up
ru ua
menu

ru.gecid.com-160x600-05-2020.jpg


sk hynix

Выбрать из: Обзоров Новостей
Только в разделе
Искать в найденом тег:

Обзор комплекта оперативной памяти DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K объемом 16 ГБ: интересный вариант

Компанию Patriot Memory сложно назвать новичком на рынке памяти. Она основана еще в 1985 году в США тремя одноклассниками (Paul, Doug и Phil), первые буквы имен которых и легли в основу ее первого названия PDP Systems. В 2003 году она произвела небольшую революцию на рынке оперативной памяти, оснастив свои модули металлическими радиаторами. Сейчас это уже является обычным подходом, но тогда было в новинку.

Patriot Memory продолжает радовать своих поклонников различными решениями с предустановленными радиаторами. Одним из ярких представителей является линейка Patriot Viper Steel. Она уже достаточно давно присутствует на рынке, но продолжает активно развиваться. В ноябре 2018 года она пополнилась моделями с частотой DDR4-4400 МГц, а уже в апреле 2019 года в ее состав вошли модули формата SO-DIMM.

DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K

На текущий момент линейка выглядит очень разнообразно и включает в себя 21 вариант UDIMM и 9 SO-DIMM. С полным перечнем моделей вы можете ознакомиться на фирменном сайте, а мы тем временем сосредоточимся на комплекте DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K объемом 16 ГБ, который и приехал к нам на тестирование. 

Спецификация

Модель

DDR4-3733 Patriot Viper Steel

Маркировка модулей

PVS416G373C7K

Тип памяти

DDR4

Форм-фактор

DIMM

Количество модулей в наборе

2

Объем памяти каждого модуля

8 ГБ

Суммарный объем памяти комплекта

16 ГБ

Номинальное напряжение питания

1,2 В

Конфигурация модуля

1024М х 64 (1-ранговый)

Конфигурация чипа памяти

1024M x 8

Обычные режимы работы

DDR4-2133 16-15-15-36 (1,2 В)

DDR4-2133 15-15-15-36 (1,2 В)

DDR4-1866 14-13-13-31 (1,2 В)

DDR4-1866 13-13-13-31 (1,2 В)

DDR4-1600 12-11-11-27 (1,2 В)

DDR4-1600 11-11-11-27 (1,2 В)

DDR4-1333 10-9-9-22 (1,2 В)

Расширенный профиль XMP 2.0

DDR4-3733 17-21-21-41 (1,35 В)

Высота модуля

44,4 мм

Гарантия

Ограниченная пожизненная

Страница продукта

Patriot Viper Steel

Упаковка и комплектация

DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K

Комплект DDR4-3733 Patriot Viper Steel поставляется в небольшой картонной коробке, а не в простой блистерной упаковке. На ее лицевой стороне находится изображение самих модулей, их объем и скорость. Обратная сторона отведена под рекламное описание на нескольких языках.

DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K

Помимо самих модулей, в коробке находится только наклейка с логотипом серии Viper.

Внешний вид и особенности модулей

DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K

Во внешности сразу бросается в глаза отсутствие LED-подсветки. Это может разочаровать одних, но обязательно порадует тех, кто не хочет за нее переплачивать. Радиаторы выглядят очень стильно и строго. Они не привлекают к себе излишнего внимания и понравятся любителям сдержанного дизайна.

DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K

На обратной стороне расположена гарантийная наклейка. Она сообщает необходимую техническую информацию: маркировку, серийный номер, частоту и объем комплекта.

DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K

Общая высота модулей достигает 44,4 мм. В большинстве случаев никаких проблем с совместимостью с габаритными процессорными кулерами возникнуть не должно, но обладателям особо крупных моделей следует изучить этот вопрос до их покупки.

Технические характеристики и режимы работы

Для получения подробных технических данных мы использовали утилиту Thaiphoon Burner, которая специально разработана для диагностики оперативной памяти. Ниже подан подробный отчет для тестируемого комплекта.

DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K

DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K

Программы Thaiphoon Burner и AIDA64 предоставляют дополнительную информацию без снятия радиаторов. Например, они подсказывают, что модули используют одноранговую структуру и 8-слойную печатную плату на основе типовой карты A0. Внутри каждого из них находятся микросхемы SK hynix с маркировкой H5AN8G8NCJR-TFC и объемом 8 Гбит. Суммарная емкость достигает 64 Гбит или 8 ГБ.

DDR4-3733 Patriot Viper Steel PVS416G373C7K

Активация ХМР-профиля прошла без каких-либо проблем. Он обладает следующими характеристиками: DDR4-3733 МГц при напряжении 1,35 В и таймингах 17-21-21-41. 

Тэги: ddr4   patriot   xmp   sk hynix   dimm   
Читать обзор полностью >>>

AMD и Intel уже готовятся перейти на стандарты DDR5 и PCIe 5.0

Линейка десктопных процессоров AMD Ryzen 4000 на базе микроархитектуры Zen 3, которая дебютирует во второй половине текущего года, станет последним представителем платформы Socket AM4. В 2021 году AMD анонсирует новую линейку CPU на базе Zen 4 под новый разъем, но она будет доступна на рынке в 2022 году. Кроме того, она принесет с собой поддержку памяти DDR5 и интерфейса PCIe 5.0.

DDR5

Intel со своей стороны также готовится перейти на новые стандарты. Более того, именно она может первой интегрировать поддержку DDR5 в свои серверные 10-нм процессоры линейки Intel Xeon Sapphire Rapids. Их дебют ожидается в 2021 году.

Переход на новый стандарт форсируют и производители самих чипов оперативной памяти. Например, SK hynix уже в этом году начнет производство микросхем DDR5 с эффективной скоростью 4800 МГц. Позже на рынке появятся модели с частотой до 8400 МГц.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: ddr5   intel   amd   sk hynix   amd ryzen   intel xeon   
Читать новость полностью >>>

SK hynix начнет производство памяти DDR5 в этом году

Компания SK hynix поделилась интересной информацией касательно памяти DDR5, и ее преимуществ над DDR4. Она будет более производительной, емкой, энергоэффективной и дешевой. Для достижения этого есть все предпосылки.

SK hynix DDR5

Во-первых, DDR5 сможет использовать структуру с 32 банками, созданную на базе восьми групп. Это в 2 раза превышает возможности DDR4 (максимум 16 банков на базе четырех групп), что позволяет удвоить скорость доступа к данным.

Во-вторых, длина пакетов (Burst Length, BL) в DDR5 увеличивается с 8 до 16. В-третьих, память DDR4 не может выполнять другие операции во время обновления таймингов, а DDR5 может благодаря функции Same Bank Refresh. В-четвертых, стандарт DDR5 увеличивает скорость на контакт за счет интеграции микросхемы Decision Feedback Equalization (DFE), которая повышает целостность сигнала при работе с большим количеством каналов и модулей DIMM.

SK hynix DDR5

Список преимуществ и особенностей микросхем DDR5 компании SK hynix можно продолжить следующими позициями:

  • снижение рабочего напряжения с 1,2 до 1,1 В;
  • использование в самих микросхемах алгоритмов Error Correction Code (ECC) и Error Check And Scrub (ECS);
  • увеличение пропускной способности с 1600 – 3200 Мбит/с (DDR4) до 3200 – 8400 Мбит/с (DDR5);
  • увеличение емкости самих микросхем с максимум 16 Гбит (DDR4) до 64 Гбит (DDR5).

SK hynix DDR5

Согласно анализу компании International Data Corporation (IDC), спрос на память DDR5 начнет расти начиная с 2020 года. До конца 2021 года этот стандарт займет 22% рынка, а в 2022 его доля вырастет до 43%. SK hynix планирует защищать свои лидерские позиции, и поначалу предложит покупателям 16-гигабитные чипы DDR5, созданные на базе 10-нм технологии. Позже появятся и другие варианты по объему и скорости.

https://www.techpowerup.com
https://news.skhynix.com
Сергей Будиловский

Тэги: sk hynix   ddr5   ddr4   ecc   
Читать новость полностью >>>

Фото с характеристиками AMD Radeon RX 5950XT оказалось фейком

На днях Twitter-аккаунт CyberPunkCat со ссылкой на свой источник в компании SK hynix опубликовал характеристики новой видеокарты с кодовым именем «D32310/15». На фото также упоминалось название «5950XT», указывая на новый флагман AMD.

AMD Radeon RX 5950XT

Однако опубликованное фото оказалось фейком. Об этом заявила сама компания SK hynix в своем пресс-релизе. Она не создавала и не распространяла подобной спецификации и документа, фигурировавшего на фото. После собственного расследования она пришла к выводу, что фото было сфабриковано.

Кроме того, характеристики памяти HBM2E на снимке указаны неверно. А текст взят из официальной страницы корейской версии сайта SK hynix, но он не имеет никакого отношения к спецификации видеокарты.

Сейчас Twitter-аккаунт CyberPunkCat уже удален.

https://www.tomshardware.com
https://news.skhynix.com
Сергей Будиловский

Тэги: sk hynix   amd   amd radeon   hbm2e   radeon rx 5950xt   
Читать новость полностью >>>

Предположительные характеристики AMD Radeon RX 5950XT: 5120 потоковых процессоров, 24 ГБ памяти HBM2e

Twitter-аккаунт CyberPunkCat со ссылкой на свой источник в компании SK Hynix опубликовал характеристики новой видеокарты с кодовым именем «D32310/15», которое ранее упоминало агентство RRA. В тексте можно заметить наименование «5950XT». В прошлом году SAPPHIRE опубликовала на сайте ЕЭК ряд новых имен для видеокарт. Угадайте с двух раз, какое обозначение получила топовая из них? Все верно – RX 5950XT.

То есть можно с большой долей вероятности говорить, что речь идет именно о новом флагмане AMD Radeon RX 5950XT (он же Big Navi), созданном на базе микроархитектуры RDNA 2 (7-нм+). Еще одно подтверждение этому – объем кеш-памяти L2. Он составляет внушительные 12 МБ. Для сравнения: у RX 5700 XT – 4 МБ, у RTX 2080 Ti – 5,5 МБ, а у TITAN RTX – 6 МБ.

Остальные характеристики также находятся на очень высоком уровне:

  • 80 вычислительных блоков CU
  • 5120 потоковых процессоров
  • 320 текстурных блоков
  • 96 растровых блоков
  • 24 ГБ памяти HBM2e с 4096-битной шиной и пропускной способностью 2048 ГБ/с

Новые подробности можем узнать уже 5-го марта во время мероприятия AMD Financial Analyst Day.

https://wccftech.com
Сергей Будиловский

Тэги: amd   hbm2   sapphire   rdna 2   sk hynix   
Читать новость полностью >>>

Обзор комплекта оперативной памяти DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα объемом 16 ГБ: оптимальный выбор?

С каждым новым анонсом AMD все больше привлекает к себе внимание потенциальных покупателей, которые при выборе новой системы раньше даже и не думали об альтернативе Intel. Например, летом 2019 года она выпустила в массы новые процессоры линейки AMD Ryzen 3000 вместе с чипсетом AMD X570, подняв гарантированную частоту для моделей памяти с 2933 до 3200 МГц. Производители ОЗУ также заметили возросший спрос на продукцию AMD и стали уделять больше внимания совместимости своих продуктов с платформой Socket AM4. Появились даже отдельные линейки, оптимизированные под AMD Ryzen.

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

Одной из них является серия игровой оперативной памяти T-FORCE DARK Zα. Она включает в себя модули с тремя вариантами частоты (DDR4-3200, 3600 и 4000 МГц) и двумя версиями объема (2 х 8 ГБ, 2 х 16 ГБ).

Важным достоинством этой серии выступает цена. В США просят всего $99 за комплект объемом 16 ГБ с частотой DDR4-4000 МГц. Именно он и приехал к нам на тестирование. Покупка аналогичного набора с частотой DDR4-3200 МГц обойдется вам в $79. Давайте же для начала взглянем на его ТТХ.

Спецификация

Модель

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

Маркировка модулей

TDZAD416G4000HC18JDC01

Тип памяти

DDR4

Форм-фактор

DIMM

Количество модулей в наборе

2

Объем памяти каждого модуля

8 ГБ

Суммарный объем памяти комплекта

16 ГБ

Номинальное напряжение питания

1,20 В

Конфигурация модуля

1024М х 64 (1-ранговый)

Конфигурация чипа памяти

1024M x 8

Обычные режимы работы

DDR4-2400 18-16-16-39 (1,2 В)

DDR4-2400 17-16-16-39 (1,2 В)

DDR4-2400 16-16-16-39 (1,2 В)

DDR4-2133 15-15-15-35 (1,2 В)

DDR4-1866 14-13-13-30 (1,2 В)

DDR4-1866 13-13-13-30 (1,2 В)

DDR4-1600 12-11-11-26 (1,2 В)

DDR4-1600 11-11-11-26 (1,2 В)

DDR4-1333 10-9-9-22 (1,2 В)

Расширенный профиль XMP 2.0

DDR4-4000 18-22-22-42 (1,35 В)

Размеры модуля

141 х 43,5 х 8,3 мм

Гарантия

Пожизненная

Страница продукта

TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

Упаковка и комплектация

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

Комплект DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα поставляется в простой блистерной упаковке, что неудивительно, принимая во внимание ценовое позиционирование. Внутри находится картонная подложка черного цвета с названием модулей памяти и логотипом линейки T-FORCE.

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

На обратной стороне есть небольшое описание линейки и краткий перечень основных преимуществ.

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

Комплект поставки включает в себя небольшую наклейку и гарантийный талон.

Внешний вид и особенности модулей

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

Модули отличаются строгим дизайном, который хорошо подойдет к облику практически любой системы. LED-подсветки в нем нет, поэтому любителям ярких решений придется поискать что-то другое.

Для охлаждения чипов памяти используются алюминиевые радиаторы толщиной 0,8 мм с оребрением в верхней части. В черный цвет они окрашены методом электролитического анодирования. Это не только повышает устойчивость к коррозии, но и делает модули непроводящими.

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

На обратной стороне расположены гарантийные наклейки с необходимой технической информацией: маркировкой, серийным номером, частотой и объемом модуля.

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

Общая высота планок достигает 43,5 мм. В большинстве случаев никаких проблем с совместимостью с габаритными процессорными кулерами возникнуть не должно.

Технические характеристики и режимы работы

Для получения подробных технических данных мы использовали утилиту Thaiphoon Burner, которая специально разработана для диагностики оперативной памяти.

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

Она выдала интересную дополнительную информацию без снятия радиаторов. Например, модули используют одноранговую структуру и 8-слойную печатную плату на основе типовой карты A2. Внутри каждого из них находятся восемь микросхем SK Hynix с маркировкой H5AN8G8NAFR-UHC и объемом 8 Гбит, что обеспечивает суммарную емкость 64 Гбит или 8 ГБ.

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

Активация ХМР-профиля прошла без каких-либо проблем. Он обладает следующими характеристиками: DDR4-4000 МГц при напряжении 1,35 В и таймингах 18-22-22-42.

Тестирование и разгон

Для проведения тестов мы использовали такую конфигурацию стенда:

Процессор

Intel Core i7-9700K (Socket LGA1151, 3,6 ГГц, L3 12 МБ)
Turbo Boost: enable

Материнская плата

MSI MPG Z390 Gaming Plus (Intel Z390, Socket LGA1151, DDR4, E-ATX)

Кулер

Noctua NH-U14S

Видеокарта

Palit GeForce RTX 2080 GAMING PRO OC

Накопитель

GOODRAM IRIDIUM PRO 240 GB (2,5” SATA 3)

Блок питания

Seasonic SS-750HT Active PFC F3

16-гигабайтный комплект памяти DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα протестирован в четырех режимах работы:

  • DDR4-2666 при таймингах 16-16-16-36 и напряжении 1,2 В
  • DDR4-3466 при таймингах 18-22-22-40 и напряжении 1,2 В
  • DDR4-4000 при таймингах 18-22-22-40 и напряжении 1,35 В
  • DDR4-4266 при таймингах 18-22-22-40 и напряжении 1,35 В

Для начала оценим изменения уровня производительности в синтетических тестах.

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

DDR4-4000 TEAMGROUP T-FORCE DARK Zα

При работе с оперативной памятью в AIDA64 переход с DDR4-2666 до DDR4-3466 обеспечивает прирост на уровне 23-29%. Если же сравнить DDR4-2666 и DDR4-4000 МГц, то бонус производительности будет на уровне 38-49%. Самый большой разрыв в 45-55% наблюдается между DDR4-2666 и DDR4-4266 МГц. При этом разница в скорости доступа между DDR4-2666 и DDR4-4266 МГц достигает 9,1 нс (16,9%). 

Тэги: ddr4   teamgroup   amd   amd ryzen   sk hynix   xmp   
Читать обзор полностью >>>

CES 2020: SK hynix представит новые SSD на базе 128-слойной памяти 4D NAND

В рамках выставки CES 2020 компания SK Hynix представит новые твердотельные накопители – SK hynix Gold S31 SATA, Gold P31 PCIe и Platinum P31 PCIe SSD. Они построены на базе фирменных 128-слойных микросхем памяти 4D NAND, массовое производство которых началось шесть месяцев назад.

SK hynix Gold S31

Новинки принадлежат к премиум-сегменту. Они нацелены на требовательных пользователей для решения сложных творческих задач и запуска игр. Также в пресс-релизе упоминается, что для своих продуктов SK hynix использует не только собственные NAND-чипы, но также микросхемы DRAM кеш-памяти и фирменные контроллеры. К сожалению, другие подробности новинок, включая технические характеристики, пока отсутствуют.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: sk hynix   ssd   ces   4d nand   
Читать новость полностью >>>

Обзор накопителя Seagate FireCuda 520 SSD: максимум скорости

С момента выхода на рынок материнских плат на базе чипсета AMD X570 с поддержкой интерфейса PCI Express 4.0 прошло уже достаточно времени, чтобы все желающие успели оценить преимущества новых быстрых твердотельных накопителей. Ведь переход на новый стандарт благотворно сказался именно на скорости их работы. И нет ничего удивительного в том, что с каждым месяцем накопителей с его поддержкой становится все больше. Правда, пока что кардинальные отличия между устройствами от разных производителей зачастую кроются исключительно в прошивке, поскольку все они основаны на связке контроллера Phison PS5016-E16 и 96-слойных чипов памяти 3D NAND TLC от Toshiba.

Seagate FireCuda 520 SSD

Сегодня у нас на тестировании модель Seagate FireCuda 520 SSD, представленная в начале ноября 2019 года. Она базируется как раз на упомянутой выше комбинации компонентов. Давайте же взглянем, как данная новинка покажет себя на практике.

Спецификация

Модель

Seagate FireCuda 520 SSD

(ZP2000GM30002)

Форм-фактор

M.2 2280

Интерфейс

PCIe 4.0 x4 с поддержкой NVMe 1.3

Контроллер

Seagate STXZP010BE70

(Phison PS5016-E16)

Тип микросхем памяти

96-слойная Toshiba BiCS4 3D NAND TLC

Объем, ТБ

2

Кеш-память DDR4, МБ

2048

Максимальная последовательная скорость чтения / записи, МБ/с

5000 / 4400

Максимальная скорость произвольного чтения / записи, IOPS

750 000 / 700 000

TBW, ТБ

3600

MTBF, ч

1 800 000

Диапазон рабочих температур, °C

0…+70

Размеры, мм

80,15 x 22,15 x 3,58

Вес, грамм

8,7

Гарантия производителя, лет

5

Страница продукта

Seagate FireCuda 520 SSD

Упаковка и комплектация

Seagate FireCuda 520 SSD Seagate FireCuda 520 SSD

SSD поставляется в небольшой картонной коробке с качественной полиграфией. На лицевой стороне находится изображение самого устройства, наименование компании-производителя, указание модели, а также упоминание о скорости и объеме. На обратной стороне есть наклейка с сервисной информацией и краткое описание продукта на нескольких языках.

Seagate FireCuda 520 SSD

Внутри коробки мы обнаружили накопитель и гарантийный талон. Радиатора в комплекте нет, но это даже хорошо для тех, у кого радиатор для M.2 SSD предустановлен на материнской плате.

Внешний вид устройства и его особенности

Seagate FireCuda 520 SSD

Seagate FireCuda 520 SSD выполнен на печатной плате черного цвета и имеет двустороннюю компоновку. Все интересующие нас элементы вроде микросхем кеш-памяти, контроллера и чипов памяти закрыты наклейками. На лицевой стороне указано наименование компании-производителя и модели устройства.

Seagate FireCuda 520 SSD

Наклейка на обратной стороне имеет необходимую сервисную информацию и отметки о прохождении различных сертификаций.

Seagate FireCuda 520 SSD

Срываем наклейки, и на лицевой стороне печатной платы обнаруживаем контроллер, пару микросхем памяти и микросхему кеша.

Seagate FireCuda 520 SSD

Обратная сторона примечательна еще двумя чипами флеш-памяти и второй микросхемой кеш-памяти.

Seagate FireCuda 520 SSD

Seagate FireCuda 520 SSD

В качестве контроллера выступает Phison PS5016-E16, промаркированный как Seagate STXZP010BE70. Он построен на базе двух 28-нм процессоров ARM Cortex R5 и поддерживает работу с накопителями объемом до 8 ТБ. Максимальная скорость последовательного чтения и записи составляет 5000 и 4400 МБ/с соответственно. Присутствует поддержка интеллектуального контроля температуры и LPDC ECC четвертого поколения

Seagate FireCuda 520 SSD

Для хранения данных используются четыре 96-слойные микросхемы Toshiba BiCS4 3D NAND TLC с маркировкой «TABHG65AWV» и объемом 512 ГБ каждая.

Seagate FireCuda 520 SSD

Кеш-память реализована на базе пары микросхем DDR4-2400 МГц емкостью по 8 Гбит (1024 МБ) от компании SK hynix с маркировкой «H5AN8G8NAFR».

Тестирование

Для тестирования использовался следующий стенд:

Процессор

AMD Ryzen 9 3900X (Socket AM4, 12/24 х 3,8 – 4,6 ГГц, 105 Вт TDP)

Материнская плата

ASUS ROG Crosshair VIII Hero

Оперативная память

2 х 8 ГБ DDR4-3600 G.SKILL F4-3600C16D-16GTRG

Видеокарта

Palit GeForce RTX 2060 GamingPro

SSD

PATRIOT P200 1TB P200S1TB25

Блок питания

be quiet! PURE POWER 11 700W

Seagate FireCuda 520 SSD

В ATTO Disk Benchmark максимальная скорость чтения достигла 5,25 ГБ/с, а записи – 3,95 ГБ/с.

Seagate FireCuda 520 SSD

Скорости чтения и записи данных объемом 4 КБ в ATTO Disk Benchmark находятся на достойном уровне, опережая все представленные в сравнении модели.

Seagate FireCuda 520 SSD

Скорость чтения в CrystalDiskMark оказалась ниже, а записи – выше, чем в ATTO Disk Benchmark: 4997 и 4450 МБ/с для чтения и записи, что соответствует заявленным показателям (5000 и 4400 МБ/с для чтения и записи).

Seagate FireCuda 520 SSD

Seagate FireCuda 520 SSD

AS SSD Benchmark, как и CrystalDiskMark, оценивает работу с несжимаемыми данными. Он показал 4257 и 4117 МБ/с при чтении и записи.  

Тэги: ssd   seagate   firecuda   toshiba   phison   3d nand   bics   pci express   m.2   ecc   nvme   sk hynix   
Читать обзор полностью >>>

Обзор SSD Patriot Viper VP4100 объемом 1 ТБ: покоритель новых скоростных вершин

Одним из ключевых достоинств анонсированного вместе с процессорами AMD Ryzen 3000 чипсета AMD X570 стал переход на интерфейс PCI Express 4.0. Пока его поддержка остается эксклюзивом AMD, но производители твердотельных накопителей уже вовсю осваивают данную нишу. Все потому, что пиковая скорость последовательного чтения и записи быстрых NVMe-накопителей уже давно уперлась в пропускную способность четырех линий PCIe 3.0, и переход на PCIe 4.0 наиболее востребован именно в этой сфере.

Компания Phison одной из первых предложила контроллеры для нового поколения SSD с данным интерфейсом. Например, для флагманского PS5018-E18 максимальная заявленная скорость передачи данных достигает 7000 МБ/с. Пока же на рынке активно используется более медленный PS5016-E16 со следующими характеристиками: 5000 МБ/с при чтении и 4400 МБ/с при записи.

Patriot Viper VP4100

Именно он лег в основу анонсированного в сентябре флагманского SSD Patriot Viper VP4100. Новинка пока получила две модификации по объему памяти: 1 и 2 ТБ, и уже доступна в продаже. Давайте для начала взглянем на подробные характеристики терабайтной версии, которая и приехала к нам на тестирование.

Спецификация

Модель

Patriot Viper VP4100 NVMe PCIe Gen4 M.2

(VP4100-TBM28H)

Форм-фактор

M.2 2280

Интерфейс

PCIe 4.0 x4 с поддержкой NVMe 1.3

Контроллер

Phison PS5016-E16

Тип микросхем памяти

Toshiba BiCS4 96-слойная 3D NAND TLC

Объем, ТБ

1

Кеш-память DDR4, МБ

1024

Максимальная последовательная скорость чтения / записи (ATTO), МБ/с

4700 / 4200

Максимальная последовательная скорость чтения / записи (CDM), МБ/с

5000 / 4400

Максимальная скорость произвольного чтения / записи, IOPS

800 000 / 800 000

Выносливость (TBW), ТБ

1800

Диапазон рабочих температур, °C

0…+70

Размеры, мм

80 x 22 x 7

Вес, грамм

25

Гарантия производителя, лет

5

Страница продукта

Patriot Viper VP4100

Упаковка и комплектация

Patriot Viper VP4100 Patriot Viper VP4100

Как и подобает флагманскому устройству, накопитель поставляется в небольшой картонной коробке с агрессивным оформлением в черно-красных тонах. На лицевой стороне нанесено изображение продукта, его объем и скоростные показатели. На обратной приведен краткий перечень характеристик на нескольких языках.

Patriot Viper VP4100

Переднюю крышку можно откинуть и через небольшое смотровое окошко оценить дизайн вживую, не вскрывая упаковку. На ее обратной стороне приведено небольшое описание маркетингового характера. Внутри коробки вы найдете только сам накопитель с уже предустановленным радиатором и стандартную документацию.

Внешний вид устройства и его особенности

Patriot Viper VP4100

В глаза сразу бросается цельнометаллический радиатор черного цвета с оребрением, закрепленный при помощи обычного термоинтерфейса. На нем красуется название модели.

Patriot Viper VP4100

Обратная сторона SSD скрыта под двумя наклейками с необходимой информацией и отметками о прохождении различных сертификаций.

Patriot Viper VP4100

Сняв основную наклейку, мы видим двустороннюю компоновку накопителя, а значит, радиатор не отводит тепло от двух чипов памяти и микросхемы кеш-памяти.

Patriot Viper VP4100

Под радиатором скрывается контроллер, еще одна пара микросхем памяти и вторая микросхема кеша.

Patriot Viper VP4100

Patriot Viper VP4100

В качестве контроллера выступает Phison PS5016-E16. Он построен на базе двух 28-нм процессоров ARM Cortex R5 и поддерживает работу с накопителями объемом до 8 ТБ. Максимальная скорость последовательного чтения и записи составляет 5000 и 4400 МБ/с соответственно. Присутствует поддержка интеллектуального контроля температуры и LPDC ECC четвертого поколения

Patriot Viper VP4100

Для хранения данных используются четыре 96-слойные микросхемы Toshiba BiCS4 3D NAND TLC с маркировкой «TABBG65AWV» и объемом 256 ГБ каждая.

Patriot Viper VP4100

Кеш-память реализована на базе пары микросхем DDR4-2400 МГц емкостью по 4 Гбит (512 МБ) от компании SK hynix с маркировкой «H5AN4G8NBJR».

Patriot Viper VP4100

SSD поставляется отформатированным в файловой системе NTFS. Его эффективная емкость составляет 1000 ГБ или 931 ГиБ.

Тестирование

Для тестирования использовался следующий стенд:

Процессор

AMD Ryzen 9 3900X (Socket AM4, 12/24 х 3,8 – 4,6 ГГц, 105 Вт TDP)

Материнская плата

ASUS ROG Crosshair VIII Hero

Оперативная память

2 х 8 ГБ DDR4-3600 G.SKILL F4-3600C16D-16GTRG

Видеокарта

Palit GeForce RTX 2060 GamingPro

SSD

PATRIOT P200 1TB P200S1TB25

Блок питания

be quiet! PURE POWER 11 700W

Patriot Viper VP4100

В ATTO Disk Benchmark максимальная скорость чтения достигла 4,39 ГБ/с, а записи – 3,96 ГБ/с. Напомним, что заявленные показатели чуть выше – 4700 и 4200 МБ/с для чтения и записи соответственно.

Patriot Viper VP4100

Скорость чтения и записи данных объемом 4 КБ в ATTO Disk Benchmark находится на достойном уровне, опережая все представленные в сравнении модели. 

Тэги: ssd   patriot   toshiba   m.2   nvme   phison   3d nand   tlc   bics   sk hynix   
Читать обзор полностью >>>

Рынок оперативной памяти вернулся к росту после трех убыточных кварталов

Согласно последнему аналитическому отчету DRAMeXchange, спрос на рынке оперативной памяти вернулся к здоровому уровню, что очень порадовало производителей микросхем DRAM. Их общая выручка в третьем квартале выросла на 4%, окончив тем самым период спада, который продолжался три квартала подряд. Более того, три ключевых производителя планируют увеличить поставки своей продукции в четвертом квартале, чтобы удовлетворить растущий спрос на рынке.

DRAMeXchange

Samsung улучшила продажи на 30% и подняла выручку на 5% (до $7,12 млрд) по сравнению с показателями предыдущего квартала. Главная причина ее роста – активная закупка микросхем памяти китайскими производителями смартфонов и восстановление рынка серверов.

Уровень продаж SK Hynix вырос на 20%, а выручка – на 3,5% (до $4,41 млрд). А вот у Micron продажи выросли на 30% по сравнению со слабыми показателями второго квартала. Выручка достигла $3,07 млрд. Тем не менее общая доля ее рынка упала до 19,9% из-за роста показателей Samsung и Nanya.

https://press.trendforce.com
Сергей Будиловский

Тэги: dram   samsung   dramexchange   micron   sk hynix   nanya   
Читать новость полностью >>>

На 40% эффективнее: SK hynix представила 16-гигабитные чипы DDR4-памяти

Компания SK hynix с гордостью представила самые емкие в индустрии 16-гигабитные микросхемы памяти DDR4, созданные на основе техпроцесса 1z нм. Их производство не требует использования дорогой EUV литографии, а значит есть все предпосылки для снижения конечной стоимости.

SK hynix

Пропускная способность новинок достигает 3200 Мбит/с – это самый большой номинальный показатель для интерфейса DDR4. При этом энергоэффективность готовых модулей на базе этих чипов улучшилась на 40% по сравнению с аналогичными по плотности модулями, созданными на основе 8-гигабитных чипов прошлого поколения (технология 1y нм).

Массовое производство 1z-нм микросхем памяти запланировано на следующий год. SK hynix также планирует использовать эту технологию для создания чипов LPDDR5 и HBM3.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: sk hynix   ddr4   lpddr5   hbm3   
Читать новость полностью >>>

DRAMeXchange: Kingston – абсолютный лидер на рынке поставщиков модулей оперативной памяти

Не секрет, что в вопросе производства чипов оперативной памяти лидирующие позиции занимают Samsung, SK Hynix и Micron. Но в области поставок готовых модулей ОЗУ доминирует компания Kingston Technology.

DRAMeXchange

Согласно последнему отчету DRAMeXchange, она занимает 72,17% рынка готовых DRAM-модулей. За ней с огромным отрывом следуют SMART Modular Technologies (5,07%), Ramaxel (4,68%) и ADATA Technology (3,89%). Доля остальных участников рынка не превышает 3%. При этом Kingston Technology сохраняет лидерство в течение последних 16 лет.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: kingston   dramexchange   adata   micron   sk hynix   samsung   dram   
Читать новость полностью >>>

Toshiba планирует купить бизнес накопителей компании Lite-On Technology

Согласно информации издания BusinessKorea, японская компания Toshiba планирует выкупить у тайваньской Lite-On Technology бизнес по производству накопителей. Последняя владеет весьма популярным брендом Plextor, который предлагает дешевые SSD с высокой производительностью. Любопытно, что в прошлом Plextor – это японская компания, которую приобрела Lite-On Technology. Если сделка состоится, то Plextor опять станет брендом японской компании.

Toshiba Lite-On Technology

Toshiba и так является вторым по величине игроком на глобальном рынке NAND флеш-памяти, но она хочет усилить свои позиции за счет этой сделки. В частности, ее интересуют партнерство Lite-On Technology с некоторыми производителями PC (например, Dell и HP). Также она хочет улучшить портфолио твердотельных накопителей для дата-центров.

Сама же компания Toshiba недавно анонсировала работу над новым типом NAND-памяти – Penta Level Cell (PLC). То есть каждая ячейка может хранить 5 бит информации (SLC – 1 бит, MLC – 2 бит, TLC – 3 бит, QLC – 4 бит). Это позволяет увеличить общий объем SSD и снизить стоимость производства. С другой стороны, это негативно скажется на скоростных показателях и выносливости. В данный момент доминирует память TLC, но Samsung и SK Hynix уже представили QLC-чипы.

http://www.businesskorea.co.kr
Сергей Будиловский

Тэги: toshiba   plextor   ssd   tlc   qlc   mlc   slc   sk hynix   samsung   dell   hp   plc   
Читать новость полностью >>>

SSD SK hynix Gold S31 объемом от 250 ГБ до 1 ТБ

Компания SK hynix вышла на рынок с новым массовым твердотельным накопителем Gold S31, который представляет серию SK hynix SuperCore. Новинка создана в привычном 2,5-дюймовом форм-факторе. Внутри используются исключительно фирменные компоненты: контроллер и микросхемы 3D NAND и DRAM.

SK hynix Gold S31

SK hynix Gold S31 представлен в трех вариантах объема: 250 ГБ, 500 ГБ и 1 ТБ. Все они характеризуются одинаковыми последовательными скоростями: 560 МБ/с при чтении и 525 МБ/с при записи. В продажу он поступил с 5-летней гарантией по цене от $49,99.

SK hynix Gold S31

Сводная таблица технической спецификации твердотельного накопителя SK hynix Gold S31:

Модель

SK hynix Gold S31

Форм-фактор

2,5”

Внешний интерфейс

SATA 6 Гбит/с

Тип памяти

3D NAND

Контроллер

Фирменный SK hynix

Варианты по объему, ГБ

250

500

1000

Максимальная последовательная скорость чтения / записи, МБ/с

560 / 525

Выносливость (TBW), ТБ

200

300

600

Рекомендованная стоимость, $

49,99

79,99

123,99

Гарантия, лет

5

https://www.techpowerup.com
https://www.anandtech.com
Сергей Будиловский

Тэги: sk hynix   3d nand   ssd   
Читать новость полностью >>>

SK hynix сообщила о сокращении производства памяти DRAM и NAND

Компания SK hynix подвела финансовые итоги деятельности во втором квартале 2019 года, согласно которым сократились все ключевые показатели. Например, общий доход снизился на 5%, операционная прибыль упала на 53%, а чистый доход – на 51%. И это по сравнению с предыдущим кварталом. А если сравнивать с аналогичным периодом прошлого года, то показатели просели еще сильнее.

SK hynix

В свете такого положения дел, руководство SK hynix решило сократить производство памяти DRAM и NAND в надежде остановить падение цен. Объем сокращения производства микросхем ОЗУ не сообщается, но оно произойдет в четвертом квартале текущего года. Часть линий будет конвертировано в производство датчиков изображения CMOS.

В свою очередь объем выпуска NAND-пластин будет сокращен на 15%, хотя ранее планировалось уменьшить его на 10%. Также компания решила значительно снизить инвестиции в 2020 году по сравнению с предыдущими планами, но точные цифры не сообщаются.

И в завершении руководство SK hynix предупредило о возможном срыве производства из-за торговой войны между Японией и Южной Кореей.

https://www.dvhardware.net
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: sk hynix   nand   cmos   
Читать новость полностью >>>

Спотовая цена DRAM-чипов поднялась на 23%

Аналитическая компания DRAMeXchange сообщила, что спотовая цена 8-гигабитной микросхемы оперативной памяти, которая считается индикатором состояния рынка, в пятницу 19 июля составила $3,74. Это на 14,6% выше, чем неделей ранее, и на 23% выше по сравнению с ценой 5-го июля.

Спотовый рынок обычно определяет тренды на розничном, поэтому не исключено, что через несколько недель или ранее цены на модули оперативной памяти поднимутся. Вслед за этим могут подорожать устройства со встроенной оперативной памятью (готовые ПК, смартфоны, планшеты, ноутбуки и т.д.). Все будет зависеть от того, насколько большие запасы продукции сейчас есть на складах и как быстро они будут пополняться.

DRAM

Причиной этого подорожания в первую очередь является 13-минутное отключение света в промышленном комплексе Yokkaichi Operations. Тогда сообщали, что пострадало производство NAND-памяти компаний Toshiba и Western Digital. Теперь оказывается, что оно затронуло и производство DRAM-памяти.

А вот торговый конфликт между Японией и Южной Кореей пока особо не влияет на ситуацию. Но если в ближайшем будущем он не будет решен и Samsung Electronics или SK Hynix будут испытывать трудности с производством микросхем DRAM, то цены могут мгновенно взлететь вверх.

https://www.techpowerup.com
http://world.kbs.co.kr
Сергей Будиловский

Тэги: dram   samsung   sk hynix   toshiba   dramexchange   
Читать новость полностью >>>

Торговый конфликт между Японией и Южной Кореей может привести к подорожанию памяти

Напряженная ситуация в торговой сфере наблюдается не только между США и КНР, но и между Японией и Южной Кореей.

Что же случилось? Начиная с 4 июля японские поставщики трех важных химикатов, которые активно используются в полупроводниковой индустрии, должны получить правительственное разрешение на их экспорт в Южную Корею. Рассмотрение таких заявок может растянуться на 3 месяца, а это критически важный срок, потому что он может повлечь за собой приостановку деятельности некоторых южнокорейских компаний.

Например, анонимный источник компании SK Hynix сообщил японскому изданию Nikkei, что у компании нет 3-месячного запаса требуемых химикатов. Поэтому SK Hynix может даже приостановить производство, если ей придется слишком долго ждать поставок из Японии. Samsung сообщила, что она мониторит ситуацию.

DRAM

Почему это важно для индустрии в целом? Южнокорейские компании производят около 70% общего объема чипов оперативной памяти и 50% микросхем NAND флеш-памяти. Какие-либо перебои в их работе может привести к срывам контрактов. Пострадают как производители другой электроники (модулей памяти, SSD, смартфонов, ноутбуков и т.д.), так и обычные пользователи, ведь уменьшится предложение и цены могут пойти вверх.

Причина напряженных отношений между двумя странами кроется в прошлом. В октябре 2018 года верховный суд Южной Кореи обязал японскую компанию Nippon Steel выплатить компенсацию корейским рабочим, которые были насильно вывезены на работу в Японию во время Второй мировой войны. Это решение и вызвало недовольство правительства Японии, которое решило нанести ответный удар по экономике Южной Кореи. В свою очередь правительство Южной Кореи выразило глубокое сожаление по поводу решения японских коллег и уже готовится принять контрмеры, включая подачу жалобы в ВТО.

https://www.tomshardware.com
https://www.reuters.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   ssd   nand   sk hynix   
Читать новость полностью >>>

Производители NAND-памяти ускоряют переход на 120/128-слойные микросхемы

В марте SK Hynix начала производство первых 96-слойных микросхем 4D NAND, а Toshiba и Western Digital анонсировали планы по активному переходу к 128-слойным TLC-чипам. По информации DigiTimes, ключевые игроки решили ускорить переход к 120- / 128-слойной технологии производства NAND-памяти, чтобы начать массовое производство чипов уже в 2020 году.

NAND

Причина такого решения кроется в текущих низких ценах на флеш-память. Для производителей это идеальное время, чтобы взять паузу на освоение новой технологии. Ведь такой переход неизбежно означает снижение объемов выпуска продукции (нужно время для переоснащения производственных линий и налаживания процесса). А это позволит ликвидировать существующий избыток флеш-памяти и поднять цены.

NAND

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: nand   tlc   toshiba   western digital   sk hynix   4d nand   
Читать новость полностью >>>

Рынок ОЗУ: ожидается увеличение спроса и поставок, возможен рост цен

Если вы планировали покупку оперативной памяти, то самое время сделать это до конца второго квартала текущего года. Ведь пока цены держатся на сравнительно низком уровне. Но производители ожидают, что контрактные цены на чипы DRAM и NAND в этом квартале достигнут дна и, возможно, начнут подниматься в третьем квартале, если спрос будет соответствовать ожиданиям.

DRAM

В первом же квартале наблюдалось резкое падение цен. Больше всего это ударило по крупным производителям (Samsung, SK Hynix и Micron). А вот некоторые компании помельче смогли даже получить прибыль. Например, чистый доход ADATA Technology в первом квартале составил $4,9 млн. Это самый высокий показатель за шесть последних кварталов, хотя в предыдущем ее деятельность была убыточной. Доход TEAMGROUP вырос на 3,78% до $55 млн – это самый высокий показатель первого квартала для компании за последних девять лет. А вот Transcend Information, наоборот, зафиксировала падение показателей в первом квартале на 6,89% по сравнению с предыдущим и на 23% по сравнению с аналогичным периодом прошлого года.

Тем не менее тайваньские производители оперативной памяти готовятся наращивать поставки своих модулей на рынок в надежде на повышенный спрос, чтобы закрепить и улучшить свои позиции.

https://www.digitimes.com
https://www.techspot.com
Сергей Будиловский

Тэги: dram   samsung   adata   micron   sk hynix   transcend   teamgroup   
Читать новость полностью >>>

Память DDR5 появится уже в этом году

В рамках International Solid-State Circuits Conference компании SK Hynix и Samsung поделились планами касательно выпуска на рынок DDR5-памяти. Презентация первой сконцентрировалась на 16-гигабитном чипе, произведенном на базе 1y-nm процессе с площадью 76,22 мм2. Он работает при напряжении 1,1 В с пропускной способностью 6,4 Гбит/с на каждый контакт. Эта микросхема ляжет в основу десктопных модулей памяти.

DDR5

В свою очередь Samsung сконцентрировалась на мобильном стандарте LPDDR5. Ее чипы произведены на базе 10-нм технологии и обладают пропускной способностью 7,5 Гбит/с на контакт при рабочем напряжении 1,05 В.

Обе компании обещают уже до конца 2019 года представить первые образцы готовой продукции. SK Hynix прогнозирует, что к 2021 году стандарт DDR5 займет 25% рынка, а к 2022 – 44%.

https://www.tomshardware.com
Сергей Будиловский

Тэги: ddr5   samsung   sk hynix   lpddr5   
Читать новость полностью >>>

sk hynix

Выбрать из: Обзоров Новостей
Только в разделе
Искать в найденом тег:

Поиск по сайту
Почтовая рассылка

top10

vote

Голосование