up
ru ua
menu

Proton_01.2021_160x600_ru.gecid.jpg


v-nand

Выбрать из: Обзоров Новостей
Только в разделе
Искать в найденом тег:

Готовится к выходу M.2 SSD Samsung 980 объемом от 250 ГБ до 1 ТБ

В европейских магазинах до официального анонса засветился новый M.2 SSD Samsung 980. Это более доступная альтернатива Samsung 980 PRO. Новинка использует тот же тип микросхем памяти (136-слойные 3D TLC V-NAND), что и флагман, но вместо интерфейса PCIe 4.0 x4 она получила PCIe 3.0 x4.

Samsung 980

В итоге максимальная последовательная скорость чтения и записи данных снизилась до 3500 / 3000 МБ/с. Хотя и этого за глаза хватит большинству пользователей. А установленный фирменный контроллер Pablo поддерживает 256-битное шифрование AES и TCG/Opal IEEE 1667, что позволяет использовать новинку в компаниях и правительственных агентствах с повышенными мерами безопасности.

Samsung 980

Еще одно отличие Samsung 980 от флагмана – отсутствие кеш-памяти DRAM. Это позволяет снизить затраты на производство и делает новинку более доступной. Но пока она проигрывает конкуренцию другому фирменному решению Samsung 970 Evo Plus как по скоростным показателям, так и по цене.

Релиз намечен на 30 марта. Сводная таблица технической спецификации M.2 SSD Samsung 980:

Модель

Samsung 980

Форм-фактор

M.2 2280

Интерфейс

PCIe 3.0 x4

Тип микросхем памяти

136-слойные 3D TLC V-NAND

Контроллер

Samsung Pablo

Варианты по объему

250 ГБ / 500 ГБ / 1 ТБ

Максимальная последовательная скорость чтения / записи

3500 / 3000 МБ/с

Максимальная скорость чтения / записи произвольных блоков, IOPS

500 000 / 480 000

Ориентировочная стоимость

€70 (250 ГБ)

€90 (500 ГБ)

€150 (1 ТБ)

https://www.tomshardware.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   m.2   ssd   v-nand   tlc   
Читать новость полностью >>>

Твердотельный накопитель Transcend 530K с поддержкой 100 000 циклов перезаписи

У разных типов микросхем разное количество циклов перезаписи (Program/Erase cycles, P/E), что напрямую влияет на выносливость (TBW) накопителя. Например:

  • 3D NAND QLC – 150 – 1000 P/E
  • 3D NAND TLC – 1500 – 3000 P/E
  • 3D V-NAND – 3000 – 10 000 P/E
  • 3D NAND MLC – 30 000 – 35 000 P/E

В итоге у 2-терабайтного накопителя Transcend SSD220Q на чипах 3D NAND QLC выносливость (TBW) составляет всего 400 ТБ, а у GIGABYTE AORUS Gen4 7000s SSD аналогичного объема – 1400 ТБ благодаря переходу на чипы 3D NAND TLC.

Transcend 530K

Компания Transcend подготовила еще более интересную новинку – Transcend 530K. Находящиеся в ее основе чипы 3D NAND работают в режиме SLC, что поднимает количество циклов перезаписи до 100 000, а показатель TBW – до 6400 ТБ. Ее можно полностью перезаписывать 45,7 раза в день (DWPD) в течение 3 лет.

В первую очередь новинка нацелена на корпоративный сегмент встроенных решений. Она обладает скромной по современным меркам емкостью 64 или 128 ГБ. Максимальная последовательная скорость чтения и записи данных достигает 560 и 490 МБ/с. Также она обладает DRAM кеш-памятью DDR3, встроенной LDPC ECC-коррекцией и поддержкой необходимых технологий (Global Wear-Leveling, Garbage Collection, S.M.A.R.T., TRIM, NCQ и других).

Стоимость не сообщается. Сводная таблица технической спецификации накопителя Transcend 530K:

Модель

Transcend 530K

Форм-фактор, дюймов

2,5

Тип микросхем памяти

3D NAND (в режиме SLC)

Внешний интерфейс

SATA 6 Гбит/с

Объем, ГБ

64 / 128

Максимальная последовательная скорость чтения / записи (CrystalDiskMark), МБ/с

560 / 490

Максимальная скорость чтения / записи произвольных блоков 4 КБ, IOPS

83 000 / 88 000

Количество циклов перезаписи

100 000

Выносливость (TBW), ТБ

6400

Максимальное энергопотребление, Вт

2,8

Диапазон рабочих температур, °С

-20…75

Диапазон температур хранения данных, °С

-40…85

Размеры, мм

100 х 69,85 х 6,8 мм

Масса, г

54

Гарантия, лет

3

https://www.guru3d.com
https://www.transcend-info.com
Сергей Будиловский

Тэги: transcend   3d nand   ssd   tlc   slc   qlc   mlc   trim   ecc   ncq   ddr3   v-nand   
Читать новость полностью >>>

Samsung подготовила серию 870 EVO SSD объемом до 4 ТБ

Немецкий IT-портал предоставил первые фото новой серии популярных SATA SSD Samsung 870 EVO. Она придет на смену серии Samsung 860 EVO. В состав новой линейки войдут пять моделей объемом от 250 ГБ до 4 ТБ. Все они созданы в 2,5-дюймовом формате на базе фирменных микросхем V-NAND (предположительно 3D NAND TLC) и оснащены интерфейсом SATA 6 Гбит/с.

Samsung 870 EVO

По сравнению с предшественниками, новинки отличаются слегка увеличенными скоростными показателями (560 / 530 против 550 / 520 МБ/с). Максимальная выносливость (TBW) достигает 2400 ТБ для старшей версии. В продажу новинки поступят с ценниками от €70 до €450 для европейского рынка.

Samsung 870 EVO

Сводная таблица технической спецификации серии накопителей Samsung 870 EVO:

Название

Samsung 870 EVO

Форм-фактор, дюймов

2,5

Внутренний интерфейс

SATA 6 Гбит/с

Тип микросхем памяти

Samsung V-NAND (3D NAND TLC?)

Варианты по объему

250 ГБ / 500 ГБ / 1 ТБ / 2 ТБ / 4 ТБ

Максимальная скорость последовательного чтения / записи данных

560 / 530 МБ/с

Выносливость (TBW)

до 2400 ТБ (для 4-ТБ версии)

Гарантия

5 лет или до исчерпания TBW

Ориентировочная стоимость

€70 – 450

https://www.techpowerup.com
https://winfuture.de
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   ssd   3d nand   v-nand   
Читать новость полностью >>>

Накопитель Samsung SSD 980 PRO со скоростями до 7000/5000 МБ/с

На днях ADATA представила самый быстрый в мире M.2 SSD со скоростью чтения 7400 МБ/с, а теперь подобная модель появилась в арсенале Samsung. Твердотельный накопитель Samsung SSD 980 PRO создан для требовательных профессионалов и геймеров.

Samsung SSD 980 PRO

Пока он представлен в трех вариантах объема (250 ГБ – 1 ТБ) и сочетает в себе фирменную память V-NAND, контроллер Elpis и кеш-память LPDDR4. Максимальная последовательная скорость чтения и записи достигают 7000 и 5000 МБ/с соответственно, а скорость чтения и записи случайных блоков объемом 4 КБ составляет 1 000 000 IOPS, что в 2 раза быстрее M.2 SSD с PCIe 3.0 и более чем в 12 раз быстрее SATA SSD.

Samsung SSD 980 PRO

Для охлаждения внутренних элементов используется никелированное покрытие контроллера и теплораспределительная наклейка на тыльной стороне устройства. Благодаря этому удалось улучшить температурный режим компонентов и сохранить компактный форм-фактор. Также используется технология Samsung Dynamic Thermal Guard для поддержания оптимального баланса между температурой и уровнем производительности.

В продажу новинка поступит до конца сентября. А до конца года появится 2-терабайтная ее версия. Сводная таблица технической спецификации накопителя Samsung SSD 980 PRO:

Модель

Samsung SSD 980 PRO

Форм-фактор

M.2 2280

Микросхемы

Samsung V-NAND 3-bit MLC

Контроллер

Samsung Elpis Controller

Кеш-память

1 ГБ Samsung LPDDR4 (1 ТБ)

512 МБ Samsung LPDDR4 (250, 500 ГБ)

Интерфейс

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.3c

Варианты по объему

250 ГБ, 500 ГБ, 1 ТБ

Максимальная последовательная скорость чтения / записи

7000 / 5000 МБ/с

Максимальная произвольная скорость чтения / записи блоков объемом 4 КБ

1 000 000 / 1 000 000 IOPS

Поддержка технологий

TRIM, S.M.A.R.T., Garbage Collection, 256-битное AES-шифрование, TCG/Opal IEEE1667

Выносливость (TBW)

600 ТБ (1 ТБ)

300 ТБ (500 ГБ)

150 ТБ (250 ГБ)

Гарантия

5 лет (ограниченная)

Размеры

80,15 х 22,15 х 2,38 мм

Масса

9,0 г

Рекомендованная стоимость

$89,99 (250 ГБ)

https://news.samsung.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   ssd   m.2   v-nand   mlc   nvme   aes   
Читать новость полностью >>>

Samsung начала массовое производство 512-гигабайтных микросхем eUFS 3.0

В данный момент флагманские смартфоны используют накопители формата embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1. Но компания Samsung уже приготовила им замену в виде eUFS 3.0. Для справки: Samsung представила первые накопители eUFS 2.0 в январе 2015 года. Они были в 1,4 раза быстрее eMMC 5.1. В 2017 году появились чипы eUFS 2.1, а теперь пришла очередь eUFS 3.0.

Samsung eUFS 3

Первыми появятся 512-гигабайтные микросхемы eUFS 3.0. В компактном форм-факторе стековой структуры расположились восемь ядер V-NAND пятого поколения объемом по 512 Гбит и высокопроизводительный контроллер.

Максимальная скорость последовательной передачи данных в 512-гигабайтных чипах eUFS 3.0 достигает 2100 МБ/с, а записи – 410 МБ/с. Для сравнения: в микросхеме eUFS 2.1 аналогичного объема эти же показатели составляли 860 и 255 МБ/с соответственно. При произвольном чтении и записи данных скорости новинки достигают 63 000 и 68 000 IOPS (42 000 и 40 000 IOPS у eUFS 2.1).

Samsung eUFS 3

Уже в этом месяце Samsung выпустит 512- и 128-гигабайтные накопители eUFS 3.0. Во второй половине 2019 года на рынок поступят варианты объемом 1 ТБ и 256 ГБ. Их стоимости не сообщаются.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: eufs   samsung   v-nand   emmc   
Читать новость полностью >>>

Samsung представила первый в мире накопитель eUFS 2.1 объемом 1 ТБ

Samsung сообщила о начале массового производства первых в мире терабайтных накопителей формата embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1, которые предназначены для использования в мобильных устройствах, в первую очередь – в смартфонах. Таким образом, южнокорейскому IT-гиганту потребовалось четыре года, чтобы перейти от 128-гигабайтного чипа eUFS до 1-терабайтного.

Samsung 1 TB eUFS

Размеры новинки составляют всего 11,5 х 13,0 мм. Внутри в форме стека расположены 16 микросхем V-NAND объемом по 512 Гбит каждая и фирменный контроллер. Общей емкости в 1 ТБ достаточно для хранения 260 десятиминутных 4K-видео (3840 х 2160). Для сравнения: 64 ГБ хватит лишь для 13 подобных файлов.

Также новинка может похвастать высокими скоростными показателями. Максимальная последовательная скорость чтения и записи составляет 1000 и 260 МБ/с соответственно. А эти же показатели при произвольном доступе к данным достигают 58 000 и 50 000 IOPS. То есть при чтении данных Samsung 1 TB eUFS работает в 2 раза быстрее обычных SATA SSD, но по скорости записи он пока еще проигрывает.

Samsung 1 TB eUFS

В первой половине текущего года компания планирует нарастить производство 512-гигабитных микросхем V-NAND на одном из своих заводов, чтобы удовлетворить потребности рынка в новых терабайтных накопителях.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: eufs   samsung   v-nand   ssd   
Читать новость полностью >>>

Серия быстрых M.2 SSD Samsung 970 EVO Plus объемом до 2 ТБ

Официально анонсирована серия высокоскоростных твердотельных накопителей Samsung 970 EVO Plus. В ее состав вошли четыре модели объемом 250 ГБ, 500 ГБ, 1 и 2 ТБ. Все они созданы в формате M.2 2280 на базе микросхем Samsung V-NAND MLC и контроллера Samsung Phoenix. А для обмена данными они используют интерфейс PCIe 3.0 x4 с поддержкой стандарта NVMe 1.3.

Samsung 970 EVO Plus

Объем кэш-памяти у двух младших моделей составляет 512 МБ, а у старших – 1 и 2 ГБ соответственно. Все это обеспечивает высокие показатели производительности. Максимальная последовательная скорость чтения составляет 3500 МБ/с, а записи – 3300 МБ/с. Аналогичные показатели при произвольной работе с данными составляют 620 000 и 560 000 IOPS.

Samsung 970 EVO Plus

В продажу накопители серии Samsung 970 EVO Plus поступят в апреле с 5-летней гарантией или до исчерпания заявленной выносливости (TBW). Этот показатель зависит от емкости конкретной модели и составляет 150 ТБ (250 ГБ), 300 ТБ (500 ГБ), 600 ТБ (1 ТБ) или 1200 ТБ (2 ТБ). Ценники пока не сообщаются.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   m.2   ssd   mlc   nvme   v-nand   phoenix   
Читать новость полностью >>>

Samsung начала массовое производство пользовательских SSD на базе чипов QLC

Компания Samsung сообщила о начале массового производства 2,5-дюймовых SSD на основе 4-битных (QLC, Quad-Level Cell) 64-слойных микросхем памяти V-NAND четвертого поколения емкостью 1 Тбит (128 ГБ). Всего в корпусе будет 8, 16 или 32 таких микросхемы, поэтому общий объем Samsung QLC SSD составит 1, 2 или 4 ТБ.

Samsung QLC SSD

Последовательная скорость чтения новинок достигнет 540 МБ/с, а записи – 520 МБ/с, что соответствует уровню актуальных твердотельных накопителей с чипами MLC и TLC. Для этого Samsung использовала 3-битный SSD-контроллер и технологию TurboWrite. Показатели выносливости для новинок пока не сообщаются, но в продажу они поступят с 3-летней гарантией, поэтому рядовым пользователям можно не волноваться.

Samsung QLC SSD

Дата начала продаж и стоимости накопителей Samsung QLC SSD пока не сообщаются.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: ssd   samsung   qlc   mlc   tlc   v-nand   
Читать новость полностью >>>

8-терабайтный SSD от Samsung в новом форм-факторе NF1

Компания Samsung первой в мире представила твердотельный накопитель в формате NF1 (он же NGSFF) общей емкостью 8 ТБ. Новинка построена на базе 16 3-битных фирменных чипов V-NAND объемом 512 ГБ каждый. Размеры модели Samsung 8 ТБ NF1 NVMe SSD составляют всего 30,5 х 110 мм. По сравнению с более привычными решениями формата M.2 22110 (22 х 110 мм) мы получаем двойное увеличение в объеме.

Samsung 8 NF1 NVMe SSD

Кроме повышения общей емкости, Samsung 8 ТБ NF1 NVMe SSD может похвастать поддержкой протокола NVMe 1.3 и интерфейса PCIe 4.0. В результате последовательная скорость чтения достигает 3100 МБ/с, а записи – 2000 МБ/с. Скорость произвольных операций чтения составляет 500 000 IOPS, а записи – 50 000 IOPS. Немалую роль в достижении столь высоких скоростных показателей сыграло наличие 12 ГБ LPDDR4-памяти.

Samsung 8 NF1 NVMe SSD

Показатель выносливости накопителя Samsung 8 ТБ NF1 NVMe SSD находится на уровне 1,3 записи в день (DWPD). Это означает, что компания гарантирует запись всех 8 ТБ данных 1,3 раза в день на протяжении трехлетнего гарантийного срока. Стоимость новинки и дата начала продаж пока не сообщается.

https://press.samsung.ua
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   ssd   nvme   m.2   v-nand   nf1   
Читать новость полностью >>>

Новые высокоскоростные M.2 NVMe SSD Samsung 970 PRO и 970 EVO

Компания Samsung презентовала третье поколение высокопроизводительных твердотельных NVMe-накопителей – Samsung 970 PRO и Samsung 970 EVO. Обе серии построены в формате M.2 2280 с применением контроллера Phoenix и четырех линий интерфейса PCIe 3.0.

Samsung 970 PRO Samsung 970 EVO

Модели Samsung 970 PRO используют в своей структуре 2-битные микросхемы V-NAND MLC общим объемом 512 ГБ или 1 ТБ. Объем кэш-памяти у них составляет 512 МБ или 1 ГБ соответственно. При этом использование технологии Intelligent TurboWrite позволяет увеличить размер буфера до 78 ГБ для повышения производительности при записи. В частности, последовательные скорости чтения/записи достигают 3500 / 2700 МБ/с, а произвольные показатели составляют 500 000 / 500 000 IOPS. Выносливость (TBW) этих новинок заявлена на уровне 600 и 1200 ТБ соответственно.

Samsung 970 PRO Samsung 970 EVO

В свою очередь представители серии Samsung 970 EVO базируются на 3-битных чипах V-NAND MLC. Они доступны в четырех вариантах объема: 250 ГБ, 500 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. Первые две модификации оснащены кэш-памятью объемом 512 МБ, а остальные две – 1 и 2 ГБ соответственно. Максимальные показатели производительности при чтении соответствуют решениям серии Samsung 970 PRO, а при записи они чуть ниже – 2500 МБ/с и 480 000 IOPS при последовательной и произвольной работе с данными. Выносливость (TBW) у новинок также находится на более низком уровне: 150 ТБ (250 ГБ), 300 ТБ (500 ГБ), 600 ТБ (1 ТБ) и 1200 ТБ (2 ТБ).

Samsung 970 PRO Samsung 970 EVO

Дополнительно накопители серий Samsung 970 PRO и Samsung 970 EVO поддерживают шифрование данных (Class 0 (AES 256), TCG/Opal v 2.0, MS eDrive (IEEE1667)), оснащены радиатором для улучшения температурного режима и используют технологию Dynamic Thermal Guard для предотвращения перегрева. В продажу они поступят с 7-ого мая с ограниченной 5-летней гарантией. Стоимость представителей серии Samsung 970 EVO стартует с отметки $119,99, а Samsung 970 PRO – с $329,99.

Samsung 970 PRO Samsung 970 EVO

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   mlc   m.2   nvme   v-nand   ssd   aes   phoenix   
Читать новость полностью >>>

Стартовало массовое производство SSD Samsung PM1643 объемом 30,72 ТБ

Пока компании Seagate и WDC параллельно работают над 40-терабайтными HDD, релиз которых ожидается в 2023 – 2025 годах, Samsung сообщила о запуске в массовое производство самого емкого SAS SSD в мире − Samsung PM1643. Его объем составляет 30,72 ТБ, что в 2 раза больше, чем у представленного в марте 2016 года предыдущего лидера по этому показателю (15,36 ТБ).

Для достижения такой емкости использовались 64-слойные 3-битные чипы V-NAND объемом 512 Гбит, объединенные по 16 штук в 1-терабайтные стеки. Внутри Samsung PM1643 насчитывается 32 таких стека. Общей емкости достаточно для хранения 5700 фильмов объемом по 5 ГБ каждый.

SSD Samsung PM1643

К тому же южнокорейским инженерам удалось повысить уровень производительности новинки по сравнению с предшественником благодаря использованию интерфейса SAS 12 Гбит/с и 40 ГБ DDR4-памяти в качестве кэша. В частности, последовательная скорость чтения и записи достигает 2100 и 1700 МБ/с, что в 3-4 раза выше, чем у обычных 2,5-дюймовых SATA SSD. Произвольная скорость чтения и записи находится на уровне 400 000 и 50 000 IOPS соответственно.

Кроме высокой емкости, Samsung PM1643 может похвастать поддержкой полезных технологий, включая ECC, а также большой выносливостью: гарантирована возможность полной перезаписи диска каждый день в течение 5 лет. То есть это эквивалентно суммарной записи 56 064 ТБ (TBW).

Позже в этом году Samsung планирует добавить новые версии накопителя Samsung PM1643 объемом 15,36 ТБ, 7,68 ТБ, 3,84 ТБ, 1,92 ТБ, 960 ГБ и 800 ГБ. Однако ценники новинок пока не сообщаются.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   ssd   sas   v-nand   ecc   
Читать новость полностью >>>

Официальный дебют серий SSD Samsung 860 PRO и 860 EVO

Совсем недавно на официальном сайте Samsung засветилась 4-терабайтная модель SSD серии Samsung 860 PRO, а теперь обе линейки, Samsung 860 PRO и Samsung 860 EVO, представлены официально и поступили в продажу.

Они построены в привычном 2,5-дюймовом форм-факторе с использованием самых передовых 512-гигабитных и 256-гигабитных 64-слойных микросхем V-NAND, максимум 4 ГБ LPDDR4-памяти, нового контроллера MJX и интерфейса SATA 6 Гбит/с. Объемы у новинок разные: от 256 ГБ до 4 ТБ для серии Samsung 860 PRO и от 250 ГБ до 4 ТБ для линейки Samsung 860 EVO. Но при этом последовательная скорость чтения / записи у всех у них одинаковая и составляет 560 / 530 МБ/с.

SSD Samsung 860 PRO

Поскольку объемы у них разные, то и показатель выносливости (TBW) также разнится. Для моделей линейки Samsung 860 PRO он составляет 300 ТБ (для SSD емкостью 256 ГБ), 600 ТБ (512 ГБ), 1200 ТБ (1 ТБ), 2400 ТБ (2 ТБ) и 4800 ТБ (4 ТБ), а у серии Samsung 860 EVO показатели в 2 раза скромнее: 150 ТБ (250 ГБ), 300 ТБ (500 ГБ), 600 ТБ (1 ТБ), 1200 ТБ (2 ТБ) и 2400 ТБ (4 ТБ). Поэтому если вы не планируете записывать часто и много, то можно сэкономить на серии Samsung 860 EVO, в противном случае лучше ориентироваться на линейку Samsung 860 PRO.

Samsung 860 EVO

Ценники у них также разные: за SSD серии Samsung 860 EVO придется выложить $99,99 (250 ГБ), $169,99 (500 ГБ), $329,99 (1 ТБ), $649,99 (2 ТБ) и $1399,99 (4 ТБ), в то время как представители Samsung 860 PRO обойдутся вам в $139,99 (256 ГБ), $249,99 (512 ГБ), $479,99 (1 ТБ), $949,99 (2 ТБ) и $1899,99 (4 ТБ). Все они поступили в продажу с ограниченной 5-летней гарантией и возможностью загрузки полезного сервисного ПО Samsung Magician для обслуживания накопителей и защиты информации.

https://www.techpowerup.com
https://www.samsung.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   ssd   v-nand   
Читать новость полностью >>>

В сети засветился 4-ТБ SSD Samsung 860 Pro

Компания Samsung на своем сайте преждевременно опубликовала страничку твердотельного накопителя Samsung 860 Pro (MZ-76P4T0E), официальный анонс которого пока еще не состоялся. Кроме его частичных характеристик, была обнародована и рекомендованная стоимость.

Samsung 860 Pro

Новинка построена в 2,5-дюймовом форм-факторе и для подключения оснащена интерфейсом SATA 6 Гбит/с. Тип использованной флэш-памяти объемом 4 ТБ в SSD Samsung 860 Pro не обозначен. Возможно, Samsung использовала чипы MLC V-NAND. Скоростные показатели последовательного чтения и записи находятся на уровне 560 и 530 МБ/с соответственно.

Samsung 860 Pro

В продажу SSD Samsung 860 Pro (MZ-76P4T0E) поступит с ценником $1900.

techpowerup.com
Юрий Коваль

Тэги: samsung   ssd   mlc   v-nand   
Читать новость полностью >>>

Стартовало массовое производство компактных eUFS-накопителей объемом 512 ГБ

Компания Samsung заявила о начале массового производства 512-гигабайтных накопителей embedded Universal Flash Storage (eUFS), которые предназначены для использования в мобильных устройствах следующего поколения. В компактном корпусе новинки расположено восемь 64-слойных 512-гигабитных микросхем V-NAND и контроллер для управления их работой.

Samsung eUFS

Общего объема достаточно для хранения 130 10-минутных видеоклипов в разрешении 4K Ultra HD (3840 x 2160), что в 10 раз больше, чем позволяют актуальные 64-гигабайтные eUFS-накопители. При этом показатели производительности новинки также находятся на высоте. В частности, последовательная скорость чтения и записи достигает 860 и 255 МБ/с соответственно, что гораздо выше показателей карт microSD. При произвольных операциях скорости чтения и записи составляют 42 000 и 40 000 IOPS. Для сравнения: у карты microSD они находятся на уровне 100 IOPS.

Кроме 64-слойных 512-гигабитных микросхем, компания Samsung анонсировала расширение выпуска 256-гигабитных V-NAND-чипов, что позволит разнообразить портфолио компактных решений для хранения данных.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   microsd   v-nand   flash   4k ultra hd   eufs   
Читать новость полностью >>>

120-гигабайтная версия SSD Samsung 850 появилась онлайн

На китайской версии официального сайта компании Samsung замечен новый 2,5-дюймовый SSD-накопитель – Samsung 850. Как видно из названия, южнокорейский IT-гигант решил отойти от привычных приставок «Pro» и «EVO».

Samsung 850

На данный момент Samsung 850 представлен лишь в 120-гигабайтном исполнении (MZ-7LN120). В его основе находятся фирменные микросхемы V-NAND 3bit MLC, 256 МБ кэш-памяти LPDDR3 и контроллер Samsung MGX. А для передачи данных используется внешний интерфейс SATA 6 Гбит/с.

Samsung 850

Максимальная скорость последовательного чтения и записи у Samsung 850 заявлена на уровне 540 и 520 МБ/с соответственно. А при работе с произвольными блоками объемом 4 КБ эти же показатели достигают 70 000 и 88 000 IOPS соответственно. Размеры корпуса новинки составляют 100 х 69,85 х 6,8 мм. Ее стоимость пока не сообщается, но гарантия составляет 3 года или 100 ТБ записанных данных.

https://www.techpowerup.com
http://www.samsung.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   ssd   mlc   nand   ddr3   v-nand   
Читать новость полностью >>>

Замечен высокоскоростной твердотельный NVMe-накопитель Samsung PM981

Компания Samsung готовит к выходу линейку высокоскоростных твердотельных NVMe-накопителей, первой моделью их которых станет Samsung PM981 емкостью 512 ГБ и 1 ТБ. Именно она была замечена на сайте одного из крупных вьетнамских ритейлеров. Новинка основана на микросхемах 64-слойной флэш-памяти V-NAND TLC с использованием контроллера Samsung Polaris V2 и построена в форм-факторе M.2 2280. А для подключения использует интерфейс PCIe 3.0 x4.

Samsung PM981

Скорость последовательного чтения и записи данных 512-ГБ модели заявлена до 3000 и 1800 МБ/с, а максимальная скоростью чтения и записи при работе с произвольными блоками объемом 4 КБ достигнет 270 000 и 420 000 IOPS. В свою очередь эти показатели у модели емкостью 1 ТБ составят 3200 / 2400 МБ/с и 380 000 / 440 000 IOPS соответственно.

Предварительная стоимость Samsung PM981 составляет $233 и $439 для 512-ГБ и 1-ТБ модификаций соответственно, однако, как показывает практика, она может измениться в сторону увеличения.

tomshardware.com
Юрий Коваль

Тэги: samsung   nvme   tlc   v-nand   m.2   
Читать новость полностью >>>

Samsung представила 64-слойную микросхему памяти 3D V-NAND

Компания Samsung анонсировала начало массового производства 64-слойной 256-гигабитной памяти 3D V-NAND, которая будет использоваться в твердотельных накопителях для серверов, пользовательских ПК и мобильных устройств.

Samsung 3D V-NAND

Новый 64-слойный чип поддерживает скорость передачи данных на уровне 1 Гбит/с, которая является самой быстрой среди доступных на данный момент типов NAND-памяти. Общие скоростные показатели новинки возросли на 30% по сравнению с 48-слойным V-NAND, энергопотребление снизилось на те же 30%, а выносливость новых ячеек V-NAND повысилась на 20% по сравнению с предшественником. К тому же до 500 мс уменьшилось время цикла программирования страниц, что в 4 раза быстрее планарных 2D NAND и в 1,5 превышает показатель 48-слойных V-NAND.

 

Samsung 3D V-NAND

 

Также Samsung сообщила, что основные технологии, используемые при разработке 64-слойной микросхемы памяти 3D V-NAND, будут применяться в дальнейшем при разработке 90-слойных чипов.

Samsung 3D V-NAND

techpowerup.com
Юрий Коваль

Тэги: v-nand   3d   samsung   
Читать новость полностью >>>

Samsung 960 PRO и 960 EVO – новые серии M.2 NVMe-накопителей с отличной производительностью

Компания Samsung представила две новые серии компактных и очень быстрых SSD-накопителей – Samsung 960 PRO и Samsung 960 EVO. Они построены на основе фирменных микросхем V-NAND в формате M.2 и с применением интерфейса NVMe (PCIe Gen.3 x4).

Samsung 960 PRO 960 EVO

Серия Samsung 960 PRO доступна в объеме 512 ГБ, 1 и 2 ТБ. Скорость последовательного чтения и записи информации достигает 3500 и 2100 МБ/с соответственно. В свою очередь Samsung 960 EVO представлена вариантами объемом 250 ГБ, 500 ГБ и 1 ТБ. Скоростные показатели у нее немного ниже: максимум 3200 МБ/с при чтении и 1900 МБ/с при записи.

Samsung 960 PRO 960 EVO

Обе серии обладают поддержкой технологии Samsung Intelligent TurboWrite для достижения высокой производительности и Dynamic Thermal Guard, которая мониторит уровень нагрева и снижает скоростные показатели для предотвращения перегрева. В продажу они поступят в октябре.

Samsung 960 PRO 960 EVO

Сводная таблица технической спецификации SSD-накопителей серий Samsung 960 PRO и Samsung 960 EVO:

Тэги: samsung   nvme   m.2   ssd   v-nand   ddr3   
Читать новость полностью >>>

Накопитель Samsung SSD 850 EVO теперь доступен в 4-терабайтном исполнении

Канули в Лету те времена, когда твердотельные накопители использовались исключительно в качестве небольших по объему системных дисков. Теперь они с легкостью могут заменить традиционные HDD в плане емкого и быстрого хранилища информации.

Samsung SSD 850 EVO 4 TB

Например, популярная серия Samsung SSD 850 EVO пополнилась моделью объемом 4 ТБ. Она создана на основе 48-слойных микросхем 3D V-NAND и 3-ядерного контроллера Samsung S4LP052X01-8030. Новинка оснащена интерфейсом SATA 6 Гбит/с и характеризуется достаточно высокими показателями производительности. Так, максимальные последовательные скорости чтения и записи достигают 540 и 520 МБ/с соответственно, а аналогичные показатели произвольного доступа находятся на уровне 98 000 и 90 000 IOPS.

Правда, в ценовом плане преимущество все еще остается за HDD. Стоимость новинки заявлена на уровне $1499, в то время как аналогичные по объему жесткие диски можно найти за $145. Сводная таблица технической спецификации 4-терабайтной версии накопителя Samsung SSD 850 EVO:

Модель

Samsung SSD 850 EVO 4 TB

Формат, дюймов

2,5

Внешний интерфейс

SATA 6 Гбит/с

Объем, ТБ

4

Тип микросхем памяти

48-слойные 3D V-NAND

Контроллер

Samsung S4LP052X01-8030

Максимальная скорость последовательного чтения / записи, МБ/с

540 / 520

Максимальная скорость произвольного чтения и записи данных, IOPS

98 000 / 90 000

Гарантия, лет

5

Ориентировочная стоимость, $

1499

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   ssd   v-nand   3d   hdd   
Читать новость полностью >>>

Samsung PM971-NVMe – ультраскоростные SSD в компактном BGA-корпусе

Samsung продолжает приятно удивлять своими инновациями в сфере создания микросхем памяти. Новое ее творение – Samsung PM971-NVMe – первый в мире NVMe PCIe SSD-накопитель в ультракомпактном BGA-корпусе, который перешел в фазу массового производства. Размеры этой новинки составляют всего 20 х 16 х 1,5 мм, однако в нее интегрированы все необходимые компоненты для полноценной работы: максимум шестнадцать 48-слойных флэш-микросхем Samsung V-NAND объемом 256 Гбит (32 ГБ), одна 20-нм микросхема LPDDR4 объемом 4 Гбит (512 МБ), которая используется в качестве кэш-памяти, фирменный контроллер и интерфейс. В результате максимальная емкость составит 512 ГБ, хотя на рынке также появятся версии на 128 и 256 ГБ.

Samsung PM971-NVMe

Благодаря своим компактным размерам Samsung PM971-NVMe может стать отличным вариантом для ультрабуков и мини-ПК. К тому же он характеризуется высоким уровнем производительности благодаря интерфейсу NVMe и технологии TurboWrite. Максимальная скорость последовательного чтения достигает 1500 МБ/с, а записи – 900 МБ/с, что гораздо выше традиционных SATA-аналогов. В режиме произвольного доступа к данным максимальная скорость чтения достигает 190 000 IOPS, а записи – 150 000 IOPS. Для сравнения, у SSD эти показатели обычно находятся на уровне 90 000 – 70 000 IOPS, а у HDD – 120 IOPS. Поставки Samsung PM971-NVMe начнутся уже до конца текущего месяца.

https://news.samsung.com
Сергей Будиловский

Тэги: samsung   nvme   ssd   v-nand   hdd   
Читать новость полностью >>>

v-nand

Выбрать из: Обзоров Новостей
Только в разделе
Искать в найденом тег:

Поиск по сайту
Почтовая рассылка

top10

vote

Голосование