up
ru ua
menu



z-nand

Выбрать из: Обзоров Новостей
Только в разделе
Искать в найденом тег:

Стали известны характеристики SSD Samsung SZ985 на основе флэш-памяти Z-NAND

Компания Samsung обнародовала техническую документацию с окончательными характеристиками твердотельного накопителя Samsung SZ985 емкостью 800 ГБ, основанного на флэш-памяти Z-NAND. Изначально новинка ориентируется на коммерческий рынок, где должна составить конкуренцию SSD Intel Optane c типом памяти 3D XPoint, однако вскоре подобные продукты выйдут и для массового пользовательского сегмента. Для подключения она использует интерфейс PCI Express 3.0 x4.

Samsung SZ985

Если говорить о скоростных показателях Samsung SZ985, то для последовательного чтения и записи данных они достигают 3,2 ГБ/с, а скорость работы с произвольными блоками объемом 4 КБ составляет 750 000 и 170 000 IOPS для чтения и записи. У Intel Optane они находятся на уровне 2,4 / 2 ГБ/с и 550 000 / 500 000 IOPS соответственно. Показатель выносливости SSD заявлен на отметке 30 DWPD (количество полной перезаписи накопителя за день в течении гарантийного периода), что эквивалентно результату ключевого конкурента.

Samsung SZ985

По стоимости и дате поступления в продажу твердотельного накопителя Samsung SZ985 какая-либо информация пока отсутствует.

tomshardware.com
Юрий Коваль

Тэги: samsung   ssd   intel optane   intel   z-nand   pci express 3.0   3d xpoint   
Читать новость полностью >>>

SK hynix представила 72-слойную микросхему памяти 3D NAND TLC

В последнее время на рынке памяти мы наблюдаем множество новшеств. Сначала Intel запустила технологию 3D XPoint, Samsung на это ответила релизом Z-NAND, а теперь SK hynix представляет первую в отрасли 72-слойную 256-гигабитную микросхему флэш-памяти 3D NAND TLC. Увеличив количество слоев до 72-х, удалось поместить в них в 1,5 раза больше ячеек, чем на предыдущих 48-слойных чипах SK hynix 3D NAND.

3D NAND TLC

Один 256-гигабитный чип 3D NAND может предоставлять 32 ГБ памяти – существенное обновление по сравнению с 48-слойными 3D NAND, которые находятся в массовом производстве только с ноября 2016 года. Согласно информации от SK hynix, переход на 72 слоя дает прирост производительности около 30%, что достигается за счет размещения на чипе большего количества ячеек.

Вице-президент SK hynix, Джон Хо Ким, сообщил, что обновленная флэш-память 3D NAND TLC будет запущена в массовое производство во второй половине 2017 года, и компания планирует расширить ее применение в устройствах SSD и смартфонах.

http://kitguru.net
Юрий Коваль

Тэги: sk hynix   nand   3d   tlc   3d xpoint   z-nand   samsung   ssd   intel   
Читать новость полностью >>>

Samsung Z-NAND – ответ на 3D XPoint

В то время как Intel начинает активно продвигать технологию 3D XPoint на рынке флэш-накопителей, компания Samsung решила ответить релизом Z-NAND. Этот стандарт позиционируется в качестве эволюции традиционных NAND-микросхем, улучшая их надежность, масштабируемость и снижая их стоимость.

Samsung Z-SSD

Первое использование чипов Z-NAND мы увидим в серии твердотельных накопителей Samsung Z-SSD, ориентированных на использование в промышленной и корпоративной среде. Новинки созданы в формате карт расширения с интерфейсом PCI Express x4 и доступны в объеме 800 ГБ, хотя в последствии планируется выход на рынок моделей емкостью 1, 2 и 4 ТБ. Ключевое улучшение по сравнению с традиционными NAND PCIe-накопителями заключается в уменьшении задержек минимум на 70% и существенному повышению последовательной скорости чтения и записи (до 3200 МБ/с). А вот скорости произвольного чтения и записи уже не такие высокие по сравнению с обычными NVMe-накопителями – 750 000 и 160 000 IOPS соответственно. Стоимость новинок пока не сообщается.

Samsung Z-SSD

https://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский

Тэги: nand   samsung   ssd   3d xpoint   pci express   intel   nvme   z-nand   
Читать новость полностью >>>

z-nand

Выбрать из: Обзоров Новостей
Только в разделе
Искать в найденом тег:

Поиск по сайту
Почтовая рассылка

top10

vote

Голосование