up
ru ua
menu

gecid-ru-160x600px-06-2019.gif


600x90_Banner_CK550_Aggressive_Marketing_001.jpg

v-nand

Выбрать из: Обзоров Новостей
Только в разделе
Искать в найденом тег:

Samsung начала массовое производство 512-гигабайтных микросхем eUFS 3.0

В данный момент флагманские смартфоны используют накопители формата embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1. Но компания Samsung уже приготовила им замену в виде eUFS 3.0. Для справки: Samsung представила первые накопители eUFS 2.0 в январе 2015 года. Они были в 1,4 раза быстрее eMMC 5.1. В 2017 году появились чипы eUFS 2.1, а теперь пришла очередь eUFS 3.0.

Samsung eUFS 3

Первыми появятся 512-гигабайтные микросхемы eUFS 3.0. В компактном форм-факторе стековой структуры расположились восемь ядер V-NAND пятого поколения объемом по 512 Гбит и высокопроизводительный контроллер.

Максимальная скорость последовательной передачи данных в 512-гигабайтных чипах eUFS 3.0 достигает 2100 МБ/с, а записи – 410 МБ/с. Для сравнения: в микросхеме eUFS 2.1 аналогичного объема эти же показатели составляли 860 и 255 МБ/с соответственно. При произвольном чтении и записи данных скорости новинки достигают 63 000 и 68 000 IOPS (42 000 и 40 000 IOPS у eUFS 2.1).

Samsung eUFS 3

Уже в этом месяце Samsung выпустит 512- и 128-гигабайтные накопители eUFS 3.0. Во второй половине 2019 года на рынок поступят варианты объемом 1 ТБ и 256 ГБ. Их стоимости не сообщаются.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: eufs   samsung   v-nand   emmc   
Читать новость полностью >>>

Samsung представила первый в мире накопитель eUFS 2.1 объемом 1 ТБ

Samsung сообщила о начале массового производства первых в мире терабайтных накопителей формата embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1, которые предназначены для использования в мобильных устройствах, в первую очередь – в смартфонах. Таким образом, южнокорейскому IT-гиганту потребовалось четыре года, чтобы перейти от 128-гигабайтного чипа eUFS до 1-терабайтного.

Samsung 1 TB eUFS

Размеры новинки составляют всего 11,5 х 13,0 мм. Внутри в форме стека расположены 16 микросхем V-NAND объемом по 512 Гбит каждая и фирменный контроллер. Общей емкости в 1 ТБ достаточно для хранения 260 десятиминутных 4K-видео (3840 х 2160). Для сравнения: 64 ГБ хватит лишь для 13 подобных файлов.

Также новинка может похвастать высокими скоростными показателями. Максимальная последовательная скорость чтения и записи составляет 1000 и 260 МБ/с соответственно. А эти же показатели при произвольном доступе к данным достигают 58 000 и 50 000 IOPS. То есть при чтении данных Samsung 1 TB eUFS работает в 2 раза быстрее обычных SATA SSD, но по скорости записи он пока еще проигрывает.

Samsung 1 TB eUFS

В первой половине текущего года компания планирует нарастить производство 512-гигабитных микросхем V-NAND на одном из своих заводов, чтобы удовлетворить потребности рынка в новых терабайтных накопителях.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: eufs   samsung   v-nand   ssd   
Читать новость полностью >>>

Серия быстрых M.2 SSD Samsung 970 EVO Plus объемом до 2 ТБ

Официально анонсирована серия высокоскоростных твердотельных накопителей Samsung 970 EVO Plus. В ее состав вошли четыре модели объемом 250 ГБ, 500 ГБ, 1 и 2 ТБ. Все они созданы в формате M.2 2280 на базе микросхем Samsung V-NAND MLC и контроллера Samsung Phoenix. А для обмена данными они используют интерфейс PCIe 3.0 x4 с поддержкой стандарта NVMe 1.3.

Samsung 970 EVO Plus

Объем кэш-памяти у двух младших моделей составляет 512 МБ, а у старших – 1 и 2 ГБ соответственно. Все это обеспечивает высокие показатели производительности. Максимальная последовательная скорость чтения составляет 3500 МБ/с, а записи – 3300 МБ/с. Аналогичные показатели при произвольной работе с данными составляют 620 000 и 560 000 IOPS.

Samsung 970 EVO Plus

В продажу накопители серии Samsung 970 EVO Plus поступят в апреле с 5-летней гарантией или до исчерпания заявленной выносливости (TBW). Этот показатель зависит от емкости конкретной модели и составляет 150 ТБ (250 ГБ), 300 ТБ (500 ГБ), 600 ТБ (1 ТБ) или 1200 ТБ (2 ТБ). Ценники пока не сообщаются.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   m.2   ssd   mlc   nvme   v-nand   phoenix   
Читать новость полностью >>>

Samsung начала массовое производство пользовательских SSD на базе чипов QLC

Компания Samsung сообщила о начале массового производства 2,5-дюймовых SSD на основе 4-битных (QLC, Quad-Level Cell) 64-слойных микросхем памяти V-NAND четвертого поколения емкостью 1 Тбит (128 ГБ). Всего в корпусе будет 8, 16 или 32 таких микросхемы, поэтому общий объем Samsung QLC SSD составит 1, 2 или 4 ТБ.

Samsung QLC SSD

Последовательная скорость чтения новинок достигнет 540 МБ/с, а записи – 520 МБ/с, что соответствует уровню актуальных твердотельных накопителей с чипами MLC и TLC. Для этого Samsung использовала 3-битный SSD-контроллер и технологию TurboWrite. Показатели выносливости для новинок пока не сообщаются, но в продажу они поступят с 3-летней гарантией, поэтому рядовым пользователям можно не волноваться.

Samsung QLC SSD

Дата начала продаж и стоимости накопителей Samsung QLC SSD пока не сообщаются.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: ssd   samsung   qlc   mlc   tlc   v-nand   
Читать новость полностью >>>

8-терабайтный SSD от Samsung в новом форм-факторе NF1

Компания Samsung первой в мире представила твердотельный накопитель в формате NF1 (он же NGSFF) общей емкостью 8 ТБ. Новинка построена на базе 16 3-битных фирменных чипов V-NAND объемом 512 ГБ каждый. Размеры модели Samsung 8 ТБ NF1 NVMe SSD составляют всего 30,5 х 110 мм. По сравнению с более привычными решениями формата M.2 22110 (22 х 110 мм) мы получаем двойное увеличение в объеме.

Samsung 8 NF1 NVMe SSD

Кроме повышения общей емкости, Samsung 8 ТБ NF1 NVMe SSD может похвастать поддержкой протокола NVMe 1.3 и интерфейса PCIe 4.0. В результате последовательная скорость чтения достигает 3100 МБ/с, а записи – 2000 МБ/с. Скорость произвольных операций чтения составляет 500 000 IOPS, а записи – 50 000 IOPS. Немалую роль в достижении столь высоких скоростных показателей сыграло наличие 12 ГБ LPDDR4-памяти.

Samsung 8 NF1 NVMe SSD

Показатель выносливости накопителя Samsung 8 ТБ NF1 NVMe SSD находится на уровне 1,3 записи в день (DWPD). Это означает, что компания гарантирует запись всех 8 ТБ данных 1,3 раза в день на протяжении трехлетнего гарантийного срока. Стоимость новинки и дата начала продаж пока не сообщается.

https://press.samsung.ua
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   ssd   nvme   m.2   v-nand   nf1   
Читать новость полностью >>>

Новые высокоскоростные M.2 NVMe SSD Samsung 970 PRO и 970 EVO

Компания Samsung презентовала третье поколение высокопроизводительных твердотельных NVMe-накопителей – Samsung 970 PRO и Samsung 970 EVO. Обе серии построены в формате M.2 2280 с применением контроллера Phoenix и четырех линий интерфейса PCIe 3.0.

Samsung 970 PRO Samsung 970 EVO

Модели Samsung 970 PRO используют в своей структуре 2-битные микросхемы V-NAND MLC общим объемом 512 ГБ или 1 ТБ. Объем кэш-памяти у них составляет 512 МБ или 1 ГБ соответственно. При этом использование технологии Intelligent TurboWrite позволяет увеличить размер буфера до 78 ГБ для повышения производительности при записи. В частности, последовательные скорости чтения/записи достигают 3500 / 2700 МБ/с, а произвольные показатели составляют 500 000 / 500 000 IOPS. Выносливость (TBW) этих новинок заявлена на уровне 600 и 1200 ТБ соответственно.

Samsung 970 PRO Samsung 970 EVO

В свою очередь представители серии Samsung 970 EVO базируются на 3-битных чипах V-NAND MLC. Они доступны в четырех вариантах объема: 250 ГБ, 500 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. Первые две модификации оснащены кэш-памятью объемом 512 МБ, а остальные две – 1 и 2 ГБ соответственно. Максимальные показатели производительности при чтении соответствуют решениям серии Samsung 970 PRO, а при записи они чуть ниже – 2500 МБ/с и 480 000 IOPS при последовательной и произвольной работе с данными. Выносливость (TBW) у новинок также находится на более низком уровне: 150 ТБ (250 ГБ), 300 ТБ (500 ГБ), 600 ТБ (1 ТБ) и 1200 ТБ (2 ТБ).

Samsung 970 PRO Samsung 970 EVO

Дополнительно накопители серий Samsung 970 PRO и Samsung 970 EVO поддерживают шифрование данных (Class 0 (AES 256), TCG/Opal v 2.0, MS eDrive (IEEE1667)), оснащены радиатором для улучшения температурного режима и используют технологию Dynamic Thermal Guard для предотвращения перегрева. В продажу они поступят с 7-ого мая с ограниченной 5-летней гарантией. Стоимость представителей серии Samsung 970 EVO стартует с отметки $119,99, а Samsung 970 PRO – с $329,99.

Samsung 970 PRO Samsung 970 EVO

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   mlc   m.2   nvme   v-nand   ssd   aes   phoenix   
Читать новость полностью >>>

Стартовало массовое производство SSD Samsung PM1643 объемом 30,72 ТБ

Пока компании Seagate и WDC параллельно работают над 40-терабайтными HDD, релиз которых ожидается в 2023 – 2025 годах, Samsung сообщила о запуске в массовое производство самого емкого SAS SSD в мире − Samsung PM1643. Его объем составляет 30,72 ТБ, что в 2 раза больше, чем у представленного в марте 2016 года предыдущего лидера по этому показателю (15,36 ТБ).

Для достижения такой емкости использовались 64-слойные 3-битные чипы V-NAND объемом 512 Гбит, объединенные по 16 штук в 1-терабайтные стеки. Внутри Samsung PM1643 насчитывается 32 таких стека. Общей емкости достаточно для хранения 5700 фильмов объемом по 5 ГБ каждый.

SSD Samsung PM1643

К тому же южнокорейским инженерам удалось повысить уровень производительности новинки по сравнению с предшественником благодаря использованию интерфейса SAS 12 Гбит/с и 40 ГБ DDR4-памяти в качестве кэша. В частности, последовательная скорость чтения и записи достигает 2100 и 1700 МБ/с, что в 3-4 раза выше, чем у обычных 2,5-дюймовых SATA SSD. Произвольная скорость чтения и записи находится на уровне 400 000 и 50 000 IOPS соответственно.

Кроме высокой емкости, Samsung PM1643 может похвастать поддержкой полезных технологий, включая ECC, а также большой выносливостью: гарантирована возможность полной перезаписи диска каждый день в течение 5 лет. То есть это эквивалентно суммарной записи 56 064 ТБ (TBW).

Позже в этом году Samsung планирует добавить новые версии накопителя Samsung PM1643 объемом 15,36 ТБ, 7,68 ТБ, 3,84 ТБ, 1,92 ТБ, 960 ГБ и 800 ГБ. Однако ценники новинок пока не сообщаются.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   ssd   sas   v-nand   ecc   
Читать новость полностью >>>

Официальный дебют серий SSD Samsung 860 PRO и 860 EVO

Совсем недавно на официальном сайте Samsung засветилась 4-терабайтная модель SSD серии Samsung 860 PRO, а теперь обе линейки, Samsung 860 PRO и Samsung 860 EVO, представлены официально и поступили в продажу.

Они построены в привычном 2,5-дюймовом форм-факторе с использованием самых передовых 512-гигабитных и 256-гигабитных 64-слойных микросхем V-NAND, максимум 4 ГБ LPDDR4-памяти, нового контроллера MJX и интерфейса SATA 6 Гбит/с. Объемы у новинок разные: от 256 ГБ до 4 ТБ для серии Samsung 860 PRO и от 250 ГБ до 4 ТБ для линейки Samsung 860 EVO. Но при этом последовательная скорость чтения / записи у всех у них одинаковая и составляет 560 / 530 МБ/с.

SSD Samsung 860 PRO

Поскольку объемы у них разные, то и показатель выносливости (TBW) также разнится. Для моделей линейки Samsung 860 PRO он составляет 300 ТБ (для SSD емкостью 256 ГБ), 600 ТБ (512 ГБ), 1200 ТБ (1 ТБ), 2400 ТБ (2 ТБ) и 4800 ТБ (4 ТБ), а у серии Samsung 860 EVO показатели в 2 раза скромнее: 150 ТБ (250 ГБ), 300 ТБ (500 ГБ), 600 ТБ (1 ТБ), 1200 ТБ (2 ТБ) и 2400 ТБ (4 ТБ). Поэтому если вы не планируете записывать часто и много, то можно сэкономить на серии Samsung 860 EVO, в противном случае лучше ориентироваться на линейку Samsung 860 PRO.

Samsung 860 EVO

Ценники у них также разные: за SSD серии Samsung 860 EVO придется выложить $99,99 (250 ГБ), $169,99 (500 ГБ), $329,99 (1 ТБ), $649,99 (2 ТБ) и $1399,99 (4 ТБ), в то время как представители Samsung 860 PRO обойдутся вам в $139,99 (256 ГБ), $249,99 (512 ГБ), $479,99 (1 ТБ), $949,99 (2 ТБ) и $1899,99 (4 ТБ). Все они поступили в продажу с ограниченной 5-летней гарантией и возможностью загрузки полезного сервисного ПО Samsung Magician для обслуживания накопителей и защиты информации.

https://www.techpowerup.com
https://www.samsung.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   ssd   v-nand   
Читать новость полностью >>>

В сети засветился 4-ТБ SSD Samsung 860 Pro

Компания Samsung на своем сайте преждевременно опубликовала страничку твердотельного накопителя Samsung 860 Pro (MZ-76P4T0E), официальный анонс которого пока еще не состоялся. Кроме его частичных характеристик, была обнародована и рекомендованная стоимость.

Samsung 860 Pro

Новинка построена в 2,5-дюймовом форм-факторе и для подключения оснащена интерфейсом SATA 6 Гбит/с. Тип использованной флэш-памяти объемом 4 ТБ в SSD Samsung 860 Pro не обозначен. Возможно, Samsung использовала чипы MLC V-NAND. Скоростные показатели последовательного чтения и записи находятся на уровне 560 и 530 МБ/с соответственно.

Samsung 860 Pro

В продажу SSD Samsung 860 Pro (MZ-76P4T0E) поступит с ценником $1900.

techpowerup.com
Юрий Коваль

Тэги: samsung   ssd   mlc   v-nand   
Читать новость полностью >>>

Стартовало массовое производство компактных eUFS-накопителей объемом 512 ГБ

Компания Samsung заявила о начале массового производства 512-гигабайтных накопителей embedded Universal Flash Storage (eUFS), которые предназначены для использования в мобильных устройствах следующего поколения. В компактном корпусе новинки расположено восемь 64-слойных 512-гигабитных микросхем V-NAND и контроллер для управления их работой.

Samsung eUFS

Общего объема достаточно для хранения 130 10-минутных видеоклипов в разрешении 4K Ultra HD (3840 x 2160), что в 10 раз больше, чем позволяют актуальные 64-гигабайтные eUFS-накопители. При этом показатели производительности новинки также находятся на высоте. В частности, последовательная скорость чтения и записи достигает 860 и 255 МБ/с соответственно, что гораздо выше показателей карт microSD. При произвольных операциях скорости чтения и записи составляют 42 000 и 40 000 IOPS. Для сравнения: у карты microSD они находятся на уровне 100 IOPS.

Кроме 64-слойных 512-гигабитных микросхем, компания Samsung анонсировала расширение выпуска 256-гигабитных V-NAND-чипов, что позволит разнообразить портфолио компактных решений для хранения данных.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   microsd   v-nand   flash   4k ultra hd   eufs   
Читать новость полностью >>>

120-гигабайтная версия SSD Samsung 850 появилась онлайн

На китайской версии официального сайта компании Samsung замечен новый 2,5-дюймовый SSD-накопитель – Samsung 850. Как видно из названия, южнокорейский IT-гигант решил отойти от привычных приставок «Pro» и «EVO».

Samsung 850

На данный момент Samsung 850 представлен лишь в 120-гигабайтном исполнении (MZ-7LN120). В его основе находятся фирменные микросхемы V-NAND 3bit MLC, 256 МБ кэш-памяти LPDDR3 и контроллер Samsung MGX. А для передачи данных используется внешний интерфейс SATA 6 Гбит/с.

Samsung 850

Максимальная скорость последовательного чтения и записи у Samsung 850 заявлена на уровне 540 и 520 МБ/с соответственно. А при работе с произвольными блоками объемом 4 КБ эти же показатели достигают 70 000 и 88 000 IOPS соответственно. Размеры корпуса новинки составляют 100 х 69,85 х 6,8 мм. Ее стоимость пока не сообщается, но гарантия составляет 3 года или 100 ТБ записанных данных.

https://www.techpowerup.com
http://www.samsung.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   ssd   mlc   nand   ddr3   v-nand   
Читать новость полностью >>>

Замечен высокоскоростной твердотельный NVMe-накопитель Samsung PM981

Компания Samsung готовит к выходу линейку высокоскоростных твердотельных NVMe-накопителей, первой моделью их которых станет Samsung PM981 емкостью 512 ГБ и 1 ТБ. Именно она была замечена на сайте одного из крупных вьетнамских ритейлеров. Новинка основана на микросхемах 64-слойной флэш-памяти V-NAND TLC с использованием контроллера Samsung Polaris V2 и построена в форм-факторе M.2 2280. А для подключения использует интерфейс PCIe 3.0 x4.

Samsung PM981

Скорость последовательного чтения и записи данных 512-ГБ модели заявлена до 3000 и 1800 МБ/с, а максимальная скоростью чтения и записи при работе с произвольными блоками объемом 4 КБ достигнет 270 000 и 420 000 IOPS. В свою очередь эти показатели у модели емкостью 1 ТБ составят 3200 / 2400 МБ/с и 380 000 / 440 000 IOPS соответственно.

Предварительная стоимость Samsung PM981 составляет $233 и $439 для 512-ГБ и 1-ТБ модификаций соответственно, однако, как показывает практика, она может измениться в сторону увеличения.

tomshardware.com
Юрий Коваль

Тэги: samsung   nvme   tlc   v-nand   m.2   
Читать новость полностью >>>

Samsung представила 64-слойную микросхему памяти 3D V-NAND

Компания Samsung анонсировала начало массового производства 64-слойной 256-гигабитной памяти 3D V-NAND, которая будет использоваться в твердотельных накопителях для серверов, пользовательских ПК и мобильных устройств.

Samsung 3D V-NAND

Новый 64-слойный чип поддерживает скорость передачи данных на уровне 1 Гбит/с, которая является самой быстрой среди доступных на данный момент типов NAND-памяти. Общие скоростные показатели новинки возросли на 30% по сравнению с 48-слойным V-NAND, энергопотребление снизилось на те же 30%, а выносливость новых ячеек V-NAND повысилась на 20% по сравнению с предшественником. К тому же до 500 мс уменьшилось время цикла программирования страниц, что в 4 раза быстрее планарных 2D NAND и в 1,5 превышает показатель 48-слойных V-NAND.

 

Samsung 3D V-NAND

 

Также Samsung сообщила, что основные технологии, используемые при разработке 64-слойной микросхемы памяти 3D V-NAND, будут применяться в дальнейшем при разработке 90-слойных чипов.

Samsung 3D V-NAND

techpowerup.com
Юрий Коваль

Тэги: v-nand   3d   samsung   
Читать новость полностью >>>

Samsung 960 PRO и 960 EVO – новые серии M.2 NVMe-накопителей с отличной производительностью

Компания Samsung представила две новые серии компактных и очень быстрых SSD-накопителей – Samsung 960 PRO и Samsung 960 EVO. Они построены на основе фирменных микросхем V-NAND в формате M.2 и с применением интерфейса NVMe (PCIe Gen.3 x4).

Samsung 960 PRO 960 EVO

Серия Samsung 960 PRO доступна в объеме 512 ГБ, 1 и 2 ТБ. Скорость последовательного чтения и записи информации достигает 3500 и 2100 МБ/с соответственно. В свою очередь Samsung 960 EVO представлена вариантами объемом 250 ГБ, 500 ГБ и 1 ТБ. Скоростные показатели у нее немного ниже: максимум 3200 МБ/с при чтении и 1900 МБ/с при записи.

Samsung 960 PRO 960 EVO

Обе серии обладают поддержкой технологии Samsung Intelligent TurboWrite для достижения высокой производительности и Dynamic Thermal Guard, которая мониторит уровень нагрева и снижает скоростные показатели для предотвращения перегрева. В продажу они поступят в октябре.

Samsung 960 PRO 960 EVO

Сводная таблица технической спецификации SSD-накопителей серий Samsung 960 PRO и Samsung 960 EVO:

Тэги: samsung   nvme   m.2   ssd   v-nand   ddr3   
Читать новость полностью >>>

Накопитель Samsung SSD 850 EVO теперь доступен в 4-терабайтном исполнении

Канули в Лету те времена, когда твердотельные накопители использовались исключительно в качестве небольших по объему системных дисков. Теперь они с легкостью могут заменить традиционные HDD в плане емкого и быстрого хранилища информации.

Samsung SSD 850 EVO 4 TB

Например, популярная серия Samsung SSD 850 EVO пополнилась моделью объемом 4 ТБ. Она создана на основе 48-слойных микросхем 3D V-NAND и 3-ядерного контроллера Samsung S4LP052X01-8030. Новинка оснащена интерфейсом SATA 6 Гбит/с и характеризуется достаточно высокими показателями производительности. Так, максимальные последовательные скорости чтения и записи достигают 540 и 520 МБ/с соответственно, а аналогичные показатели произвольного доступа находятся на уровне 98 000 и 90 000 IOPS.

Правда, в ценовом плане преимущество все еще остается за HDD. Стоимость новинки заявлена на уровне $1499, в то время как аналогичные по объему жесткие диски можно найти за $145. Сводная таблица технической спецификации 4-терабайтной версии накопителя Samsung SSD 850 EVO:

Модель

Samsung SSD 850 EVO 4 TB

Формат, дюймов

2,5

Внешний интерфейс

SATA 6 Гбит/с

Объем, ТБ

4

Тип микросхем памяти

48-слойные 3D V-NAND

Контроллер

Samsung S4LP052X01-8030

Максимальная скорость последовательного чтения / записи, МБ/с

540 / 520

Максимальная скорость произвольного чтения и записи данных, IOPS

98 000 / 90 000

Гарантия, лет

5

Ориентировочная стоимость, $

1499

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   ssd   v-nand   3d   hdd   
Читать новость полностью >>>

Samsung PM971-NVMe – ультраскоростные SSD в компактном BGA-корпусе

Samsung продолжает приятно удивлять своими инновациями в сфере создания микросхем памяти. Новое ее творение – Samsung PM971-NVMe – первый в мире NVMe PCIe SSD-накопитель в ультракомпактном BGA-корпусе, который перешел в фазу массового производства. Размеры этой новинки составляют всего 20 х 16 х 1,5 мм, однако в нее интегрированы все необходимые компоненты для полноценной работы: максимум шестнадцать 48-слойных флэш-микросхем Samsung V-NAND объемом 256 Гбит (32 ГБ), одна 20-нм микросхема LPDDR4 объемом 4 Гбит (512 МБ), которая используется в качестве кэш-памяти, фирменный контроллер и интерфейс. В результате максимальная емкость составит 512 ГБ, хотя на рынке также появятся версии на 128 и 256 ГБ.

Samsung PM971-NVMe

Благодаря своим компактным размерам Samsung PM971-NVMe может стать отличным вариантом для ультрабуков и мини-ПК. К тому же он характеризуется высоким уровнем производительности благодаря интерфейсу NVMe и технологии TurboWrite. Максимальная скорость последовательного чтения достигает 1500 МБ/с, а записи – 900 МБ/с, что гораздо выше традиционных SATA-аналогов. В режиме произвольного доступа к данным максимальная скорость чтения достигает 190 000 IOPS, а записи – 150 000 IOPS. Для сравнения, у SSD эти показатели обычно находятся на уровне 90 000 – 70 000 IOPS, а у HDD – 120 IOPS. Поставки Samsung PM971-NVMe начнутся уже до конца текущего месяца.

https://news.samsung.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   nvme   ssd   v-nand   hdd   
Читать новость полностью >>>

Емкая и быстрая карта памяти Samsung EVO Plus 256GB

В арсенале компактных флэш-накопителей компании Samsung появилась очень емкая новинка – Samsung EVO Plus 256GB. Она создана в формате microSD на основе фирменных микросхем V-NAND общей емкостью 256 ГБ. Этого достаточно для хранения 55 200 фото, 12 часов видео в формате 4K Ultra HD, 33 часов видео в формате Full HD или 23 500 MP3-песен. То есть фотографам или обычным пользователям мобильных гаджетов нарекать на ограниченный объем внутренних накопителей своих устройств уже не придется.

Samsung EVO Plus 256GB

К тому же Samsung EVO Plus 256GB поддерживает стандарт UHS-I (U3), который гарантирует минимальную скорость передачи данных на уровне 30 МБ/с. Этого как раз достаточно для работы с 4K-видео. Максимальные же заявленные скорости чтения и записи достигают 95 и 90 МБ/с, что обеспечит быстрый доступ к информации.

Сводная таблица технической спецификации карты памяти Samsung EVO Plus 256GB:

Модель

Samsung EVO Plus 256GB

Формат

microSD

Объем, ГБ

256

Класс скоростных характеристик

UHS-I (U3), Class 10

Максимальная скорость чтения / записи данных, МБ/с

95 / 90

Минимальная скорость передачи данных, МБ/с

30

Защита

Перепадов температур, магнитных полей, рентгеновского излучения, воды

Гарантия, лет

10

https://news.samsung.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   4k   microsd   uhs-i   v-nand   full hd   4k ultra hd   
Читать новость полностью >>>

Начались поставки SSD-накопителя Samsung 850 Evo емкостью 4 ТБ

Компания Samsung начала поставки 4-терабайтных твердотельных накопителей серии Samsung 850 Evo. В продажу они поступят по ориентировочной стоимости €1349. Новинки используют 2,5-дюймовый форм-фактор и внешний интерфейс SATA 6 Гбит/с.

Samsung 850 Evo

Для достижения столь впечатляющего объема используются 48-слойные NAND флэш-микросхемы Samsung 3D V-NAND третьего поколения. Отметим, что серии Samsung 850 Evo и Samsung 850 Pro одними из первых получили новые чипы, что и позволило увеличить общий максимальный объем с 2 до 4 ТБ. В будущем компания Samsung планирует использовать их и в других линейках.

При этом 4 ТБ – далеко не предел для твердотельных накопителей 2,5-дюймового формата. Ранее компания Samsung представила флагманский SSD серии Samsung PM1633a общей емкостью 15,36 ТБ. В его основе также используются 48-слойные микросхемы Samsung 3D V-NAND.

http://www.guru3d.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   3d   v-nand   ssd   
Читать новость полностью >>>

Samsung представила самый емкий в мире накопитель объемом 15,36 ТБ

В январе стало известно о начале продаж 10- и 13-терабайтных SSD-накопителей компании Fixstars, созданных в традиционном 2,5-дюймовом форм-факторе. Теперь же звание самых емких из доступных на рынке накопителей забрала себе линейка Samsung PM1633a, анонсированная в августе 2015 года. Первые и самые емкие ее накопители объемом 15,36 ТБ уже начали поступать в продажу. Позже в этом году к ним присоединятся модели объемом 7,68 ТБ, 3,84 ТБ, 1,92 ТБ, 960 ГБ и 480 ГБ.

Samsung PM1633a

Пока же известные ключевые характеристики флагманского SSD серии Samsung PM1633a. В традиционном 2,5-дюймовом корпусе разместились 512 48-слойных ядер Samsung 3D V-NAND объемом 256 Гбит каждое. Они сгруппированы в 32 NAND-микросхемы объемом 512 ГБ каждая (16 х 256 Гбит), что дает в результате 16 384 ГБ, но пользователям доступно лишь 15,36 ТБ. Также новинка оснащена DRAM-памятью объемом 16 ГБ и скоростным внешним интерфейсом SAS 12 Гбит/с. В результате максимальные последовательные скорости чтения и записи данных достигают 1200 МБ/с.

Поскольку серия Samsung PM1633a в первую очередь ориентирована на пользователей корпоративного сегмента, то представленная модель обладает высокой нагрузочной способностью (можно за день записать 15,36 ТБ данных) и механизмом защиты метаданных для возможного восстановления информации в случае возникших проблем.

Сводная таблица технической спецификации накопителя серии Samsung PM1633a:

Модель

Samsung PM1633a

Тип

SSD

Формат

2,5”

Тип микросхем памяти

Samsung 3D V-NAND

Объем, ТБ

15,36

Внешний интерфейс

SAS 12 Гбит/с

Объем кэш-памяти, ГБ

16

Максимальная последовательная скорость чтения / записи данных, МБ/с

1200 / 1200

Максимальная скорость чтения / записи произвольных данных, IOPS

200 000 / 32 000

Объем ежедневных перезаписываемых данных, ТБ

15,36

http://www.techpowerup.com
https://news.samsung.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   ssd   v-nand   sas   
Читать новость полностью >>>

Samsung представила скоростные 256-гигабайтные накопители стандарта UFS 2.0

Компания Samsung сообщила о начале массового производства емких и быстрых твердотельных накопителей стандарта UFS 2.0, которые в первую очередь нацелены на использование в составе мобильных устройств (смартфонов, планшетов и других). Их объем составляет 256 ГБ, что позволяет, например, хранить 47 фильмов в разрешении Full HD.

Samsung UFS 2.0

В основе новых накопителей находятся передовые флэш-микросхемы V-NAND и специально разработанный контроллер. В результате они гарантируют впечатляющие показатели производительности: скорость последовательного чтения достигает 850 МБ/с, а записи – 260 МБ/с. В свою очередь показатели произвольного чтения и записи данных находятся на уровне 45 000 и 40 000 IOPS, что существенно выше 19 000 и 14 000 IOPS, характерных для предыдущей версии стандарта UFS.

Сводная таблица технической спецификации новых твердотельных накопителей компании Samsung:

Производитель

Samsung

Тип

Твердотельный накопитель

Стандарт

UFS 2.0

Используемые микросхемы памяти

V-NAND

Объем, ГБ

256

Максимальная последовательная скорость чтения / записи данных, МБ/с

850 / 260

Максимальная скорость чтения / записи произвольных данных, IOPS

45 000 / 40 000

http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   ufs   nand   full hd   v-nand   
Читать новость полностью >>>

v-nand

Выбрать из: Обзоров Новостей
Только в разделе
Искать в найденом тег:

Поиск по сайту
Почтовая рассылка

top10

vote

Голосование