TEAMGROUP QX SSD объемом 15,3 ТБ и ценником в $3990
Компания TEAMGROUP представила самый емкий твердотельный накопитель потребительского класса – TEAMGROUP QX SSD объемом 15,3 ТБ. Он создан в привычном 2,5-дюймовом формате с толщиной корпуса в 7 мм, поэтому подходит для установки даже в компактных системах и ноутбуках.
В основе новики используются микросхемы 3D QLC, а для передачи данных предусмотрен интерфейс SATA 6 Гбит/с. Благодаря технологиям SLC Caching и DRAM Cache Buffer максимальная последовательная скорость чтения достигает 560 МБ/с, а записи – 480 МБ/с. Показатель TBW составляет 2560 ТБ. Это эквивалентно записи 2,33 ТБ информации в день в течение 3 лет.
В продажу новинка поступит с рекомендованным ценником $3990. Сводная таблица технической спецификации твердотельного накопителя TEAMGROUP QX SSD:
|
Модель |
TEAMGROUP QX SSD |
|
Форм-фактор, дюймов |
2,5 |
|
Микросхемы памяти |
3D QLC |
|
Интерфейс |
SATA 6 Гбит/с |
|
Объем, ТБ |
15,3 |
|
Максимальная скорость последовательного чтения / записи, МБ/с |
560 / 480 |
|
Выносливость (TBW), ТБ |
2560 |
|
Диапазон рабочих температур, °С |
0…70 |
|
Поддержка технологий |
TRIM, NCQ, ECC, Wear-Leveling, SLC Caching, DRAM Cache Buffer |
|
Размеры, мм |
100 х 69,9 х 7 |
|
Гарантия, лет |
3 (ограниченная) |
|
Рекомендованная стоимость, $ |
3990 |
https://www.techpowerup.com
https://www.teamgroupinc.com
Сергей Будиловский
Silicon Power UD70 – M.2 PCIe 3.0 SSD с интересной системой самоохлаждения
Компания Silicon Power представила компактный и быстрый SSD Silicon Power UD70. Он создан в формате M.2 2280 на базе микросхем 3D QLC NAND общим объемом от 500 ГБ до 2 ТБ. Использование четырех линий PCIe 3.0 и стандарта NVMe 1.3 гарантируют высокие скоростные показатели – до 3400 МБ/с при чтении и до 3000 МБ/с при записи.
Важным преимуществом Silicon Power UD70 является двойная система самоохлаждения. Она включает в себя технологии ASPM (Active State Power Management) и APST (Autonomous Power State Transition). Суть их работы в пресс-релизе не уточняется, но названия указывают на регулирование питания с целью снижения температуры. Дополнительно есть система мониторинга температурного троттлинга, которая предотвращает внезапные падения скорости и повреждения данных, вызванные высокой температурой. В целом три этих компонента поддерживают оптимальный баланс между производительностью и температурным режимом накопителя.
Стоимость новинки не уточняется. Сводная таблица технической спецификации накопителя Silicon Power UD70:
|
Модель |
Silicon Power UD70 |
|
Форм-фактор |
M.2 2280 |
|
Тип микросхем памяти |
3D QLC NAND |
|
Интерфейс |
PCIe Gen3 x4 с поддержкой NVMe 1.3 |
|
Объем |
500 ГБ, 1 ТБ, 2 ТБ |
|
Максимальная последовательная скорость чтения / записи |
3400 / 3000 |
|
Диапазон рабочих температур |
0…70°С |
|
Поддержка технологий |
SLC Caching, DRAM Cache Buffe, ASPM, APST, LDPC, E2E, AES |
|
Размеры |
22 х 80 х 3,5 мм |
|
Масса |
8 г |
|
Гарантия |
5 лет |
https://www.silicon-power.com
Сергей Будиловский
Intel SSD 665p – новая серия M.2 PCIe NVMe-накопителей на базе чипов 3D NAND QLC
Компания Intel официально представила серию клиентских твердотельных накопителей SSD 665p. Она изготовлена в формате M.2 2280 на базе связки фирменных 96-слойных микросхем 3D QLC NAND и контроллера Silicon Motion SMI2263. На рынке она заменит серию Intel SSD 660p.
Пока в состав новой линейки входит две модели объемом 1 и 2 ТБ. У младшего варианта показатели производительности чуть ниже, а у старшего – выше. Например, максимальная скорость последовательной записи у терабайтной версии составляет 1925 МБ/с, а у 2-терабайтной – 2000 МБ/с.
В продажу новинки поступят с рекомендованными ценниками $159 и $307 соответственно. Сводная таблица технической спецификации серии накопителей Intel SSD 665p:
|
Модель |
Intel SSD 665p |
|
|
Форм-фактор |
M.2 2280 |
|
|
Тип памяти |
96-слойная 3D QLC NAND |
|
|
Контроллер |
Silicon Motion SMI2263 |
|
|
Интерфейс |
PCIe 3.0 x4, NVMe |
|
|
Объем, ТБ |
1 |
2 |
|
Максимальная последовательная скорость чтения / записи, МБ/с |
2000 / 1925 |
2000 / 2000 |
|
Максимальная произвольная скорость чтения / записи, IOPS |
160 000 / 250 000 |
250 000 / 250 000 |
|
Выносливость (TBW), ТБ |
300 |
600 |
|
Мощность потребления в активном режиме / в режиме ожидания, Вт |
0,1 / 0,04 |
|
|
Гарантия, лет |
5 |
|
|
Масса, г |
<10 |
|
|
Рекомендованная стоимость, $ |
159 |
307 |
https://www.techpowerup.com
https://www.intel.com
Сергей Будиловский
Toshiba планирует купить бизнес накопителей компании Lite-On Technology
Согласно информации издания BusinessKorea, японская компания Toshiba планирует выкупить у тайваньской Lite-On Technology бизнес по производству накопителей. Последняя владеет весьма популярным брендом Plextor, который предлагает дешевые SSD с высокой производительностью. Любопытно, что в прошлом Plextor – это японская компания, которую приобрела Lite-On Technology. Если сделка состоится, то Plextor опять станет брендом японской компании.
Toshiba и так является вторым по величине игроком на глобальном рынке NAND флеш-памяти, но она хочет усилить свои позиции за счет этой сделки. В частности, ее интересуют партнерство Lite-On Technology с некоторыми производителями PC (например, Dell и HP). Также она хочет улучшить портфолио твердотельных накопителей для дата-центров.
Сама же компания Toshiba недавно анонсировала работу над новым типом NAND-памяти – Penta Level Cell (PLC). То есть каждая ячейка может хранить 5 бит информации (SLC – 1 бит, MLC – 2 бит, TLC – 3 бит, QLC – 4 бит). Это позволяет увеличить общий объем SSD и снизить стоимость производства. С другой стороны, это негативно скажется на скоростных показателях и выносливости. В данный момент доминирует память TLC, но Samsung и SK Hynix уже представили QLC-чипы.
http://www.businesskorea.co.kr
Сергей Будиловский
Новый контроллер Phison PS5018-E18 поднимет скорости SSD до 7 ГБ/с
В данный момент все пользовательские SSD с интерфейсом PCIe 4.0 используют контроллер Phison PS5016-E16. Он обеспечивает максимальные последовательные скорости чтения / записи на уровне 5000 / 4400 МБ/с. Производительность при работе со случайными данными достигает 750 000 IOPS.
Но Phison не останавливается на достигнутом и уже анонсировала новый контролер PS5018-E18. Он выполнен на более тонком техпроцессе (12 вместо 28 нм) и использует в своей структуре три 32-битных процессора ARM Cortex R5 вместо двух. Скорость каждого канала памяти увеличена с 800 до 1200 МТ/с.
В результате Phison PS5018-E18 обещает поднять последовательную скорость чтения и записи до 7 ГБ/с, а произвольную – до 1 000 000 IOPS. Также новинка получит ряд следующих преимуществ:
- поддержку кеш-памяти DDR4/LPDDR4;
- возможность работать с памятью TLC и QLC объемом до 8 ТБ;
- поддержку протокола NVMe 1.4.
Новый контроллер будет доступен во втором квартале 2020 года.
https://www.overclock3d.net
Сергей Будиловский
Серия высокоскоростных накопителей Samsung 860 QVO с памятью QLC NAND
В октябре компания Samsung анонсировала выход на рынок SSD с QLC-памятью (Quad-Level Cell). На днях в некоторых французских и италийских онлайн-магазинах впервые засветились модели серии Samsung 860 QVO, которые как раз и построены на базе QLC-памяти.
Название серии является аббревиатурой от «Quality and Value Optimized SSD». Они построены в привычном 2,5-дюймовом формате и оснащены SATA-интерфейсом. Samsung 860 QVO будут доступны в трех вариант:
- 1 ТБ (MZ-76Q1T0BW) за €140
- 2 ТБ (MZ-76Q2T0BW) за €270
- 4 ТБ (MZ-76Q4T0BW) за €540
Максимальная последовательная скорость чтения и записи у SSD серии Samsung 860 QVO заявлена на уровне 550 и 520 МБ/с. Аналогичные показатели в произвольном режиме составляют 96 000 и 89 000 IOPS. Поставки новинок начнутся в декабре.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Стоимость чипов NAND Flash может достичь $0,08/ГБ в 2019 году
В рамках Flash Memory Summit 2018 аналитик Джим Хэнди (Jim Handy) из компании Objective Analysis сообщил, что в 2019 году стоимость памяти NAND Flash может достичь исторического минимума в $0,08 за ГБ. Если добавить к этому стоимость сопутствующих компонентов (контроллера, опциональной DRAM-памяти и прочих), то получим стоимость SSD объемом 480 – 512 ГБ в районе $70. Версии емкостью 1 ТБ обойдутся ориентировочно в $120, а за 2-терабайтные модели необходимо будет выложить $200.
Господин Хэнди называет две ключевые причины такого катастрофического для производителей и приятного для потребителей снижения цен. Во-первых, это переизбыток флэш-памяти на рынке, что вынуждает производителей снижать цены для продажи своей продукции. Во-вторых, это активный выход еще более экономной QLC-памяти (4 бит на ячейку памяти).
В перспективе, такое положение вещей на рынке могло бы привести к банкротству некоторых производителей, но большинство из них параллельно занимается выпуском DRAM-памяти. А в этом сегменте наблюдается дефицит чипов, поэтому нехватку прибыли от NAND Flash они компенсируют за счет DRAM, что и позволит им пережит подобную ситуацию на рынке. Труднее всех придется традиционным жестким дискам, количество которых в пользовательских системах будет активно снижаться.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Серия M.2 SSD Intel 660p: $100 за 512 ГБ и $400 за 2 ТБ
С массовым выходом на рынок QLC-памяти (Quadruple Level Cell, может хранить 4 бита в ячейке памяти) пользователи смогут приобрести более емкие модели по более привлекательным ценам. Например, новая серия Intel 660p предлагает 512-гигабайтный вариант за $99,99, а за 1- и 2-терабайтные версии необходимо будет выложить $199,99 и $399,99 соответственно.
При этом речь идет о быстрых M.2 SSD с интерфейсом PCIe 3.0 x4. Максимальная последовательная скорость чтения и записи у них достигает 1800 МБ/с, а произвольная скорость работы с данными объемом 4 КБ составляет 220 000 IOPS. Новинки построены на базе 64-слойных 3D QLC NAND-памяти от компании IMFlash Technology (совместное предприятие Intel и Micron) и контроллера SIlicon Motion SMI 2263. Более 10% памяти от общего объема используется для реализации режима SLC Cache.
Сравнительная таблица технической спецификации накопителей серии Intel 660p:
|
Серия |
Intel 660p |
||
|
Форм-фактор |
M.2 2280 |
||
|
Тип памяти |
64-слойная 3D QLC NAND |
||
|
Контроллер |
SIlicon Motion SMI 2263 |
||
|
Интерфейс |
PCIe 3.0 x4 |
||
|
Объем |
512 ГБ |
1 ТБ |
2 ТБ |
|
Максимальная последовательная скорость чтения / записи |
1500 / 1000 МБ/с |
1800 / 1800 МБ/с |
1800 / 1800 МБ/с |
|
Максимальная произвольная скорость чтения / записи данных объемом 4 КБ |
90 000 / 220 000 IOPS |
150 000 / 220 000 IOPS |
220 000 / 220 000 IOPS |
|
Рекомендованная стоимость |
$99,99 |
$199,99 |
$399,99 |
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Samsung начала массовое производство пользовательских SSD на базе чипов QLC
Компания Samsung сообщила о начале массового производства 2,5-дюймовых SSD на основе 4-битных (QLC, Quad-Level Cell) 64-слойных микросхем памяти V-NAND четвертого поколения емкостью 1 Тбит (128 ГБ). Всего в корпусе будет 8, 16 или 32 таких микросхемы, поэтому общий объем Samsung QLC SSD составит 1, 2 или 4 ТБ.
Последовательная скорость чтения новинок достигнет 540 МБ/с, а записи – 520 МБ/с, что соответствует уровню актуальных твердотельных накопителей с чипами MLC и TLC. Для этого Samsung использовала 3-битный SSD-контроллер и технологию TurboWrite. Показатели выносливости для новинок пока не сообщаются, но в продажу они поступят с 3-летней гарантией, поэтому рядовым пользователям можно не волноваться.
Дата начала продаж и стоимости накопителей Samsung QLC SSD пока не сообщаются.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Toshiba разработала 96-слойные чипы BiCS QLC 3D NAND
Компания Toshiba сообщила о разработке прототипа 96-слойной BiCS флэш-памяти стандарта QLC 3D NAND, то есть в одной ячейке памяти она может хранить четыре бита информации (Quad Level Cell, QLC). В результате максимальный объем одного чипа поднимается до 1,33 Тбит. Если же использовать стековую структуру из 16 подобных чипов в одном корпусе, то емкость такой микросхемы составит внушительные 2,66 Тбайт. Это открывает новые горизонты емкостей для традиционных SSD и накопителей для мобильных устройств.
Обратной стороной медали является снижение выносливости памяти (уменьшение количества циклов перезаписи) и скоростных характеристик, что вынуждает производителей разрабатывать более продвинутые алгоритмы выбора ячеек для хранения данных и коррекции ошибок при передаче информации. Но об этих технических нюансах Toshiba не говорит в своем пресс-релизе.
Уже в начале сентября компания планирует начать поставки тестовых образцов новых 96-слойных чипов BiCS QLC 3D NAND производителям твердотельных накопителей и SSD-контроллеров. Массовое их производство планируется в 2019 году.
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Micron 5210 ION SSD – первые твердотельные накопители с памятью QLC NAND
SSD все чаще вторгаются на территорию, ранее занимаемую исключительно жесткими дисками. Очередную вылазку с целью оттеснить конкурента предприняла компания Micron, представив первую в отрасли модель с памятью Quad-level Cell (QLC) NAND − Micron 5210 ION SSD. Благодаря возможности записи четырех бит информации в каждой ячейке, QLC обеспечивает на 33% более высокую плотность записи информации, достигая показателя в 1 Тбит/ядро при условии использования 64-слойной структуры 3D NAND. Поэтому Micron 5210 ION в первую очередь нацелен на использование в промышленном и корпоративном сегменте. Он подойдет для нужд облачных серверов, систем AI, Big Data, баз данных и т.д.
Новинка создана в привычном 2,5-дюймовом форм-факторе (7 мм) с интерфейсом SATA 6 Гбит/с и будет доступна в объеме от 1,92 до 7,68 ТБ. Поскольку переход с TLC на QLC приводит к дальнейшему падению скорости записи и показателя выносливости, то Micron разработала уникальную технологию Flex Capacity. Она позволяет вручную настроить выносливость и производительность записи в тех задачах, в которых есть высокая доля операций записи, хотя превалируют операции чтения. Более конкретные подробности этой технологии или скоростные показатели Micron 5210 ION SSD не сообщаются. Ценники также пока держатся в секрете.
https://www.anandtech.com
http://investors.micron.com
Сергей Будиловский
В сети засветились твердотельные накопители линеек Intel 760p и 660p
Крупный тайваньский интернет-магазин Autobuy опубликовал страничку с предзаказом готовящихся к выходу линеек твердотельных накопителей Intel 760p и Intel 660p в форм-факторе M.2 с поддержкой протокола NVMe. Представители первой из них построены с использованием флэш-памяти 3D TLC NAND и будут доступны в объемах 128, 256, 512 ГБ, а также 1 и 2 ТБ. Скорость их последовательного чтения и записи достигает 3200 и 1600 МБ/с соответственно, а показатели произвольного чтения и записи достигают 350 000 и 280 000 IOPS. Их стоимость заявлена на уровне $96, $120, $240, $448 и $893.
В свою очередь линейка твердотельных накопителей Intel 660p использует флэш-память 3D QLC NAND, которая отличается возможностью хранения 4 бит в ячейке против 3 у TLC. Однако скоростные показатели этой линейки ощутимо ниже – 1800 и 1100 МБ/с для последовательного чтения и записи и 150 000 IOPS для произвольного. SSD линейки Intel 660p будут поставляться в объемах 512 ГБ, 1 и 2 ТБ, однако их стоимость пока не сообщается.
Toshiba представила первую в мире микросхему памяти QLC 3D NAND объемом 96 ГБ
Компания Toshiba сделала еще один шаг на пути полной замены HDD на SSD, представив первую в мире микросхему BiCS FLASH 3D со стековой структурой ячеек и возможностью хранения 4 бит в ячейке (QLC). То есть новая технология является дальнейшим развитием памяти TLC (3 бита в ячейке).
Готовый прототип новой памяти Toshiba QLC 3D NAND использует 64-слойную структуру с емкостью ядра на уровне 768 Гбит/ 96 ГБ. Первые поставки новых микросхем для производителей SSD и контроллеров твердотельных накопителей для изучения их возможностей стартовали в июне. А уже в рамках мероприятия Flash Memory Summit 2017 (7-10 августа) компания Toshiba планирует представить готовый SSD объемом 1,5 ТБ, который будет создан на базе 16 микросхем QLC 3D NAND.
В своем пресс-релизе Toshiba лишь вскользь касается технических сложностей, с которыми ей пришлось столкнуться при создании QLC-памяти. Упоминается о необходимости повышения аккуратности работы с ячейками в два раза по сравнению с TLC-памятью. То есть можно предположить, что новые микросхемы требуют еще более сложных алгоритмов для корректной работы с данными, что в свою очередь повышает задержки и снижает скоростные характеристики. Остается подождать еще немного и узнать официальные данные касательно уровня производительности и надежности их службы.
https://www.dvhardware.net
Сергей Будиловский
