Поиск по сайту

up
Banner

v-nand

Готовится к выходу M.2 SSD Samsung 980 объемом от 250 ГБ до 1 ТБ

В европейских магазинах до официального анонса засветился новый M.2 SSD Samsung 980. Это более доступная альтернатива Samsung 980 PRO. Новинка использует тот же тип микросхем памяти (136-слойные 3D TLC V-NAND), что и флагман, но вместо интерфейса PCIe 4.0 x4 она получила PCIe 3.0 x4.

Samsung 980

В итоге максимальная последовательная скорость чтения и записи данных снизилась до 3500 / 3000 МБ/с. Хотя и этого за глаза хватит большинству пользователей. А установленный фирменный контроллер Pablo поддерживает 256-битное шифрование AES и TCG/Opal IEEE 1667, что позволяет использовать новинку в компаниях и правительственных агентствах с повышенными мерами безопасности.

Samsung 980

Еще одно отличие Samsung 980 от флагмана – отсутствие кеш-памяти DRAM. Это позволяет снизить затраты на производство и делает новинку более доступной. Но пока она проигрывает конкуренцию другому фирменному решению Samsung 970 Evo Plus как по скоростным показателям, так и по цене.

Релиз намечен на 30 марта. Сводная таблица технической спецификации M.2 SSD Samsung 980:

Модель

Samsung 980

Форм-фактор

M.2 2280

Интерфейс

PCIe 3.0 x4

Тип микросхем памяти

136-слойные 3D TLC V-NAND

Контроллер

Samsung Pablo

Варианты по объему

250 ГБ / 500 ГБ / 1 ТБ

Максимальная последовательная скорость чтения / записи

3500 / 3000 МБ/с

Максимальная скорость чтения / записи произвольных блоков, IOPS

500 000 / 480 000

Ориентировочная стоимость

€70 (250 ГБ)

€90 (500 ГБ)

€150 (1 ТБ)

https://www.tomshardware.com
Сергей Будиловский

samsung   m.2   ssd   v-nand   tlc  

Постоянная ссылка на новость

Твердотельный накопитель Transcend 530K с поддержкой 100 000 циклов перезаписи

У разных типов микросхем разное количество циклов перезаписи (Program/Erase cycles, P/E), что напрямую влияет на выносливость (TBW) накопителя. Например:

  • 3D NAND QLC – 150 – 1000 P/E
  • 3D NAND TLC – 1500 – 3000 P/E
  • 3D V-NAND – 3000 – 10 000 P/E
  • 3D NAND MLC – 30 000 – 35 000 P/E

В итоге у 2-терабайтного накопителя Transcend SSD220Q на чипах 3D NAND QLC выносливость (TBW) составляет всего 400 ТБ, а у GIGABYTE AORUS Gen4 7000s SSD аналогичного объема – 1400 ТБ благодаря переходу на чипы 3D NAND TLC.

Transcend 530K

Компания Transcend подготовила еще более интересную новинку – Transcend 530K. Находящиеся в ее основе чипы 3D NAND работают в режиме SLC, что поднимает количество циклов перезаписи до 100 000, а показатель TBW – до 6400 ТБ. Ее можно полностью перезаписывать 45,7 раза в день (DWPD) в течение 3 лет.

В первую очередь новинка нацелена на корпоративный сегмент встроенных решений. Она обладает скромной по современным меркам емкостью 64 или 128 ГБ. Максимальная последовательная скорость чтения и записи данных достигает 560 и 490 МБ/с. Также она обладает DRAM кеш-памятью DDR3, встроенной LDPC ECC-коррекцией и поддержкой необходимых технологий (Global Wear-Leveling, Garbage Collection, S.M.A.R.T., TRIM, NCQ и других).

Стоимость не сообщается. Сводная таблица технической спецификации накопителя Transcend 530K:

Модель

Transcend 530K

Форм-фактор, дюймов

2,5

Тип микросхем памяти

3D NAND (в режиме SLC)

Внешний интерфейс

SATA 6 Гбит/с

Объем, ГБ

64 / 128

Максимальная последовательная скорость чтения / записи (CrystalDiskMark), МБ/с

560 / 490

Максимальная скорость чтения / записи произвольных блоков 4 КБ, IOPS

83 000 / 88 000

Количество циклов перезаписи

100 000

Выносливость (TBW), ТБ

6400

Максимальное энергопотребление, Вт

2,8

Диапазон рабочих температур, °С

-20…75

Диапазон температур хранения данных, °С

-40…85

Размеры, мм

100 х 69,85 х 6,8 мм

Масса, г

54

Гарантия, лет

3

https://www.guru3d.com
https://www.transcend-info.com
Сергей Будиловский

transcend   3d nand   ssd   tlc   slc   qlc   mlc   trim   ecc   ncq   ddr3   v-nand  

Постоянная ссылка на новость

Samsung подготовила серию 870 EVO SSD объемом до 4 ТБ

Немецкий IT-портал предоставил первые фото новой серии популярных SATA SSD Samsung 870 EVO. Она придет на смену серии Samsung 860 EVO. В состав новой линейки войдут пять моделей объемом от 250 ГБ до 4 ТБ. Все они созданы в 2,5-дюймовом формате на базе фирменных микросхем V-NAND (предположительно 3D NAND TLC) и оснащены интерфейсом SATA 6 Гбит/с.

Samsung 870 EVO

По сравнению с предшественниками, новинки отличаются слегка увеличенными скоростными показателями (560 / 530 против 550 / 520 МБ/с). Максимальная выносливость (TBW) достигает 2400 ТБ для старшей версии. В продажу новинки поступят с ценниками от €70 до €450 для европейского рынка.

Samsung 870 EVO

Сводная таблица технической спецификации серии накопителей Samsung 870 EVO:

Название

Samsung 870 EVO

Форм-фактор, дюймов

2,5

Внутренний интерфейс

SATA 6 Гбит/с

Тип микросхем памяти

Samsung V-NAND (3D NAND TLC?)

Варианты по объему

250 ГБ / 500 ГБ / 1 ТБ / 2 ТБ / 4 ТБ

Максимальная скорость последовательного чтения / записи данных

560 / 530 МБ/с

Выносливость (TBW)

до 2400 ТБ (для 4-ТБ версии)

Гарантия

5 лет или до исчерпания TBW

Ориентировочная стоимость

€70 – 450

https://www.techpowerup.com
https://winfuture.de
Сергей Будиловский

samsung   ssd   3d nand   v-nand  

Постоянная ссылка на новость

Накопитель Samsung SSD 980 PRO со скоростями до 7000/5000 МБ/с

На днях ADATA представила самый быстрый в мире M.2 SSD со скоростью чтения 7400 МБ/с, а теперь подобная модель появилась в арсенале Samsung. Твердотельный накопитель Samsung SSD 980 PRO создан для требовательных профессионалов и геймеров.

Samsung SSD 980 PRO

Пока он представлен в трех вариантах объема (250 ГБ – 1 ТБ) и сочетает в себе фирменную память V-NAND, контроллер Elpis и кеш-память LPDDR4. Максимальная последовательная скорость чтения и записи достигают 7000 и 5000 МБ/с соответственно, а скорость чтения и записи случайных блоков объемом 4 КБ составляет 1 000 000 IOPS, что в 2 раза быстрее M.2 SSD с PCIe 3.0 и более чем в 12 раз быстрее SATA SSD.

Samsung SSD 980 PRO

Для охлаждения внутренних элементов используется никелированное покрытие контроллера и теплораспределительная наклейка на тыльной стороне устройства. Благодаря этому удалось улучшить температурный режим компонентов и сохранить компактный форм-фактор. Также используется технология Samsung Dynamic Thermal Guard для поддержания оптимального баланса между температурой и уровнем производительности.

В продажу новинка поступит до конца сентября. А до конца года появится 2-терабайтная ее версия. Сводная таблица технической спецификации накопителя Samsung SSD 980 PRO:

Модель

Samsung SSD 980 PRO

Форм-фактор

M.2 2280

Микросхемы

Samsung V-NAND 3-bit MLC

Контроллер

Samsung Elpis Controller

Кеш-память

1 ГБ Samsung LPDDR4 (1 ТБ)

512 МБ Samsung LPDDR4 (250, 500 ГБ)

Интерфейс

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.3c

Варианты по объему

250 ГБ, 500 ГБ, 1 ТБ

Максимальная последовательная скорость чтения / записи

7000 / 5000 МБ/с

Максимальная произвольная скорость чтения / записи блоков объемом 4 КБ

1 000 000 / 1 000 000 IOPS

Поддержка технологий

TRIM, S.M.A.R.T., Garbage Collection, 256-битное AES-шифрование, TCG/Opal IEEE1667

Выносливость (TBW)

600 ТБ (1 ТБ)

300 ТБ (500 ГБ)

150 ТБ (250 ГБ)

Гарантия

5 лет (ограниченная)

Размеры

80,15 х 22,15 х 2,38 мм

Масса

9,0 г

Рекомендованная стоимость

$89,99 (250 ГБ)

https://news.samsung.com
Сергей Будиловский

samsung   ssd   m.2   v-nand   mlc   nvme   aes  

Постоянная ссылка на новость

Samsung начала массовое производство 512-гигабайтных микросхем eUFS 3.0

В данный момент флагманские смартфоны используют накопители формата embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1. Но компания Samsung уже приготовила им замену в виде eUFS 3.0. Для справки: Samsung представила первые накопители eUFS 2.0 в январе 2015 года. Они были в 1,4 раза быстрее eMMC 5.1. В 2017 году появились чипы eUFS 2.1, а теперь пришла очередь eUFS 3.0.

Samsung eUFS 3

Первыми появятся 512-гигабайтные микросхемы eUFS 3.0. В компактном форм-факторе стековой структуры расположились восемь ядер V-NAND пятого поколения объемом по 512 Гбит и высокопроизводительный контроллер.

Максимальная скорость последовательной передачи данных в 512-гигабайтных чипах eUFS 3.0 достигает 2100 МБ/с, а записи – 410 МБ/с. Для сравнения: в микросхеме eUFS 2.1 аналогичного объема эти же показатели составляли 860 и 255 МБ/с соответственно. При произвольном чтении и записи данных скорости новинки достигают 63 000 и 68 000 IOPS (42 000 и 40 000 IOPS у eUFS 2.1).

Samsung eUFS 3

Уже в этом месяце Samsung выпустит 512- и 128-гигабайтные накопители eUFS 3.0. Во второй половине 2019 года на рынок поступят варианты объемом 1 ТБ и 256 ГБ. Их стоимости не сообщаются.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

eufs   samsung   v-nand   emmc  

Постоянная ссылка на новость

Samsung представила первый в мире накопитель eUFS 2.1 объемом 1 ТБ

Samsung сообщила о начале массового производства первых в мире терабайтных накопителей формата embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1, которые предназначены для использования в мобильных устройствах, в первую очередь – в смартфонах. Таким образом, южнокорейскому IT-гиганту потребовалось четыре года, чтобы перейти от 128-гигабайтного чипа eUFS до 1-терабайтного.

Samsung 1 TB eUFS

Размеры новинки составляют всего 11,5 х 13,0 мм. Внутри в форме стека расположены 16 микросхем V-NAND объемом по 512 Гбит каждая и фирменный контроллер. Общей емкости в 1 ТБ достаточно для хранения 260 десятиминутных 4K-видео (3840 х 2160). Для сравнения: 64 ГБ хватит лишь для 13 подобных файлов.

Также новинка может похвастать высокими скоростными показателями. Максимальная последовательная скорость чтения и записи составляет 1000 и 260 МБ/с соответственно. А эти же показатели при произвольном доступе к данным достигают 58 000 и 50 000 IOPS. То есть при чтении данных Samsung 1 TB eUFS работает в 2 раза быстрее обычных SATA SSD, но по скорости записи он пока еще проигрывает.

Samsung 1 TB eUFS

В первой половине текущего года компания планирует нарастить производство 512-гигабитных микросхем V-NAND на одном из своих заводов, чтобы удовлетворить потребности рынка в новых терабайтных накопителях.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

eufs   samsung   v-nand   ssd  

Постоянная ссылка на новость

Серия быстрых M.2 SSD Samsung 970 EVO Plus объемом до 2 ТБ

Официально анонсирована серия высокоскоростных твердотельных накопителей Samsung 970 EVO Plus. В ее состав вошли четыре модели объемом 250 ГБ, 500 ГБ, 1 и 2 ТБ. Все они созданы в формате M.2 2280 на базе микросхем Samsung V-NAND MLC и контроллера Samsung Phoenix. А для обмена данными они используют интерфейс PCIe 3.0 x4 с поддержкой стандарта NVMe 1.3.

Samsung 970 EVO Plus

Объем кэш-памяти у двух младших моделей составляет 512 МБ, а у старших – 1 и 2 ГБ соответственно. Все это обеспечивает высокие показатели производительности. Максимальная последовательная скорость чтения составляет 3500 МБ/с, а записи – 3300 МБ/с. Аналогичные показатели при произвольной работе с данными составляют 620 000 и 560 000 IOPS.

Samsung 970 EVO Plus

В продажу накопители серии Samsung 970 EVO Plus поступят в апреле с 5-летней гарантией или до исчерпания заявленной выносливости (TBW). Этот показатель зависит от емкости конкретной модели и составляет 150 ТБ (250 ГБ), 300 ТБ (500 ГБ), 600 ТБ (1 ТБ) или 1200 ТБ (2 ТБ). Ценники пока не сообщаются.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

samsung   m.2   ssd   mlc   nvme   v-nand   phoenix  

Постоянная ссылка на новость

Samsung начала массовое производство пользовательских SSD на базе чипов QLC

Компания Samsung сообщила о начале массового производства 2,5-дюймовых SSD на основе 4-битных (QLC, Quad-Level Cell) 64-слойных микросхем памяти V-NAND четвертого поколения емкостью 1 Тбит (128 ГБ). Всего в корпусе будет 8, 16 или 32 таких микросхемы, поэтому общий объем Samsung QLC SSD составит 1, 2 или 4 ТБ.

Samsung QLC SSD

Последовательная скорость чтения новинок достигнет 540 МБ/с, а записи – 520 МБ/с, что соответствует уровню актуальных твердотельных накопителей с чипами MLC и TLC. Для этого Samsung использовала 3-битный SSD-контроллер и технологию TurboWrite. Показатели выносливости для новинок пока не сообщаются, но в продажу они поступят с 3-летней гарантией, поэтому рядовым пользователям можно не волноваться.

Samsung QLC SSD

Дата начала продаж и стоимости накопителей Samsung QLC SSD пока не сообщаются.

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

ssd   samsung   qlc   mlc   tlc   v-nand  

Постоянная ссылка на новость

Показать еще

Banner