательского сегмента. Этому способствует перенасыщение рынка и более низкий спрос, чем изначально предполагалось.
В результате в первом квартале цены должны упасть на 20%, и еще на 15% они снизятся во втором. Всего же по итогам года стоимость должна уменьшиться на 50%. После этого повышения цен не предвидится, ведь на сцену в 2020 году выйдет стандарт DDR5, и именно он постепенно займет лидирующие позиции в мейнстрим-сегменте.
Таким образом, если вы планировали покупку SSD и ОЗУ, то лучше сейчас возьмите твердотельник побольше, а оперативную память можно будет купить в середине года, когда ее цена будет ниже.
https://www.notebookcheck.net
Сергей Будиловский
Стоимость чипов NAND флэш-памяти начнет расти во втором квартале
Если вы в ближайшее время присматривались к SSD, то рекомендуем не откладывать покупку в долгий ящик. Дело в том, что еще в первом квартале текущего года стоимость микросхем NAND Flash будет находиться на низком уровне, но уже во втором квартале она начнет повышаться. А вместе с этим поднимутся и цены на твердотельные накопители.
Также к неблагоприятным для потребителей факторам относят снижение темпов перехода к производству 96-слойных чипов и рост спроса среди OEM-производителей. Например, компания Phison Electronics уже зафиксировала рост продаж собственных контроллеров и доходов за январь на 13,4%. Насколько весомым будет рост и как долго он продлится пока не сообщается, ведь ранее аналитики прогнозировали падение стоимости чипов NAND Flash не только в первом, но и во втором квартале.
https://www.digitimes.com
Сергей Будиловский
Серия SSD Crucial BX500 пополнилась моделью на 960 ГБ
На момент анонса в конце лета серия SSD Crucial BX500 включала в себя три модели объемом 120, 240 и 480 ГБ. Теперь к ним присоединилась версия на 960 ГБ (CT960BX500SSD1). Как и остальные представители, она создана на базе чипов Micron 3D NAND TLC в привычном 2,5-дюймовом форм-факторе (толщина корпуса – 7 мм) и оснащена интерфейсом SATA 6 Гбит/с.
Максимальная последовательная скорость чтения данных в 960-ГБ версии Crucial BX500 составляет 540 МБ/с, а записи – 500 МБ/с. Показатель выносливости (TBW) заявлен на уровне 240 ТБ (или 130 ГБ/день в течение 5 лет), а гарантия составляет 3 года. Также новинка может похвастать рядом полезных технологий: TRIM, Active Garbage Collection, SLC Write Acceleration, Multistep Data Integrity, ECC и S.M.A.R.T. Ее стоимость составляет $129,99.
https://www.crucial.com
http://www.gdm.or.jp
Сергей Будиловский
Серия высокоскоростных накопителей Samsung 860 QVO с памятью QLC NAND
В октябре компания Samsung анонсировала выход на рынок SSD с QLC-памятью (Quad-Level Cell). На днях в некоторых французских и италийских онлайн-магазинах впервые засветились модели серии Samsung 860 QVO, которые как раз и построены на базе QLC-памяти.
Название серии является аббревиатурой от «Quality and Value Optimized SSD». Они построены в привычном 2,5-дюймовом формате и оснащены SATA-интерфейсом. Samsung 860 QVO будут доступны в трех вариант:
- 1 ТБ (MZ-76Q1T0BW) за €140
- 2 ТБ (MZ-76Q2T0BW) за €270
- 4 ТБ (MZ-76Q4T0BW) за €540
Максимальная последовательная скорость чтения и записи у SSD серии Samsung 860 QVO заявлена на уровне 550 и 520 МБ/с. Аналогичные показатели в произвольном режиме составляют 96 000 и 89 000 IOPS. Поставки новинок начнутся в декабре.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
SK Hynix представила 96-слойные микросхемы 4D NAND объемом 512 Гбит
Компания SK Hynix представила новый тип памяти − 4D NAND. Но пусть название не вводит вас в заблуждение – никакого четвертого измерения там нет, это просто усовершенствованная технология 3D TLC NAND. Для ее создания инженеры совместили уже используемый дизайн ячейки с ловушкой заряда (Charge Trap Flash, CTF) с технологией переноса периферийной цепи управления под саму ячейку (Periphery Under Cell, PUC).
Это обеспечило ряд преимуществ. Во-первых, размеры самого чипа сократились на 30%, что позволяет размещать больше микросхем на пластинах и тем самым снизить производственные затраты. Во-вторых, на 30% поднялась скорость записи и на 25% увеличилась скорость чтения. В-третьих, удвоилась пропускная способность данных, а скорость Data I/O поднялась до 1200 Мбит/с при напряжении 1,2 В.
Теперь SK Hynix планирует полностью перейти на технологию 4D NAND. В ее ближайших планах – разработка фирменного контроллера и прошивки, чтобы можно было представить массовые пользовательские накопители объемом до 1 ТБ на базе 4D NAND. В будущем планируется переход на 128-слойный дизайн, с постепенным наращиванием количества слоев до 500 и более. Но на это потребуется не один год.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Новый твердотельный накопитель GIGABYTE SSD 256GB
Серия твердотельных накопителей GIGABYTE SSD пополнилась очередной новинкой объемом 256 ГБ (GP-GSTFS31256GTND). Она создана в традиционном 2,5-дюймовом форм-факторе (100 х 69,85 х 7 мм). Тип NAND флэш-памяти не сообщается, но, скорее всего, речь идет о TLC NAND. Также в конструкции предусмотрена DRAM кэш-память.
В роли внешнего интерфейса выступает привычный SATA 6 Гбит/с. Максимальная последовательная скорость чтения достигает 520 МБ/с, а записи – 500 МБ/с. Эти же показатели для произвольной скорости составляют 80 000 и 85 000 IOPS соответственно.
В активном режиме новинка потребляет 2,6 Вт, а в режиме ожидания – 0,17 Вт. Для нее заявлена поддержка технологий TRIM и S.M.A.R.T. Гарантия на накопитель GIGABYTE SSD 256GB составляет 3 года или 100 ТБ записанной информации (смотря какое событие наступит первым).
https://www.gigabyte.com
http://www.gdm.or.jp
Сергей Будиловский
Цены на DRAM и NAND Flash память упадут в 2019 году
Аналитики из DRAMeXchange прогнозируют падение цен на рынке оперативной и флэш-памяти, которое начнется уже в четвертом квартале текущего года и продолжится в следующем. Ожидается, что по итогам 2019 года стоимость DRAM упадет на 15-20%. Этому поспособствует отсутствие большого роста поставок смартфонов, неопределенность на рынке серверов и ограниченное предложение процессоров Intel. Производители оперативной памяти с высокой вероятностью ожидают перепроизводства своей продукции, что неминуемо потянет цены вниз.
Еще более радужной для потребителей выглядит ситуация с флэш-памятью. Уже в третьем квартале цены упали на 10%. Еще на 10-15% они снизятся по результатам четвертого квартала. А в 2019 году ожидается падение на 25-30% из-за увеличения производственных мощностей для изготовления чипов 3D NAND.
С другой стороны, производители DRAM и NAND могут умышленно сократить производство, чтобы ограничить предложение и удержать цены на высоком уровне. Также аналитики DRAMeXchange отмечают негативное воздействие на цены от торговой войны между США и КНР.
https://www.techpowerup.com
https://www.techspot.com
Сергей Будиловский
Новые твердотельные накопители HyperX Fury RGB и HyperX Savage EXO
Бренд HyperX анонсировал сразу две твердотельные новинки: традиционный 2,5-дюймовый внутренний SSD HyperX Fury RGB и компактный внешний накопитель HyperX Savage EXO.
HyperX Fury RGB сочетает в себе память 3D NAND TLC и контроллер Marvell 88SS1074. Он доступен в трех вариантах объема (240, 480 и 960 ГБ) и оснащен интерфейсом SATA 6 Гбит/с. Максимальная последовательная скорость чтения составляет 550 МБ/с, а записи – 480 МБ/с. Показатель выносливости (TBW) достигает 120, 240 и 480 ТБ соответственно.
Важной особенностью HyperX Fury RGB является RGB LED-подсветка на верхней панели. Для ее активации в корпусе предусмотрен порт micro-USB. Иллюминацией можно управлять с помощью популярных технологий компаний ASUS, ASRock, GIGABYTE и MSI. Стоимость новинки не сообщается, но ее комплект поставки включает в себя кронштейн для установки в 3,5-дюймовый отсек, набор интерфейсных кабелей, внешний корпус и мультифункциональную отвертку.
HyperX Savage EXO нацелен на тех пользователей, кому нужен быстрый, емкий и компактный внешний накопитель. Его размеры составляют 123,82 х 48,61 х 10,24 мм, а масса – 56 грамм. Внутри находятся микросхемы 3D NAND TLC общим объемом 480 или 960 ГБ, а для подключения к компьютеру есть порт USB 3.1 Gen 2 Type-C. Пиковая последовательная скорость чтения и записи составляет 500 и 480 МБ/с соответственно. В продаже новинка появится с 3-летней гарантией, но ценник пока отсутствует.
https://www.techpowerup.com
https://www.hyperxgaming.com
Сергей Будиловский
Твердотельные накопители GIGABYTE M.2 PCIe SSD объемом 128 и 256 ГБ
В мае дебютировала серия 2,5-дюймовых твердотельных накопителей GIGABYTE UD PRO, а теперь к ней присоединились модели линейки GIGABYTE M.2 PCIe SSD. Они созданы в формате M.2 2280 на основе микросхем NAND Flash, тип которых не указывается. Первыми в продажу поступят версии объемом 128 и 256 ГБ, а позже к ним присоединится 512-гигабайтный вариант.
Все три новинки оснащены интерфейсом PCI Express 3.0 x2 и поддержкой спецификации NVMe 1.3. Собственной кэш-памяти у них нет. Вместо этого они используют часть оперативной памяти благодаря технологии Host Memory Buffer (HMB).
Стоимость новинок не сообщается, но в продажу они поступят с 3-летней гарантией или записью 100 ТБ (128 ГБ) / 200 ТБ (256 ГБ) информации – смотря что наступит раньше. Сравнительная таблица технической спецификации накопителей серии GIGABYTE M.2 PCIe SSD выглядит следующим образом:
|
Модель |
GIGABYTE M.2 PCIe SSD 128GB |
GIGABYTE M.2 PCIe SSD 256GB |
|
Форм-фактор |
M.2 2280 |
|
|
Интерфейс |
PCI Express 3.0 x2 |
|
|
Объем, ГБ |
128 |
256 |
|
Максимальная последовательная скорость чтения / записи, МБ/с |
1100 / 500 |
1200 / 800 |
|
Максимальная произвольная скорость чтения / записи, IOPS |
90 000 / 100 000 |
150 000 / 80 000 |
|
Энергопотребление, Вт |
2,51 |
2,2 |
|
Размеры, мм |
80 х 22 х 2,3 |
|
|
Гарантия, ТБ / лет |
100 / 3 |
200 / 3 |
https://www.techpowerup.com
https://www.gigabyte.com
Сергей Будиловский
«Империя наносит ответный удар»: Samsung и SK Hynix снижают темпы расширения производства NAND и DRAM
В августе аналитическая компания Objective Analysis спрогнозировала падение цен на чипы NAND Flash до $0,08 за гигабайт в 2019 году. А в начале сентября DRAMeXchange предположила снижение стоимости DRAM-микросхем в четвертом квартале текущего года и продолжения этого праздника для потребителей в 2019 году.
Но с таким развитием событий не согласны компании Samsung и SK Hynix, которым выгодны высокие цены на рынке. Поэтому они решили снизить темпы расширения производства и ввода в эксплуатацию новых производительных мощностей. Это уменьшит предложение чипов на рынке, что и позволит удержать цены на высоком уровне или даже поднять их, если спрос увеличится.
В частности, Samsung приостановила введение в эксплуатацию новых производственных мощностей по выпуску 1ynm DRAM-чипов на своих южнокорейских фабриках в Хвасоне и Пхентхэке. Ранее там планировалось выпускать дополнительные 30 000 пластин с микросхемами в месяц, начиная с третьего квартала 2018 года. SK Hynix также решила снизить темпы производства, но источник не сообщил подробностей. Все это ставит под сомнение оптимистические прогнозы аналитиков по поводу снижения цен.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Стоимость чипов NAND Flash может достичь $0,08/ГБ в 2019 году
В рамках Flash Memory Summit 2018 аналитик Джим Хэнди (Jim Handy) из компании Objective Analysis сообщил, что в 2019 году стоимость памяти NAND Flash может достичь исторического минимума в $0,08 за ГБ. Если добавить к этому стоимость сопутствующих компонентов (контроллера, опциональной DRAM-памяти и прочих), то получим стоимость SSD объемом 480 – 512 ГБ в районе $70. Версии емкостью 1 ТБ обойдутся ориентировочно в $120, а за 2-терабайтные модели необходимо будет выложить $200.
Господин Хэнди называет две ключевые причины такого катастрофического для производителей и приятного для потребителей снижения цен. Во-первых, это переизбыток флэш-памяти на рынке, что вынуждает производителей снижать цены для продажи своей продукции. Во-вторых, это активный выход еще более экономной QLC-памяти (4 бит на ячейку памяти).
В перспективе, такое положение вещей на рынке могло бы привести к банкротству некоторых производителей, но большинство из них параллельно занимается выпуском DRAM-памяти. А в этом сегменте наблюдается дефицит чипов, поэтому нехватку прибыли от NAND Flash они компенсируют за счет DRAM, что и позволит им пережит подобную ситуацию на рынке. Труднее всех придется традиционным жестким дискам, количество которых в пользовательских системах будет активно снижаться.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
