Компьютерные новости
Оперативная память
ASUS анонсировала DDR5 ROG память для энтузиастов
ASUS вышла на рынок оперативной памяти с первым комплектом DDR5 под брендом Republic of Gamers.
Модули созданы в сотрудничестве с BIWIN и выполнены в чёрно‑красной цветовой схеме с золотыми акцентами в честь 20‑летия ROG. Производитель рекомендует использовать их вместе с юбилейной материнской платой ROG Crosshair X870E 2006 Edition.
Комплект имеет объём 48 ГБ (2×24 ГБ), работает на частоте DDR5‑6000 с таймингами 26‑36‑36‑76 и поддерживает профили AMD EXPO и Intel XMP. Добавлен режим «ROG Mode», который оптимизирует работу на платах ROG Crosshair, Maximus и Strix. Модули оснащены ARGB‑подсветкой с поддержкой Aura Sync через Armoury Crate.
ASUS также объявила программу ROG‑certified memory, которая позволит другим производителям DDR5 выпускать модули с поддержкой ROG Mode и Aura Sync.
В Китае новинка стоит 5 999 юаней, что примерно равно 880 долл. США.
videocardz.com
Павлик Александр
Китайский бренд POWEV выходит на рынок DDR5 с модулями UDIMM, SODIMM и RDIMM
Китайский бренд POWEV выходит на рынок DDR5 с модулями UDIMM, SODIMM и RDIMM объёмом до 64 ГБ и скоростью 4800–5600 MT/s.
Это суббренд компании Jiahe Jinwei, которая начала массовое производство памяти DDR5 и уже поставляет модули в дата‑центры Китая.
POWEV делит свои продукты на «чисто внутренние» модули и «индустриальные», что означает использование разных источников DRAM‑чипов: от китайского CXMT до корейских или тайваньских производителей. UDIMM и SODIMM доступны в вариантах до 32 ГБ, тогда как RDIMM могут достигать 64 ГБ и поддерживают ECC. Все модули работают на напряжении 1,2 В и соответствуют стандартам JEDEC.
Особенностью запуска является то, что Jiahe Jinwei не раскрывает технологию производства DRAM, в отличие от Samsung или SK hynix, которые указывают поколение своих техпроцессов. Это вызывает вопросы о происхождении чипов, но для пользователей главным остаётся соответствие стандартам и стабильность работы.
Выход POWEV на рынок совпадает с глобальным дефицитом DRAM, поэтому дополнительные поставки могут частично снизить давление на цены. Компания уже поставляет модули в китайские дата‑центры, а в ближайшее время планирует расширение на потребительский сегмент.
techpowerup.com
Павлик Александр
В Японии обнаружены поддельные модули DDR5 SO‑DIMM с пластиковыми «чипами» и фальшивыми наклейками
Они распространяются через онлайн‑площадки, включая Yahoo Auctions и Mercari, и представляют риск для покупателей, особенно при покупке бывшей в употреблении памяти.
Пользователь X под ником TAKI сообщил, что его знакомый приобрёл модуль DDR5 SO‑DIMM, который внешне выглядел настоящим.
После разрезания одного из «чипов» оказалось, что внутри нет кремния — только пластик или стекловолокно. На плате также заметны признаки подделки: округлённые края PCB, более светлый цвет текстолита, другая форма PMIC и несоответствующие маркировки на корпусах «чипов».
Фальшивые модули проще распознать в ноутбучной памяти, где чипы открыты. В случае десктопных DDR5 DIMM это сложнее, так как большинство комплектов имеют радиаторы, скрывающие PCB и пакеты DRAM. Это делает покупку бывших в употреблении или непроверенных комплектов рискованной, если нет возможности сравнить их с проверенными фото по конкретному артикулу.
Подобные мошеннические случаи уже происходили ранее: продавались комплекты DDR5, которые внутри содержали старые DDR2 или DDR4 под «маскировкой» современных радиаторов. Производители, включая Corsair, даже меняли упаковку своих модулей, чтобы усложнить подделки и мошеннические возвраты.
videocardz.com
Павлик Александр
Team Group добавляет модули DDR5‑8000 в серии ELITE PLUS и ELITE DDR5
Team Group объявила о расширении линейки памяти ELITE PLUS DDR5 и ELITE DDR5 новыми модулями, работающими на частоте до 8000 MT/s при напряжении 1,1 В и таймингах CL56‑56‑56‑128.
Новинки соответствуют стандартам JEDEC и ориентированы на пользователей, которым нужна высокая скорость работы при низком энергопотреблении.
Модули DDR5‑8000 получили технологию Same‑Bank Refresh и оптимизированную архитектуру IC, что обеспечивает стабильность при многозадачности и повышает эффективность системы.
Компания планирует выпускать их в виде комплектов 16 ГБ × 2. Старт продаж ожидается в июне 2026 года на Amazon в Северной Америке.
Team Group позиционирует новые модули как решение для обучения, развлечений и высокопроизводительных сценариев, подчёркивая снижение энергопотребления и увеличение срока службы ПК.
techpowerup.com
Павлик Александр
DDR6 готовится к выходу в 2028 году, обещая скорость до 17 600 MT/s
DDR6 готовится к выходу в 2028 году, обещая скорость до 17 600 MT/s, но реальные потребительские поставки могут задержаться до 2029–2030 годов.
DDR6 разрабатывается совместными усилиями SK hynix, Samsung и Micron под контролем JEDEC. Первые проекты стандарта появились ещё в 2024 году, но до сих пор нет финализированных параметров напряжения, сигналов и pinout. Сейчас производители ускорили работу, и уже речь идёт о пропускной способности 8 800 MT/s с масштабированием до 17 600 MT/s — почти вдвое больше, чем у DDR5.
Ключевое отличие DDR6 — архитектура 4×24‑битных субканалов, требующая новых решений для целостности сигнала. Чтобы преодолеть физические ограничения DIMM‑формата, индустрия делает ставку на CAMM2, который может стать стандартом для серверов и ноутбуков. Ожидается, что первыми DDR6 получат серверные платформы, а потребительские ПК — только после масштабного производства.
Ранее прогнозировали старт в 2027 году, но теперь речь идёт о коммерческих поставках в 2028‑м. Это совпадает с тенденцией вытеснения DDR4: её производство постепенно сворачивается, чтобы освободить фабрики под DDR5 и будущий DDR6.
Скептики отмечают, что даже если DDR6 появится в 2028 году, для массового рынка он станет доступным не раньше 2029–2030 годов, а цены на старте будут высокими. Поэтому для большинства пользователей актуальным останется DDR5, который к тому времени достигнет скоростей свыше 10 000 MT/s.
techpowerup.com
Павлик Александр
Samsung преодолела барьер 10 нм в DRAM благодаря новой структуре 4F‑cell
Samsung преодолела барьер 10 нм в производстве DRAM, представив новую структуру 4F‑cell, которая увеличивает плотность ячеек на 30–50% и открывает путь к массовому выпуску суб‑10 нм памяти уже в 2028 году. Это первый в мире рабочий кристалл DRAM на уровне 9,5–9,7 нм.
Samsung применила комбинацию новой квадратной структуры 4F и процесса Vertical Channel Transistor (VCT), что позволило перейти от традиционной 6F‑архитектуры к более компактной. Такой подход не только повышает плотность, но и снижает энергопотребление. Для удержания данных в сверхузких ячейках компания использовала материал IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), который лучше сохраняет заряд по сравнению с кремнием.
Разработка 10a DRAM должна быть завершена в этом году, а серийное производство намечено на 2028‑й. Следующие поколения — 10b и 10c — получат дальнейшие улучшения, а 10d станет первым шагом к 3D DRAM в 2029–2030 годах.
Конкуренты, такие как Micron, пока откладывают внедрение 4F‑структуры, делая ставку на 3D DRAM. Китайские производители сталкиваются с трудностями из‑за отсутствия доступа к передовым литографическим технологиям, хотя схожесть с 3D NAND даёт им определённую надежду.
С учётом стремительного роста спроса со стороны сегмента ШИ, новая технология Samsung может стать ключевым фактором в обеспечении рынка более ёмкими и энергоэффективными модулями памяти.
Постоянная ссылка на новостьРынок памяти застыл: снижение цен ожидается лишь к концу 2027 года
Аналитики отмечают, что нынешнее плато цен на память не означает окончания дефицита.
В Европе, США и Китае уже заметны локальные коррекции стоимости, однако спрос со стороны дата‑центров для ШИ остаётся высоким и продолжает удерживать рынок в напряжении.
По прогнозам Sigmaintell, первое ощутимое смягчение цен на память произойдёт в IV квартале 2027 года, когда производители смогут частично увеличить объёмы. Полное выравнивание ожидается лишь к 2030 году, так как запуск новых фабрик и производственных линий требует нескольких лет.
В Китае ситуацию частично стабилизируют локальные поставщики, которые обеспечивают не только внутренний рынок, но и крупные международные бренды. В США же некоторые проекты дата‑центров заморожены из‑за проблем с энергосетями и опасений инвесторов относительно «ШИ‑пузыря».
Постоянная ссылка на новостьSamsung, SK Hynix и Micron покрывают лишь 60% мирового спроса на DRAM
Мировой рынок памяти DRAM столкнулся с затяжным дефицитом.
Три ключевых производителя — Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology — сейчас обеспечивают лишь около 60% глобального спроса. Остальные мощности направлены на выпуск HBM‑памяти для ШИ‑чипов, что ещё больше ограничивает доступность обычной DRAM.
Дефицит начался осенью 2025 года, а уже в первом квартале 2026 цены на DRAM выросли почти на 90%. Особенно сильно это ударило по производителям смартфонов и автомобильных компонентов. По прогнозам IDC, продажи смартфонов в 2026 году сократятся на 13% из‑за высоких затрат на память, которая в бюджетных моделях может составлять до 40% себестоимости.
Samsung планирует запуск нового завода в Пхёнтхэке в 2026 году, но серийное производство начнётся не раньше 2027‑го. SK Hynix открыла предприятие по выпуску HBM в Чхонджу, а второй завод под Сеулом будет завершён в феврале 2027 года. Micron разворачивает производство в США и Сингапуре, а также строит завод в Хиросиме, который заработает в 2028 году.
По оценкам Counterpoint Research, чтобы удовлетворить спрос, отрасли необходимо увеличивать производство на 12% ежегодно, однако текущие планы дают лишь 7,5%. Глава SK Group Чхе Тхе Вон предположил, что дефицит памяти для ШИ может продолжаться вплоть до 2030 года.
asia.nikkei.com
Павлик Александр
Показать еще
