Компьютерные новости
Оперативная память
Lexar прогнозирует очередное двукратное подорожание оперативной памяти
Региональный менеджер торговой марки Lexar по Австралии и Новой Зеландии Крис Ся выступил с предупреждением, что цены на оперативную память DRAM удвоятся до конца текущего года.
Главной причиной очередной волны удорожания остается масштабное строительство дата-центров для систем ИИ, которое буквально поглощает мировые запасы микросхем полупроводниковой памяти и вынуждает ведущих производителей перенаправлять почти все свои мощности на выпуск высокополосной памяти HBM.
Текущая стабилизация розничных цен на DDR5 и периодические скидки в магазинах являются временным явлением, так как дистрибьюторы и ритейлеры просто пытаются максимально быстро распродать старые складские запасы для освобождения места под новые партии товара, которые будут закупаться уже по значительно более высокой стоимости. Глубокий кризис на рынке полупроводников уже привел к существенному сокращению поставок компьютеров, падению продаж материнских плат на 25%, а также создал финансовые проблемы для многих производителей потребительской электроники.
Эксперты отмечают, что падения цен не стоит ждать в ближайшие годы, так как даже в случае потенциального сдувания инвестиционного пузыря вокруг ИИ, большинство крупных брендов связаны долгосрочными контрактами на поставку сырья по текущим сверхвысоким тарифам.
overclock3d.net
Павлик Александр
SK Hynix планирует утроить производство кремниевых пластин для микросхем памяти к 2034 году
Председатель SK Group Че Тхэ Вон в интервью журналистам заявил о существенном ускорении масштабного проекта по расширению производственных мощностей.
Согласно новым расчетам, объем выпуска полупроводниковых пластин для чипов DRAM и NAND Flash удвоится в течение ближайших пяти лет, а к 2034 году общий объем производства вырастет в три раза относительно текущего уровня. Столь агрессивный темп наращивания мощностей обусловлен колоссальным дефицитом и постоянно растущим спросом на передовую память со стороны дата-центров и разработчиков систем ИИ.
Первоначальный план развития южнокорейского полупроводникового кластера в Йонъине, предусматривающий строительство четырех крупных многоэтажных заводов, был рассчитан до 2045 года. Однако из-за острого кризиса поставок и четырехкратного роста цен на память за последний год, сроки завершения строительства удалось сократить на целое десятилетие.
Руководство подчеркивает, что текущий график с финальной точкой в 2034 году является максимально возможным сценарием и двигаться еще быстрее физически не получится. Помимо внутреннего рынка, после завершения развертывания домашних фабрик рассматривается вариант строительства дополнительных мощностей за рубежом, где приоритетным кандидатом выступает Япония благодаря развитой инфраструктуре поставок химикатов и оборудования. Хотя анонсированное расширение является позитивным сигналом для индустрии в долгосрочной перспективе, текущий кризис дефицита и высоких цен на розничном рынке SSD и оперативной памяти оно в ближайшее время не решит.
Постоянная ссылка на новостьМиф о дешевой китайской DDR5 разкомпонент развенчан: цены на чипы CXMT сравнялись с лидерами рынка
Надежда геймеров и сборщиков ПК на то, что китайская ИИ-компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) завалит рынок дешевой оперативной памятью DDR5 и заставит конкурентов снизить ценники, оказалась мифом.
Как рассказали представители брендов на выставке Computex 2026, закупочные цены на кремниевые пластины и чипы от CXMT практически сравнялись с прайсами «большей тройки» в лице Samsung, SK Hynix и Micron. Китайский производитель не планирует заниматься демпингом или вести ценовые войны.
Несмотря на отсутствие низких цен, железо от CXMT все равно массово появляется в розничных модулях памяти известных брендов. Главный козырь компании сейчас — это банальное наличие свободных объемов кремния. Пока Samsung, SK Hynix и Micron отдают приоритет сверхприбыльным заказам на HBM-память для ИИ-ускорителей и почти полностью загрузили свои мощности под нужды ИИ-индустрии, CXMT сосредоточилась на классической потребительской DRAM.
CXMT пока не может догнать мировых гигантов по тонкости техпроцессов, однако её продукция уже освоила массовый сегмент со скоростями вплоть до 8000 МТ/с. Именно доступность чипов на складах, а не их стоимость, делает китайского поставщика спасительным кругом для производителей ОЗУ в эпоху дефицита.
Постоянная ссылка на новостьG.Skill презентовала EXPO-ULL оперативную память DDR5-6000 с таймингами CL26
На выставке Computex 2026 G.Skill продемонстрировала свои первые комплекты оперативной памяти, поддерживающие только что анонсированный компанией AMD стандарт профилей разгона EXPO-ULL (ultra-low latency).
Главной звездой стенда стал экстремальный набор DDR5-6000, работающий с беспрецедентно низкими задержками CL26. Он функционирует по формуле таймингов 26-36-36-32 CR1.
Также в линейке появятся версии с формулами CL28 и CL30. Все они обеспечивают значительно более высокую производительность по сравнению со стандартными спецификациями JEDEC для DDR5-6000, где задержки обычно достигают уровня 38-44-44.
Из-за повышенного напряжения и высокого нагрева топовый модуль оснащен двухслотовой системой активного cooling-дизайна, разработанной совместно с Cooler Master.
Из-за большой толщины этого кулера владельцу ПК понадобится материнская плата с зазором минимум в один слот между каналами памяти.
Модификации с таймингами CL28 и CL30 сохранят классический дизайн и пополнят оверклокерские линейки Trident Z5 Neo и Trident Z5 Royal Neo. Официальный запуск новинок запланирован на вторую половину 2026 года.
techpowerup.com
Павлик Александр
AMD представила новый стандарт EXPO‑ULL
AMD объявила на Computex 2026 о EXPO‑ULL (Ultra Low Latency), который обеспечивает сверхнизкие задержки для памяти DDR5‑6000 и DDR5‑6400 в системах Ryzen.
Это расширение SPD‑профиля, аналогичное Intel XMP и оригинальному EXPO, но с акцентом на максимально жёсткие тайминги. Так как процессоры Ryzen 7000 и 9000 ограничены в частотах памяти по сравнению с платформами Intel, AMD решила компенсировать это снижением задержек.
Ранее производители продавали модули DDR5‑6000 и DDR5‑6400 с типичными таймингами, маркируя их как EXPO‑совместимые. Теперь в рамках EXPO‑ULL они будут поставлять те же скорости, но с существенно уменьшенными таймингами, что даёт реальный прирост производительности для энтузиастов.
AMD сообщила, что EXPO‑ULL обеспечивает средний прирост FPS на уровне 4 %, а в отдельных играх — до 13 %.
Среди партнёров программы — G.Skill, Kingston, Klevv, Lexar, Team Group, V‑Color и ADATA XPG. Ожидается, что первые модули с поддержкой EXPO‑ULL появятся на рынке в течение 2026 года.
techpowerup.com
Павлик Александр
G.SKILL показала комплект DDR5‑9200 CU-DIMM на 1,1 В
G.SKILL анонсировала новый набор памяти DDR5‑9200 CU‑DIMM объёмом 32 ГБ (2×16 ГБ), работающий на стандартном напряжении 1,1 В.
Это решение демонстрирует потенциал нового форм‑фактора CU‑DIMM, обеспечивающего стабильность сигнала и позволяющего достигать экстремальных частот без повышения энергопотребления.
Комплект имеет тайминги CL74‑74‑74‑148 и был протестирован на платформе Intel Core Ultra 7 270K Plus в сочетании с материнской платой MSI MEG Z890 GODLIKE. Благодаря интегрированному драйверу тактового сигнала CU‑DIMM обеспечивает лучшую целостность сигнала по сравнению с традиционными UDIMM, что открывает путь к новым рекордам скорости.
Память будет представлена на выставке Computex 2026 в Тайбэе, стенд G.SKILL в Nangang Exhibition Center Hall 1 (TaiNEX 1), I0818. Посетители смогут ознакомиться с демонстрацией и другими инновациями памяти следующего поколения.
techpowerup.com
Павлик Александр
Silicon Power показала сертифицированную ROG оперативную память DDR5 Cyclone R
Silicon Power представила игровую память XPOWER Cyclone R DDR5, сертифицированную ROG, со скоростью до 6000 MT/s и поддержкой AMD EXPO.
Новинка дебютирует на выставке COMPUTEX 2026 и станет частью юбилейной программы ASUS ROG.
Модули Cyclone R созданы в сотрудничестве с ASUS и прошли тестирование в экосистеме ROG, что гарантирует совместимость и стабильность работы на платформах премиум‑класса. Память поддерживает технологии on‑die ECC и расширенное управление питанием, что повышает надёжность под нагрузкой.
XPOWER Cyclone R ориентирована на геймеров и энтузиастов, которым нужна высокая пропускная способность и стабильность. Память совместима с платформами на базе Ryzen и поддерживает AMD EXPO для упрощённого разгона.
Обновлённый дизайн включает чёрный алюминиевый радиатор с рельефными линиями, вдохновлёнными киберспортом. Модули поддерживают ASUS Aura Sync и другие популярные системы RGB‑подсветки, что позволяет синхронизировать освещение с остальными компонентами ПК.
Cyclone R поставляется с ограниченной пожизненной гарантией и станет частью расширенной линейки XPOWER, ориентированной на высокопроизводительные игровые системы.
techpowerup.com
Павлик Александр
Micron расширяет производство в Вирджинии, чтобы в четыре раза увеличить выпуск DDR4
Micron инвестирует около 2 млрд долларов США в модернизацию предприятия в Вирджинии, из которых 275 млн долларов США поступили от американских властей в рамках «Закона о чипах».
Новые линии позволят компании использовать техпроцесс 1α, увеличивающий плотность транзисторов на 40% по сравнению с предыдущим поколением и обходящийся более дешёвой DUV‑литографией вместо дорогой EUV.
Выпуск DDR4 на новых линиях начнётся до конца 2026 года. Это важный шаг, так как спрос на DDR4 остаётся высоким в промышленности, телекоммуникациях, обороне и даже аэрокосмической сфере, несмотря на переход потребительского и серверного сегментов на DDR5. Micron планирует в течение следующих 20 лет инвестировать около 200 млрд долларов США в расширение производства в США, включая Нью‑Йорк и Айдахо, а в Вирджинии также будет расположено предприятие по упаковке HBM‑памяти.
tomshardware.com
Павлик Александр
Показать еще
