Компьютерные новости

Lexar выпустила модули памяти DDR5 THOR RGB второго поколения

Lexar анонсировала следующую версию своей линейки памяти THOR RGB DDR5 для настольных ПК.

Модули получили обновленный дизайн, улучшенную подсветку и расширенные возможности для разгона.

Новая память отличается тонким алюминиевым радиатором с пескоструйным покрытием. RGB-подсветка стала ярче благодаря восьми светодиодам и предлагает тринадцать различных режимов освещения. Модули доступны со скоростью DDR5-6000 и DDR5-6400 и имеют поддержку профилей Intel XMP 3.0 и AMD EXPO для упрощенного разгона.

Новинка будет доступна в следующих конфигурациях:

• 32 ГБ (2x 16 ГБ)
• 64 ГБ (2x 32 ГБ)
• 128 ГБ (2x 64 ГБ)

Тайминги и напряжение различаются в зависимости от скорости и объема:

• 32 ГБ (2x 16 ГБ):
  • 6000 МТ/с: CL38-48-48-96 @ 1.35 В
  • 6000 МТ/с: CL36-40-40-96 @ 1.4 В
  • 6400 МТ/с: CL40-48-48-102 @ 1.35 В
• 64 ГБ (2x 32 ГБ):
  • 6000 МТ/с: CL40-48-48-96 @ 1.35 В
  • 6400 МТ/с: CL42-52-52-102 @ 1.35 В
• 128 ГБ (2x 64 ГБ):
  • 6000 МТ/с: CL40-48-48-96 @ 1.35 В
  • 6400 МТ/с: CL42-52-52-102 @ 1.35 В

Lexar предоставляет ограниченную пожизненную гарантию на THOR RGB 2-го поколения. Цена и точная дата выхода на рынок пока не объявлены.

techpowerup.com
Павлик Александр

32 ГБ оперативной памяти может стать новым стандартом для геймеров

Согласно последнему опросу аппаратного и программного обеспечения Steam, в мире ПК-гейминга происходит заметное изменение: 32 ГБ оперативной памяти быстро набирает популярность.

Хотя 16 ГБ все еще остается самой распространенной конфигурацией, 32 ГБ демонстрирует значительный рост, и если эта тенденция сохранится, то уже через несколько месяцев может стать новым стандартом.

Рост доли 32 ГБ RAM объясняется падением цен на память DDR5, а её двухканальная архитектура делает конфигурацию из двух модулей по 16 ГБ наиболее оптимальной для новых сборок. Кроме того, современные AAA-игры становятся всё более требовательными, а для плавной работы на высоких настройках уже часто рекомендуют именно 32 ГБ. Кроме того, геймеры, которые занимаются трансляциями, записью игр или другими фоновыми задачами, получают значительное преимущество от дополнительного объема памяти. Наконец, многие пользователи покупают больше RAM с прицелом на будущее, чтобы их системы были готовы к новым играм и технологиям, в частности, к задачам, связанным с локальным AI.

techpowerup.com
Павлик Александр

Team Group выпустила оперативную память T-CREATE EXPERT CKD DDR5

Team Group представила свой новый модуль памяти для настольных ПК T-CREATE EXPERT CKD DDR5, ориентированный на профессиональных создателей контента.

Новинка, дебютировавшая в комплекте на 7200 МГц 2x24 ГБ, оснащена технологией Client Clock Driver (CKD). Она значительно улучшает стабильность сигнала на высоких частотах, преодолевая ограничения, характерные для традиционных модулей в сценариях разгона и при высокой нагрузке.

Память поддерживает емкость до 64 ГБ на модуль и до 256 ГБ на комплект, а также разгон XMP 3.0 в один клик. Она разработана для эффективной работы в сложных многозадачных творческих процессах, таких как обучение ИИ, 3D-моделирование и создание музыки.

Модуль изготовлен на 10-слойной печатной плате для оптимальной целостности сигнала и оснащен алюминиевым радиатором с несколькими вентиляционными отверстиями, что обеспечивает эффективное рассеивание тепла. Team Group использует собственную технологию отбора чипов, а на продукт предоставляется пожизненная гарантия.

techpowerup.com
Павлик Александр

SK Hynix обошла Samsung и стала лидером на рынке DRAM

SK Hynix опередила Samsung Electronics и стала крупнейшим в мире производителем памяти DRAM. Это первая смена лидера на рынке более чем за 30 лет, которая произошла благодаря высокому спросу на высокоскоростную память (HBM) и эксклюзивному партнерству SK Hynix с NVIDIA

В первой половине 2025 года доля рынка SK Hynix выросла до 36,3%, в то время как доля Samsung значительно снизилась — с 41,5% до 32,7%. Это падение стало самой большой потерей рыночной доли Samsung с 1999 года.

Рост SK Hynix также подтверждается финансовыми показателями её дочерней компании в США, объём продаж которой за первое полугодие 2025 года вырос на 103% по сравнению с прошлым годом и достиг 17,79 миллиарда долларов. Аналитики прогнозируют, что SK Hynix сохранит свои позиции на рынке HBM, несмотря на рост конкуренции.

techpowerup.com
Павлик Александр

Team Group представила комплекты памяти DDR5 объёмом 256 ГБ для геймеров и создателей контента

Team Group анонсировала выпуск новых комплектов оперативной памяти DDR5 сверхвысокой ёмкости 256 ГБ (4×64 ГБ). Они будут доступны под игровым брендом T-FORCE и креативным брендом T-CREATE.

Эти решения разработаны в сотрудничестве с ведущими производителями материнских плат и протестированы на новейшей платформе AMD X870, обещая стабильную работу и высокую эффективность.

T-CREATE EXPERT DDR5: Для профессионалов

Для создателей контента Team Group предлагает четырёхканальный комплект T-CREATE EXPERT DDR5-5600 CL42 256 ГБ (4×64 ГБ). Эта память разработана для работы с ресурсоёмкими задачами, такими как:

• Редактирование видео в разрешении 4K/8K.
• Профессиональный 3D-рендеринг.
• Интенсивная многозадачность и длительные творческие сессии.

Это решение поможет профессионалам полностью раскрыть свой творческий потенциал, обеспечивая надёжную и стабильную поддержку.

T-FORCE DELTA RGB DDR5: Для геймеров

Игровой сегмент получил четырёхканальный комплект T-FORCE DELTA RGB DDR5-6000 CL32 256 ГБ (4×64 ГБ). Он создан для обеспечения высокой скорости, большой ёмкости и стабильности системы, укрепляя позиции бренда на рынке высокопроизводительных игровых решений.

Благодаря поддержке технологии разгона памяти AMD EXPO, игроки смогут легко активировать профиль EXPO через BIOS для оптимизированной производительности и чрезвычайно плавного игрового процесса.

Доступность

Новые комплекты памяти высокой ёмкости DDR5 от T-FORCE и T-CREATE запланированы на мировой релиз в начале сентября 2025 года. Следите за обновлениями Team Group на всех основных каналах сбыта.

В настоящее время информация о ценах на эти комплекты памяти не разглашается.

techpowerup.com 
Павлик Олександр

Память DDR6 появится в 2027 году: скорость до 17600 МТ/с и новая архитектура

Полупроводниковая промышленность активно ускоряет разработку нового стандарта памяти – DDR6, который, по прогнозам, станет доступным для потребителей в 2027 году.

Ведущие производители, такие как Samsung, Micron и SK Hynix, уже перешли от прототипирования к этапам тщательной проверки, работая в партнёрстве с Intel, AMD и NVIDIA.

Значительный прирост производительности и архитектурные изменения

Начальная пропускная способность DDR6 составит 8800 МТ/с, с планами масштабирования до впечатляющих 17600 МТ/с. Это почти вдвое превышает максимальную скорость современной памяти DDR5. Увеличение производительности достигается благодаря новой архитектуре DDR6 с четырьмя 24-битными подканалами, которая требует абсолютно новых методов для стабильности сигнала. Эта архитектура также отличается от текущей двухканальной 32-битной структуры DDR5.

Чтобы преодолеть физические ограничения, с которыми сталкиваются форм-факторы DIMM на более высоких скоростях, отрасль активно внедряет стандарт CAMM2. Ожидается, что серверные платформы первыми получат эту технологию, а затем её подхватят высокопроизводительные ноутбуки.

Этапы внедрения и рыночные перспективы

Валидация платформ с DDR6 запланирована на 2026 год, развёртывание на серверах – на 2027 год, после чего последует более широкая доступность для потребителей. Этот поэтапный путь напоминает внедрение DDR5, однако аналитики прогнозируют, что архитектурный скачок DDR6 может ускорить её адаптацию, особенно в средах искусственного интеллекта (ИИ) и высокопроизводительных вычислений (HPC).

Первоначальные модули DDR6, вероятно, будут иметь высокие цены, подобные ценам на DDR5 во время её дебюта в 2021 году. Это может ограничить раннее внедрение масштабными центрами обработки данных и исследовательскими лабораториями ИИ. Однако, учитывая растущий спрос ИИ и HPC на пропускную способность памяти, производители стремятся ускорить выпуск DDR6 для удовлетворения потребностей массовых вычислений. К 2027 году модули на базе CAMM2, работающие на скорости DDR6, вполне могут установить новый стандарт для высокопроизводительных систем.

techpowerup.com 
Павлик Олександр

Samsung и SK Hynix откладывают отказ от DDR4 из-за высокого спроса

В конце прошлого месяца на рынке памяти наблюдался неожиданный рост спотовых цен на микросхемы DDR4 DRAM. Это произошло именно тогда, когда ведущие производители, включая тайваньские и южнокорейские компании, уже объявили о планах поэтапного отказа от этого стандарта, оставляя лишь минимальные запасы для удовлетворения остаточного спроса.

Оказалось, что почти десятилетнее присутствие стандарта DDR4 на рынке, начиная с процессоров Intel Core 6-го поколения "Skylake" (2013 год) и до текущего Core 14-го поколения "Raptor Lake Refresh", а также совместимость с платформой AMD Ryzen Socket AM4, создали огромную базу устройств. Это означает, что существует значительно больше пользователей, всё ещё ищущих обновления для своих систем на базе DDR4, чем ожидалось.

По информации Digitimes, южнокорейские гиганты SK Hynix и Samsung Electronics приостановили свои планы по сворачиванию производства микросхем DDR4. Они могут продолжать поставки до тех пор, пока спотовые цены на DDR4 не начнут существенно отставать от DDR5. В то же время обе компании будут действовать осторожно, чтобы избежать чрезмерного накопления запасов.

techpowerup.com
Павлик Олександр

JEDEC представил новый стандарт памяти LPDDR6

JEDEC объявила о публикации нового стандарта памяти LPDDR6 (JESD209-6). Этот стандарт разработан для значительного повышения скорости и эффективности памяти, что критически важно для будущих мобильных устройств и приложений с искусственным интеллектом.

LPDDR6 является шагом вперёд в технологии памяти, улучшая производительность, энергоэффективность и безопасность. Для поддержки ИИ-программ и других ресурсоёмких задач, LPDDR6 использует двухканальную архитектуру. Это обеспечивает гибкость работы и небольшую гранулярность доступа в 32 байта.

Ключевые улучшения LPDDR6:

• Производительность: Двухканальная архитектура с 2 подканалами на кристалл и 12 линиями данных на подканал для оптимизации. Каждый подканал имеет 4 сигнала команд/адресов для уменьшения размера и повышения скорости. Гибкий доступ к данным поддерживает пакеты 32B и 64B. Динамическое завершение на кристалле (NT-ODT) улучшает целостность сигнала.
• Энергоэффективность: Работает с более низким напряжением VDD2 и требует двух блоков питания VDD2. Использует команды чередования тактов для эффективности и динамическое масштабирование напряжения/частоты (DVFSL) для уменьшения потребления энергии на низких частотах. Поддерживает частичное и активное обновление для экономии энергии.
• Безопасность и надёжность: Включает подсчёт активаций на строку (PRAC) для целостности данных, мета-режим выделения для критических задач, программируемую схему защиты канала связи и встроенную коррекцию ошибок (ECC). Поддерживает проверку чётности команд/адресов и встроенное самотестирование памяти (MBIST).

Эти нововведения делают LPDDR6 идеальным выбором для устройств следующего поколения, которым требуется баланс энергоэффективности, безопасности и высокой производительности.

tweaktown.com
Павлик Александр