Компьютерные новости
Оперативная память
Kepler Computing разрабатывает сегнетоэлектрическую память для преодоления дефицита памяти
Американский стартап Kepler Computing вышел из режима секретности и объявил о разработке принципиально нового типа памяти на основе сегнетоэлектрических материалов.
Технология позиционируется как альтернатива HBM для систем искусственного интеллекта, способная приблизиться к пропускной способности на ватт уровня SRAM и при этом превысить емкость SRAM и HBM до десяти раз. Главным преимуществом проекта является отсутствие потребности в передовом EUV-литографическом оборудовании.
Производство новых микросхем планируется развернуть путем модернизации уже существующих фабрик, выпускающих кремний по 28-нм техпроцессу. Переоснащение предприятий займет около восьми месяцев, что значительно дешевле и быстрее по сравнению со строительством новых линий для проливов DRAM или HBM. На реализацию этой инициативы стартап уже привлек 468 миллионов долларов США инвестиций.
Первые тестовые образцы чипов Kepler рассчитывает выпустить уже в этом году, а массовое производство на мощностях GlobalFoundries в Сингапуре стартует в 2027 году. К 2028 году компания планирует расширить выпуск на территории США. Если технология подтвердит свою эффективность, это поможет снизить нагрузку на рынок традиционной оперативной памяти и смягчить глобальный дефицит.
overclock3d.net
Павлик Александр
G.Skill выпустила флагманскую оперативную память Trident Z5 Royal NeoX с поддержкой AMD EXPO-ULL
G.Skill анонсировала новую флагманскую серию оперативной памяти Trident Z5 Royal NeoX DDR5, оптимизированную для платформы AMD.
Ключевой особенностью новинки стала поддержка профилей разгона AMD EXPO Ultra Low Latency, которые оптимизируют не только первичные, но и вторичные и третичные задержки для достижения минимальной латентности.
Серия представлена комплектами стандартного объема 32 ГБ (2×16 ГБ) с частотой DDR5-6000. В зависимости от модификации задержки составляют от CL36 до экстремально низких CL26. Внешне модули сохранили узнаваемый дизайн Royal с зеркальным золотистым или серебристым радиатором и кристаллической светодиодной полосой RGB.
techpowerup.com
Павлик Александр
SK hynix увеличивает производство передовой 1c DRAM
SK hynix активно переводит свои фабрики на новейший техпроцесс 1c DRAM.
Благодаря быстрым темпам модернизации уже до конца года доля новой памяти в производстве превысит треть. Это позволит обогнать главных конкурентов в лице Samsung и Micron, которые на данный момент удерживают лидерство по объемам выпуска этого поколения.
Новая технология обеспечивает более высокую плотность и улучшенную энергоэффективность. Она станет основой для выпуска оперативной памяти следующего поколения, включая HBM4E для систем искусственного интеллекта, а также LPDDR6 и DDR5.
В будущем, из-за физических ограничений классических микросхем, планируется переход на вертикальные транзисторы и объемную компоновку 3D DRAM.
techpowerup.com
Павлик Александр
CXMT удвоит мощности по выпуску памяти, но догнать Samsung и SK Hynix ей не удастся
Крупнейший китайский производитель DRAM, компания CXMT, планирует к 2028 году удвоить свои производственные мощности с 300 тысяч до 600 тысяч кремниевых пластин в месяц.
Для финансирования расширения компания провела IPO на почти 10 миллиардов долларов США. В этот же период Samsung Electronics и SK Hynix суммарно добавят еще около 600 тысяч пластин в месяц, что лишь увеличит отрыв Южной Кореи.
По данным Bank of Korea, номинальные цифры не отражают реального положения дел из-за низкого выхода годных чипов и санкционных ограничений США на поставку оборудования. Имея около 15% от мировых производственных мощностей, CXMT обеспечивает лишь 8% фактических поставок DRAM, ориентируясь преимущественно на внутренний рынок.
В сегменте передовых технологий Южная Корея сохранит преимущество, хотя в долгосрочной перспективе укрепление китайской цепочки поставок будет оказывать давление на рынок.
techpowerup.com
Павлик Александр
CXMT захватила 10% мирового рынка DRAM
Доля CXMT на мировом рынке оперативки достигла 10% по итогам второго квартала.
3
Стремительный рост обусловлен тем, что тройка крупнейших игроков перенаправила мощности на выпуск HBM для ускорителей ШИ, образовав дефицит стандартных микросхем.
Основной объем поставок приходится на память DDR5 и LPDDR5X. Выход годных кристаллов на 17-нм техпроцессе превысил 90%, что позволило нарастить отгрузки для серверов Alibaba и смартфонов Xiaomi.
Благодаря масштабной государственной поддержке и привлечению инвестиций CXMT активно наращивает выпуск чипов и готовится к массовому производству собственной памяти HBM3.
techpowerup.com
Павлик Александр
SK Hynix прогнозирует дефицит памяти до 2030 года
Генеральный директор SK Hynix Квак Но Чжон заявил, что текущая нехватка чипов памяти продлится как минимум до конца 2030 года, сдвинув предыдущие оценки по стабилизации рынка в 2028 году.
Главной причиной выступает стремительный рост спроса на специализированные решения для систем искусственного интеллекта, в частности HBM и кастомные конфигурации DRAM, из-за чего рынок постепенно выходит из традиционного цикла биржевых колебаний цен.
Для потребительского сектора это означает сохранение высоких цен на RAM и SSD для ПК, видеокарт и консолей на протяжении большей части текущего десятилетия.
techpowerup.com
Павлик Александр
Дефицит оперативной памяти увеличил выручку китайского производителя CXMT почти в 10 раз
Китайский производитель оперативной памяти CXMT отчитался о росте выручки в первом полугодии почти в 10 раз — до 150,31 млрд юаней, что составляет около 22,4 млрд долларов США.
Чистая прибыль компании достигла 77,61 млрд юаней — примерно 11,6 млрд долларов США, тогда как за аналогичный период прошлого года производитель понес убытки в размере 2,33 млрд юаней.
Стремительный рост финансовых показателей обусловлен мировым дефицитом DRAM и ростом цен на память из-за повышенного спроса со стороны сектора ИИ.
Поскольку ведущие мировые производители перенаправили значительные мощности на выпуск памяти HBM для ИИ-ускорителей, на рынке возникла нехватка классической оперативной памяти DDR4, DDR5 и LPDDR. CXMT воспользовалась этой конъюнктурой, увеличив объемы поставок стандартной DRAM, и уже заняла четвертое место на мировом рынке с долей около 7%.
В настоящее время компания готовит к массовому производству память LPDDR6 и разрабатывает собственные решения HBM.
Постоянная ссылка на новостьCXMT перешла на технологию HKMG для перехода к техпроцессу 1a DRAM и наращивания мощностей
Китайский производитель памяти CXMT внедрил технологию High-k Metal Gate (HKMG) в транзисторы своей DRAM-памяти, заменив диэлектрик из диоксида кремния на материал на основе оксида гафния.
Нововведение применено в техпроцессе G4 (класс 1z nm) и чипах LPDDR5X для предотвращения утечек тока и повышения энергоэффективности, что устраняет главное техническое ограничение для перехода к более продвинутой норме 1a и последующей разработки 15-нм технологии G5. Одновременно компания находится на стадии рискового производства памяти HBM2E по 18-нм техпроцессу G3.
Параллельно CXMT масштабирует объемы выпуска кремниевых пластин: к концу текущего года объем производства вырастет до 300 тысяч пластин в месяц, а строительство новых фабрик в Шанхае и Хефэе позволит увеличить показатель до 600 тысяч. Согласно долгосрочному плану расширения, к 2031 году совокупная мощность компании должна достигнуть 800 тысяч пластин в месяц.
Постоянная ссылка на новостьПоказать еще
