Поиск по сайту

up
Banner
Banner

ufs

Игровой ноутбук HP OMEN X 2S с дополнительным 5,98-дюймовым экраном

В рамках мероприятия HP Gaming Festival в Пекине представлен новый игровой ноутбук HP OMEN X 2S. Главной изюминкой его дизайна является дополнительный 5,98-дюймовый экран с разрешением 1080p. Согласно исследованиям, 82% людей используют смартфоны для обмена сообщениями во время игровой сессии, 61% слушает музыку, а 49% успевают даже смотреть тематические стримы или просто гулять по просторам интернета.

HP OMEN X 2S

Именно для этих целей и предназначен дополнительный 5,98-дюймовый экран. Он позволяет общаться с друзьями в WeChat, Discord и WhatsApp, слушать музыку с помощью Spotify, смотреть трансляции на Twitch или YouTube либо использовать возможности фирменного ПО OMEN Command Center. При желании дополнительный экран может отзеркалить весь основной дисплей или отдельные его части (например, мини-карту).

HP OMEN X 2S

HP OMEN X 2S

В остальном HP OMEN X 2S – это привычный игровой ноутбук со стильным дизайном и мощной платформой в корпусе толщиной всего 20 мм. Первые версии получат 15,6-дюймовый основной экран с частотой обновления до 144 Гц, но потом появятся 240-герцовые варианты. За охлаждение внутренних компонентов отвечает фирменная система OMEN Tempest Cooling с несколькими тепловыми трубками и двумя вентиляторами. Для повышения ее эффективности используется жидкий металл от Thermal Grizzly.

HP OMEN X 2S

В продажу новинка поступит в июне по ориентировочной цене $2100. Сводная таблица технической спецификации ноутбука HP OMEN X 2S:

Модель

HP OMEN X 2S

ОС

Windows 10 Home (64 бит)

Основной экран

15,6” Full HD (1920 x 1080), IPS, 144 Гц

15,6” 4K Ultra HD (3840 x 2160), IPS, 60 Гц

Дополнительный экран

5,98” Full HD (1920 x 1080), IPS

Процессор

максимум Intel Core i9-9880H (8/16 x 2,3 – 4,8 ГГц)

Чипсет

Intel HM370

Оперативная память

до 64 ГБ DDR4-3200 в двухканальном режиме

Накопитель

32 ГБ Intel Optane Memor + 512 ГБ SSD

256 ГБ / 512 ГБ / 1 ТБ / 2 ТБ PCIe NVMe SSD

2 х 256 ГБ / 2 x 512 ГБ / 2 х 1 ТБ PCIe NVMe SSD в режиме RAID 0

Видеокарта

NVIDIA GeForce RTX 2070 Max-Q (8 ГБ GDDR6)

NVIDIA GeForce RTX 2080 Max-Q (8 ГБ GDDR6)

Аудиоподсистема

Стереодинамики BANG & OLUFSEN с поддержкой DTS:X Ultra и HP Audio Boost

Веб-камера

HP Wide Vison Full HD (1920 x 1080) с двумя микрофонами

Клавиатура

RGB N-Key rollover

Сетевые возможности

Intel Wireless-AC 9560 (802.11a/b/g/n/ac (2 x 2) WiFi и Bluetooth 5 Combo), LAN-контроллер

Внешние интерфейсы

3 х USB 3.1 Type-A

1 x USB-C (Thunderbolt 3)

1 x RJ45

1 x Mini DisplayPort

1 x HDMI 2.0b

2 х 3,5-мм аудио

Адаптер питания

230 Вт

Размеры

362,11 х 261,7 х 20 мм

Масса

2,35 кг

Ориентировочная стоимость

$2100

https://www8.hp.com
https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

hp   intel   ssd   full hd   ips   nvidia   thunderbolt   bang & olufsen   4k ultra hd   intel core   bluetooth  

Постоянная ссылка на новость

Samsung начала массовое производство 512-гигабайтных микросхем eUFS 3.0

В данный момент флагманские смартфоны используют накопители формата embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1. Но компания Samsung уже приготовила им замену в виде eUFS 3.0. Для справки: Samsung представила первые накопители eUFS 2.0 в январе 2015 года. Они были в 1,4 раза быстрее eMMC 5.1. В 2017 году появились чипы eUFS 2.1, а теперь пришла очередь eUFS 3.0.

Samsung eUFS 3

Первыми появятся 512-гигабайтные микросхемы eUFS 3.0. В компактном форм-факторе стековой структуры расположились восемь ядер V-NAND пятого поколения объемом по 512 Гбит и высокопроизводительный контроллер.

Максимальная скорость последовательной передачи данных в 512-гигабайтных чипах eUFS 3.0 достигает 2100 МБ/с, а записи – 410 МБ/с. Для сравнения: в микросхеме eUFS 2.1 аналогичного объема эти же показатели составляли 860 и 255 МБ/с соответственно. При произвольном чтении и записи данных скорости новинки достигают 63 000 и 68 000 IOPS (42 000 и 40 000 IOPS у eUFS 2.1).

Samsung eUFS 3

Уже в этом месяце Samsung выпустит 512- и 128-гигабайтные накопители eUFS 3.0. Во второй половине 2019 года на рынок поступят варианты объемом 1 ТБ и 256 ГБ. Их стоимости не сообщаются.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

eufs   samsung   v-nand   emmc  

Постоянная ссылка на новость

Samsung представила первый в мире накопитель eUFS 2.1 объемом 1 ТБ

Samsung сообщила о начале массового производства первых в мире терабайтных накопителей формата embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1, которые предназначены для использования в мобильных устройствах, в первую очередь – в смартфонах. Таким образом, южнокорейскому IT-гиганту потребовалось четыре года, чтобы перейти от 128-гигабайтного чипа eUFS до 1-терабайтного.

Samsung 1 TB eUFS

Размеры новинки составляют всего 11,5 х 13,0 мм. Внутри в форме стека расположены 16 микросхем V-NAND объемом по 512 Гбит каждая и фирменный контроллер. Общей емкости в 1 ТБ достаточно для хранения 260 десятиминутных 4K-видео (3840 х 2160). Для сравнения: 64 ГБ хватит лишь для 13 подобных файлов.

Также новинка может похвастать высокими скоростными показателями. Максимальная последовательная скорость чтения и записи составляет 1000 и 260 МБ/с соответственно. А эти же показатели при произвольном доступе к данным достигают 58 000 и 50 000 IOPS. То есть при чтении данных Samsung 1 TB eUFS работает в 2 раза быстрее обычных SATA SSD, но по скорости записи он пока еще проигрывает.

Samsung 1 TB eUFS

В первой половине текущего года компания планирует нарастить производство 512-гигабитных микросхем V-NAND на одном из своих заводов, чтобы удовлетворить потребности рынка в новых терабайтных накопителях.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

eufs   samsung   v-nand   ssd  

Постоянная ссылка на новость

Представлен смартфон ASUS ZenFone Ares с ценником $333

В рамках домашней презентации компания ASUS представила смартфон ASUS ZenFone Ares, который по своему внешнему виду и характеристикам напоминает прошлогоднюю модель ASUS ZenFone AR (один из первых смартфонов с поддержкой технологий дополненной реальности Google Tango и виртуальной реальности Google Daydream).

ASUS ZenFone Ares

Новинка оснащена 5,7-дюймовым AMOLED-экраном с разрешением 2560 х 1440, 4-ядерным процессором Qualcomm Snapdragon 821 (4 х Qualcomm Kryo @ 2,4 ГГц) с iGPU Adreno 530, 8 ГБ оперативной памяти и накопителем UFS 2.0. Также в конструкции предусмотрен слот microSD, 7.1-канальная аудиоподсистема, модуль 802.11ac Wi-Fi и 23-Мп основная камера. Емкость аккумулятора составляет 3300 мА·ч, а также поддерживается быстрая зарядка Qick Charge 3.0.

ASUS ZenFone Ares

В продажу ASUS ZenFone Ares поступит с рекомендованным ценником $333.

https://liliputing.com
Сергей Будиловский

asus   asus zenfone   qualcomm   google   wi-fi   microsd   snapdragon   amoled   ufs 2.0  

Постоянная ссылка на новость

Планшет 2-в-1 HP Elite x2 1013 G3 с мощной аппаратной платформой для бизнес-пользователей

Если вы обладаете достаточными финансовыми возможностями, тогда можете обратить внимание на новый премиальный планшет 2-в-1 HP Elite x2 1013 G3 с тонким (13,3 мм) и легким (1,16 кг) корпусом. Он создавался в первую очередь с расчетом на бизнес-пользователей, поэтому обладает поддержкой ряда технологий для защиты данных и управления устройством (HP Sure View, HP Sure Click, HP Sure Start, HP Sure Run и других). Новинка оснащена 13-дюймовым экраном с разрешением 1920 х 1280 или 3000 х 2000.

HP Elite x2 1013 G3

Мощная аппаратная платформа HP Elite x2 1013 G3 построена на основе актуальных процессоров Intel Core 8-го поколения: могут использоваться версии от Intel Core i3-8130U (2 / 4 х 2,2 – 3,4 ГГц) до Intel Core i7-8650U (4 / 8 x 1,9 – 4,2 ГГц). Объем оперативной памяти может достигать 16 ГБ, а дисковая подсистема представлена PCIe NVMe SSD емкостью до 1 ТБ.

HP Elite x2 1013 G3

Также новинка может похвастать динамиками Bang & Olufsen, возможностью подключения съемной клавиатуры для более удобной работы с текстом, двумя камерами (5 и 8 Мп) с микрофоном для съемки фото и видеообщения, ИК-камерой для идентификации с помощью Windows Hello, опциональным модемом 4G LTE, стилусом HP Active Pen в комплекте и поддержкой ускоренной зарядки аккумулятора. В продажу HP Elite x2 1013 G3 поступит в июне по цене от $1499.

HP Elite x2 1013 G3

https://www.notebookcheck.net
Сергей Будиловский

hp   intel   intel core   ssd   core i7   windows   core i3   4g   notebook   bang & olufsen  

Постоянная ссылка на новость

HP EliteBook 840r G4 получил поддержку процессоров Intel Core 8-ого поколения

Пятое поколение ноутбуков HP EliteBook 800 характеризуется не просто актуальной аппаратной платформой, но и улучшенным дизайном. Компания HP обновила многие аспекты. Например, используется цельный алюминиевый корпус, IPS-экран с более тонкими рамками вместо TN, твердотельные накопители пришли на смену жестким дискам, а тачпад уступил место кликпаду. Все это повысило статус линейки HP EliteBook 800 G5 и ценники самих моделей.

HP EliteBook 840r G4

Однако многим пользователям и тем более компаниям, закупающим десятки или сотни ноутбуков сразу, подобные улучшения ни к чему, поскольку для них главным является соотношение цены и возможностей. И чтобы не терять клиентов и потенциальных покупателей, был разработан и представлен компромиссный вариант – HP EliteBook 840r G4. Он использует дизайн 4-ого поколения вместе с обновленной аппаратной платформой.

HP EliteBook 840r G4

В его основе могут находиться процессоры Intel Core i7-8650U (4 / 8 х 1,9 – 4,2 ГГц), Intel Core i7-8550U (4 / 8 х 1,8 – 4,0 ГГц), Intel Core i5-8350U (4 / 8 х 1,7 – 3,6 ГГц), Intel Core i5-8250U (4 / 8 х 1,6 – 3,4 ГГц) или даже представители Intel Core 7-ого поколения. Объем оперативной памяти DDR4-2400 достигает 32 ГБ, а дисковая подсистема представлена HDD (500 ГБ), M.2 SATA SSD (128 / 256 ГБ) или M.2 PCIe SSD (256 ГБ – 1 ТБ).

HP EliteBook 840r G4

Экран HP EliteBook 840r G4 использует 14-дюймовую TN (1366 x 768) либо IPS (1920 x 1080) панель. Также в конструкции предусмотрена пара динамиков Bang & Olufsen, веб-камера HD с микрофоном, сетевые модули Gigabit Ethernet, 802.11ac Wi-Fi, Bluetooth 4.2 и опционально 4G LTE, мультиформатный кард-ридер, набор полезных внешних интерфейсов (USB 3.1 Type-C, USB 3.1 Type-A, DisplayPort, VGA, RJ45, 3,5-мм аудио и другие) и 3-элементный литий-ионный аккумулятор емкостью 51 Вт·ч. Стоимость новинки пока не сообщается.

https://www.notebookcheck.net
http://h20195.www2.hp.com
Сергей Будиловский

hp   elitebook   intel core   m.2   tn   ips   ssd   core i7   core i5   bang & olufsen   wi-fi   gigabit ethernet   hdd   bluetooth  

Постоянная ссылка на новость

Цены на SSD должны снизиться в этом квартале

Согласно DRAMeXchange, подразделению компании TrendForce, ситуация на рынке NAND-памяти стабилизировалась: спрос и предложение уже сместились в сторону равновесия, и даже наблюдается небольшой перекос в сторону увеличения предложения, что должно спровоцировать падение цен.

SSD

Дело в том, что на протяжении четвертого квартала 2017 года производители планомерно наращивали производство чипов 3D NAND, а главными потребителями стали производители смартфонов. Поэтому повышение контрактных цен на максимум 5% произошло лишь для микросхем eMMC и UFS. В свою очередь производители ПК, планшетов и серверов продемонстрировали более слабый спрос, что позволило нарастить запасы чипов на складах, поэтому контрактные цены либо не изменились, либо немного снизились.

В итоге в первом квартале 2018 года наблюдается небольшое превалирование предложения над спросом. Это приведет к уменьшению выручки производителей микросхем NAND Flash, что подтолкнет их к снижению контрактных цен для оживления торговли. К тому же они смогли снизить производственные затраты при выпуске 64- и 72-слойных 3D NAND-чипов, поэтому уменьшение контрактных цен особо не ударит по их финансовым показателям. Зато это позволит производителям SSD снизить цены на пользовательском рынке.

https://www.dvhardware.net
Сергей Будиловский

ssd   3d   nand flash   emmc   ufs  

Постоянная ссылка на новость

Стартовало массовое производство компактных eUFS-накопителей объемом 512 ГБ

Компания Samsung заявила о начале массового производства 512-гигабайтных накопителей embedded Universal Flash Storage (eUFS), которые предназначены для использования в мобильных устройствах следующего поколения. В компактном корпусе новинки расположено восемь 64-слойных 512-гигабитных микросхем V-NAND и контроллер для управления их работой.

Samsung eUFS

Общего объема достаточно для хранения 130 10-минутных видеоклипов в разрешении 4K Ultra HD (3840 x 2160), что в 10 раз больше, чем позволяют актуальные 64-гигабайтные eUFS-накопители. При этом показатели производительности новинки также находятся на высоте. В частности, последовательная скорость чтения и записи достигает 860 и 255 МБ/с соответственно, что гораздо выше показателей карт microSD. При произвольных операциях скорости чтения и записи составляют 42 000 и 40 000 IOPS. Для сравнения: у карты microSD они находятся на уровне 100 IOPS.

Кроме 64-слойных 512-гигабитных микросхем, компания Samsung анонсировала расширение выпуска 256-гигабитных V-NAND-чипов, что позволит разнообразить портфолио компактных решений для хранения данных.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

samsung   microsd   v-nand   flash   4k ultra hd   eufs  

Постоянная ссылка на новость

Показать еще

Banner