Компьютерные новости
Оперативная память
CXMT захватила 10% мирового рынка DRAM
Доля CXMT на мировом рынке оперативки достигла 10% по итогам второго квартала.
3
Стремительный рост обусловлен тем, что тройка крупнейших игроков перенаправила мощности на выпуск HBM для ускорителей ШИ, образовав дефицит стандартных микросхем.
Основной объем поставок приходится на память DDR5 и LPDDR5X. Выход годных кристаллов на 17-нм техпроцессе превысил 90%, что позволило нарастить отгрузки для серверов Alibaba и смартфонов Xiaomi.
Благодаря масштабной государственной поддержке и привлечению инвестиций CXMT активно наращивает выпуск чипов и готовится к массовому производству собственной памяти HBM3.
techpowerup.com
Павлик Александр
SK Hynix прогнозирует дефицит памяти до 2030 года
Генеральный директор SK Hynix Квак Но Чжон заявил, что текущая нехватка чипов памяти продлится как минимум до конца 2030 года, сдвинув предыдущие оценки по стабилизации рынка в 2028 году.
Главной причиной выступает стремительный рост спроса на специализированные решения для систем искусственного интеллекта, в частности HBM и кастомные конфигурации DRAM, из-за чего рынок постепенно выходит из традиционного цикла биржевых колебаний цен.
Для потребительского сектора это означает сохранение высоких цен на RAM и SSD для ПК, видеокарт и консолей на протяжении большей части текущего десятилетия.
techpowerup.com
Павлик Александр
Дефицит оперативной памяти увеличил выручку китайского производителя CXMT почти в 10 раз
Китайский производитель оперативной памяти CXMT отчитался о росте выручки в первом полугодии почти в 10 раз — до 150,31 млрд юаней, что составляет около 22,4 млрд долларов США.
Чистая прибыль компании достигла 77,61 млрд юаней — примерно 11,6 млрд долларов США, тогда как за аналогичный период прошлого года производитель понес убытки в размере 2,33 млрд юаней.
Стремительный рост финансовых показателей обусловлен мировым дефицитом DRAM и ростом цен на память из-за повышенного спроса со стороны сектора ИИ.
Поскольку ведущие мировые производители перенаправили значительные мощности на выпуск памяти HBM для ИИ-ускорителей, на рынке возникла нехватка классической оперативной памяти DDR4, DDR5 и LPDDR. CXMT воспользовалась этой конъюнктурой, увеличив объемы поставок стандартной DRAM, и уже заняла четвертое место на мировом рынке с долей около 7%.
В настоящее время компания готовит к массовому производству память LPDDR6 и разрабатывает собственные решения HBM.
Постоянная ссылка на новостьCXMT перешла на технологию HKMG для перехода к техпроцессу 1a DRAM и наращивания мощностей
Китайский производитель памяти CXMT внедрил технологию High-k Metal Gate (HKMG) в транзисторы своей DRAM-памяти, заменив диэлектрик из диоксида кремния на материал на основе оксида гафния.
Нововведение применено в техпроцессе G4 (класс 1z nm) и чипах LPDDR5X для предотвращения утечек тока и повышения энергоэффективности, что устраняет главное техническое ограничение для перехода к более продвинутой норме 1a и последующей разработки 15-нм технологии G5. Одновременно компания находится на стадии рискового производства памяти HBM2E по 18-нм техпроцессу G3.
Параллельно CXMT масштабирует объемы выпуска кремниевых пластин: к концу текущего года объем производства вырастет до 300 тысяч пластин в месяц, а строительство новых фабрик в Шанхае и Хефэе позволит увеличить показатель до 600 тысяч. Согласно долгосрочному плану расширения, к 2031 году совокупная мощность компании должна достигнуть 800 тысяч пластин в месяц.
Постоянная ссылка на новостьОперативная память DDR5 на чипах CXMT достигла 9000 МТ/с и 6000 МТ/с при CL28
Оперативная память стандарта DDR5, построенная на базе микросхем китайского производителя CXMT, за последние дни покорила два важных технологических рубежа. Разработчики и оверклокеры смогли зафиксировать как предельно высокие частотные показатели, так и рекордные значения низких задержек на реальном железе.
Первого результата достигла Colorful, продемонстрировавшая возможности своего новейшего комплекта iGame Shadow II общим объемом 48 ГБ из двух планок по 24 ГБ. В ходе эксперимента память установили на флагманскую материнскую плату iGame X870E VULCAN W OC и объединили с топовым процессором AMD Ryzen 9 9950X3D. В такой конфигурации систему удалось стабильно запустить на впечатляющей эффективной частоте DDR5-9000.
Второе достижение касается оптимизации задержек на стандартных частотах и принадлежит ASUS. Инженеры испытали тот же комплект iGame Shadow II от Colorful на собственных материнских платах. В серии тестов планки продемонстрировали уверенную работу в режиме DDR5-6000 с таймингами CL30, а после дополнительной настройки и подъема напряжения до 1,435 В задержки удалось урезать до значения CL28. Это существенный шаг вперед, ведь подавляющее большинство серийных модулей на базе чипов CXMT до сих пор рассчитано только на тайминги уровня CL36.
Подобные тесты показывают стремительный эволюционный скачок китайской DRAM-индустрии. Микросхемы от CXMT постепенно выходят за рамки скромных спецификаций JEDEC и начинают уверенно конкурировать с признанными лидерами рынка в оверклокерском сегменте, показывая высокие результаты на платформах AMD и Intel.
videocardz.com
Павлик Александр
Производители DRAM получили 38 млрд долларов США в качестве предоплаты, но диктовать условия смогут только до 2029 года
Крупнейшие производители оперативной памяти — Samsung, SK Hynix и Micron — кардинально изменили бизнес-модель рынка DRAM.
Чтобы обезопасить себя от цикличных падений спроса и кризисов перепроизводства, чипмейкеры перешли на долгосрочные контракты с жесткими фиксированными ценовыми порогами и обязательными авансовыми платежами. Суммарный объем полученных предоплат, залогов и заложенных депозитов от клиентов достиг 38 миллиардов долларов США.
В частности, Micron уже привлекла 18 миллиардов долларов США наличными в виде депозитов от 16 стратегических партнеров, а Samsung заключила 5-летние соглашения с гарантированно зафиксированной предоплатой в размере 25% от общей суммы контрактов. Это обеспечило производителям господствующее положение и позволяет диктовать высокие цены на рынке.
Однако аналитики прогнозируют, что контролировать рынок в таком режиме компании смогут только до 2029 года. К этому времени действующие залоги и авансовые платежи исчерпаются, а новые фабрики, в строительство которых сейчас инвестируются десятки миллиардов долларов США, выйдут на полную проектную мощность. Существенное увеличение предложения на рынке лишит тройку гигантов рычагов давления, вынудив их вернуться к классическим условиям конкуренции.
Постоянная ссылка на новостьNanya инвестирует 10,7 миллиарда долларов США в новую фабрику DRAM
Тайваньский производитель оперативной памяти Nanya Technology объявил о масштабной инвестиционной программе объемом 346,6 миллиарда тайваньских долларов, что составляет примерно 10,7 миллиарда долларов США.
Средства будут направлены на завершение строительства и оснащение нового завода Fab 5A в Тайване. Этот шаг стал крупнейшим инвестиционным проектом в местной индустрии DRAM за последнее десятилетие, а общие затраты на предприятие в будущем могут вырасти до 16 миллиардов долларов США в зависимости от рыночного спроса.
Новая фабрика рассчитана на выпуск чипов памяти по технологическим нормам класса 10 нм с активным применением литографии в глубоком ультрафиолете. Сейчас компания уже проводит тестовое производство чипов по техпроцессу 1C, а также разрабатывает следующие нормы 1D и 1E. Старт обработки кремниевых пластин запланирован на вторую половину 2027 года. Первоначальный объем выпуска составит 30 000 пластин в месяц в 2028 году с последующим увеличением до 35 900 пластин в 2029 году и выходом на максимальную проектную мощность 45 000 пластин в месяц.
В настоящее время Nanya занимает около 1,6% мирового рынка DRAM и долгое время фокусировалась на памяти предыдущих поколений, где DDR5 составляет около 10% ее доходов. Благодаря стремительному росту цен на DDR3 и DDR4 квартальная выручка компании увеличилась на 60% и превысила 1,55 миллиарда долларов США.
Ввод в эксплуатацию Fab 5A позволит тайваньскому бренду существенно нарастить выпуск современной памяти DDR5 и LPDDR5, а также поможет ослабить общий дефицит на мировом рынке полупроводников.
overclock3d.net
Павлик Александр
CXMT построит второй завод по выпуску памяти в Пекине
Ведущий китайский производитель оперативной памяти CXMT планирует существенно расширить свои производственные мощности.
Согласно сообщениям отраслевых источников, компания готовится к строительству второго крупного завода по выпуску микросхем DRAM в Пекине. Этот шаг является частью масштабной стратегии Китая по достижению самодостаточности в сфере полупроводников и снижению зависимости от иностранных поставщиков на фоне жестких санкционных ограничений США.
Новый производственный комплекс будет ориентирован на обработку 300-мм кремниевых пластин с использованием более современных технологических процессов. Благодаря расширению CXMT рассчитывает не только нарастить объемы выпуска стандартной памяти DDR4 и DDR5 для потребительского сегмента, но и ускорить разработку технологий High Bandwidth Memory для ускорителей искусственного интеллекта. Реализация проекта позволит значительно повысить совокупную долю китайской оперативной памяти на мировом и внутреннем рынках.
Общий объем инвестиций в строительство новой фабрики оценивается в миллиарды долларов США, при этом значительная часть финансирования поступает при поддержке государственных и региональных фондов развития промышленности.
Постоянная ссылка на новостьПоказать еще
