Компьютерные новости
Оперативная память
Новые модули памяти G.SKILL Ripjaws DDR3L SO-DIMM с рабочей частотой 2133 МГц
В последнее время игровые и высокопроизводительные ноутбуки и компактные ПК набирают все большую популярность, но из-за своих небольших размеров они позволяют устанавливать лишь 204-контактные модули оперативной памяти стандарта SO-DIMM. Геймеры же требуют максимального уровня производительности от всех используемых комплектующих.
Специально для подобных случаев компания G.SKILL разработала и представила новую модель - G.SKILL Ripjaws DDR3L SO-DIMM. Это двухканальный набор общим объемом 8 ГБ (2 х 4 ГБ), который функционирует на частоте 2133 МГц. При этом его рабочее напряжение составляет всего 1,35 В, что позволит существенно снизить нагрузку на батарею мобильных устройств.
Цена новинки не уточняется. Сводная таблица технической спецификации модулей оперативной памяти G.SKILL Ripjaws DDR3L SO-DIMM:
|
Модель |
G.SKILL Ripjaws DDR3L SO-DIMM |
|
Тип |
DDR3L SO-DIMM |
|
Объем, ГБ |
8 (2 х 4) |
|
Тактовая частота, МГц |
2133 |
|
Рабочее напряжение, В |
1,35 |
|
Схема таймингов |
CL11 |
Энергоэффективные модули оперативной памяти серии Silicon Power DDR3L с частотой 1333 / 1600 МГц
В модельном ряду компании Silicon Power появилась новая серия энергоэффективных модулей оперативной памяти - Silicon Power DDR3L. В ее состав вошли решения объемом от 2-х до 8-ми ГБ, которые работают на пониженном до 1,35 В напряжении. Это позволяет им экономить до 20% электроэнергии, что особенно критично в мобильных устройствах, питающихся от внутренней батареи.
![]()
В составе серии Silicon Power DDR3L присутствуют модули формата UDIMM и SO-DIMM, которые предназначены для установки в различных системах: десктопных, мобильных или серверных. При этом они работают на частоте 1333 или 1600 МГц, обеспечивая довольно высокий уровень производительности. Более того, новинки полностью совместимы с процессорами линейки Intel Haswell, а использование отборных микросхем и 100% тестирование их качества позволяет производителю распространить на них пожизненную гарантию.
Более подробная таблица технической спецификации энергоэффективных модулей оперативной памяти серии Silicon Power DDR3L:
|
Серия |
Silicon Power DDR3L |
|
|
Тип памяти |
DDR3L |
|
|
Форм-фактор |
240-контактные UDIMM / 204-контактные SO-DIMM |
|
|
Рабочая тактовая частота, МГц |
1333 / 1600 |
|
|
Объем, ГБ |
2 / 4 / 8 |
|
|
Параметры используемых DRAM-микросхем |
256M x 8 / 512M x 8 |
|
|
Рабочее напряжение, В |
1,35 |
|
|
Параметр CAS |
1333 МГц |
9 |
|
1600 МГц |
11 |
|
|
Гарантия |
Пожизненная |
|
http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Коврик QPAD Battlefield 4 в подарок к оперативной памяти и SSD-накопителям компании Kingston
Компания Kingston также решила воспользоваться огромной популярностью игры Battlefield 4 и для всех ее поклонников разработала новую промо-акцию. В сотрудничестве со шведской компанией QPAD она предлагает покупателям фирменных модулей оперативной памяти и SSD-накопителей бесплатные коврики серии QPAD Battlefield 4.

В частности, комплекты оперативной памяти серий Kingston HyperX Blu и Genesis будут включать в себя версию компактного коврика QPAD Battlefield 4 (FX29). А к планкам оперативной памяти серий Kingston HyperX Beast или Predator, а также к SSD-накопителю Kingston HyperX 3K покупатели получат вариант QPAD Battlefield 4 (FX36), который обладает большими размерами.

Отметим, что коврики серии QPAD Battlefield 4 созданы из качественных материалов специально для игрового использования, обеспечивая при этом высокую скорость перемещения мышки с точным позиционированием курсора.
http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Новые модули памяти Transcend DDR3-1866 для высокопроизводительных серверов
Компания Transcend представила модули памяти емкостью 4 ГБ, типов DDR3-1866 Registered DIMM (RDIMM) и DDR3-1866 Unbuffered ECC DIMM (ECC UDIMM). Они способны обеспечить оптимальный уровень производительности при эксплуатации в условиях современных виртуализированных центров обработки данных и идеально подходят для установки в серверы на основе платформы Intel Xeon E5-2600 v2.
Разработанные с учетом актуальных тенденций по внедрению технологий виртуализации серверов, модули памяти Transcend DDR3-1866 были успешно протестированы на совместимость с системами на базе платформы Intel Romley-EP с новейшими процессорами семейства Xeon E5-2600 v2. Новинки имеют самую высокую рабочую частоту среди всех аналогичных продуктов компании Transcend. Они созданы с использованием высококачественных микросхем памяти DDR3-1866 DRAM, отличающихся непревзойденным уровнем производительности и надежности.

Каждый из модулей способен работать на частоте 1866 МГц с задержками 13-13-13 при максимальном рабочем напряжении 1,5 В. Кроме того, необходимо отметить встроенную реализацию алгоритмов автоматического исправления ошибок ECC (Error Correcting Code), позволяющих отслеживать корректность операций записи и считывания данных. Это дает возможность существенно снизить риск возникновения ошибок во время выполнения сложных вычислительных задач, а также повышает общий уровень надежности работы системы.
Представленные модули DDR3 полностью совместимы со стандартами организации JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) и отличаются высочайшим уровнем производительности, стабильности и надежности. Оба типа модулей поставляются с ограниченной пожизненной гарантией.
Сводная таблица технической документации новых модулей оперативной памяти компании Transcend:
|
Номер серии |
Емкость |
Описание |
|
TS512MKR72V8N |
4 ГБ |
1866 МГц DDR3 Registered ECC DIMM |
|
TS512MLK72V8N |
4 ГБ |
1866 МГц DDR3 Unbuffered ECC DIMM |
Высокопроизводительная серверная память Transcend с пониженным рабочим напряжением
Компания Transcend объявила о начале выпуска низковольтных (напряжение питания 1,35 В) модулей памяти типа DDR3L-1600 Low Voltage RDIMM объемом 8 ГБ. Они предназначены для систем, выполняющих обработку и анализ данных большого объема. При этом новинки в полной мере соответствуют требованиям, предъявляемым к показателям плотности записи, производительности и энергопотребления современной серверной памяти.
Созданные с учетом нужд облачных и виртуализационных систем, низковольтные модули Transcend DDR3 Low Voltage RDIMM прекрасно подходят для обработки больших объемов данных и других приложений, требующих интенсивной работы с ОЗУ. Кроме того, они найдут свое применение на предприятиях, которые заботятся о сохранности окружающей среды. Снижение рабочего напряжения со стандартных 1,5 В до 1,35 В позволяет уменьшить нагрузку на контроллер памяти, понизить общую температуру системы и сэкономить до 20% электроэнергии. Более того, установка одного модуля памяти объемом 8 ГБ вместо двух по 4 ГБ дает возможность уменьшить расход электроэнергии еще на 50%.

Дополнительное преимущество решений серии Transcend DDR3 Low Voltage - поддержка тактовой частоты 1600 МГц, а также наличие встроенных датчиков температуры. И, конечно же, не стоит забывать о высокой надежности данных устройств, на которые распространяется ограниченная пожизненная гарантия.
Сводная таблица технической спецификации модулей серверной оперативной памяти линейки Transcend DDR3 Low Voltage:
|
Номер серии |
Емкость |
Описание |
|
TS2GKR72W6Z |
16 ГБ |
1600 МГц DDR3L REG DIMM (2 ранк x4) |
|
TS1GKR72W6Z |
8 ГБ |
1600 МГц DDR3L REG DIMM (1 ранк x4) |
|
TS1GKR72W6Y |
8 ГБ |
1600 МГц DDR3L REG DIMM (2 ранк x4) |
|
TS1GKR72W6H |
8 ГБ |
1600 МГц DDR3L REG DIMM (2 ранк x4) |
|
TS512MKR72W6H |
4 ГБ |
1600 МГц DDR3L REG DIMM (1 ранк x8) |
Оверклокерская память серии Team Group ZEUS уже доступна на рынке
Компания Team Group вышла на рынок с предложением новой серии оверклокерской оперативной памяти - Team Group ZEUS. В ее состав вошли двухканальные DDR3 DIMM-модули общей емкостью 8 ГБ (2 х 4 ГБ), номинальная частота работы которых составляет 1600 МГц. Рабочее напряжение новинок находится на уровне 1,45-1,5 В, а схема таймингов – 9-9-9-24.

Специалисты компании Team Group указывают на значительный оптимизационный потенциал модулей памяти серии Team Group ZEUS. Для стабильной работы в условиях повышенных тактовых частот и рабочих напряжений новинки оснащены алюминиевыми радиаторами, что позволяет более эффективно рассеивать избыточное тепло. При этом высота самих модулей не превышает 3-х см, что существенно расширяет их совместимость с высокопроизводительными воздушными процессорными кулерами.


В продажу решения серии Team Group ZEUS поступили с пожизненной гарантией по ориентировочной цене от €69,90. Сводная таблица технической спецификации новинок выглядит следующим образом:
|
Название |
Team Group ZEUS |
|
Тип |
DDR3 DIMM |
|
Объем, ГБ |
8 (2 х 4) |
|
Тактовая частота, МГц |
1600 |
|
Тайминги |
9-9-9-24 |
|
Рабочее напряжение питания, В |
1,45 – 1,5 |
|
Высота, см |
3 |
|
Цвет радиатора |
Красный / синий / золотой |
|
Гарантия производителя |
Пожизненная |
|
Ориентировочная цена, € |
69,90 |
Samsung объявляет о старте серийного производства передовых 20-нм модулей памяти DDR4
Компания Samsung Electronics объявила о старте серийного производства передовых модулей памяти DDR4 для корпоративных серверов, работающих в составе центров обработки данных (ЦОД) следующего поколения. При помощи этих высокопроизводительных и высокоемкостных модулей памяти, Samsung сможет удовлетворить потребность рынка в прогрессивных DDR4-решениях для ЦОДов и корпоративных серверов.

Более раннее появление на рынке 4-гигабитных (Гб) DDR4-устройств, созданных на основе 20-нанометрового техпроцесса, поспособствует росту спроса на модули памяти емкостью 16 ГБ и 32 ГБ, которые смогут в будущем заменить традиционные DRAM-версии емкостью 8 ГБ на основе 30-нм техпроцесса, которые наиболее распространены на данный момент. Скорость передачи данных 4-гигабитным чипом памяти DDR4 составляет 2667 Мбит/с, что в 1,25 раза больше скорости модулей DDR3, в которых также используются микросхемы 20-нанометрового класса. При этом энергопотребление чипа снижено более чем на 30%.

Использование высокоскоростных чипов памяти DRAM в работе корпоративных серверов следующего поколения значительно повышает производительность системы и снижает уровень энергопотребления. Применяя технологии модулей памяти DDR4 на раннем этапе, ОЕМ-производители могут свести к минимуму эксплуатационные расходы и значительно увеличить производительность, обеспечив, таким образом, более быстрый возврат инвестиций.

Создав на базе модуля 20-нм класса, самый производительный и маленький 4-гигабитный чип DRAM-памяти в мире, компания Samsung Electronics в настоящее время имеет самую большую в индустрии линейку продуктов, предназначенных для применения, как в серверах, так и в мобильных устройствах. Это обеспечит клиентам по всему миру широчайший выбор передовых экологичных решений для памяти, которые отличаются низким энергопотреблением и высокой производительностью.
Постоянная ссылка на новостьНа выставке IDF 2013 G.SKILL анонсирует планы появления модулей DDR4-памяти
В рамках форума IDF 2013, который пройдет с 10-ого по 12-е сентября в Сан-Франциско (США), компания G.SKILL планирует продемонстрировать на своем стенде линейку высокопроизводительной оперативной памяти DDR3, которая будет включать и четырехканальные модули для использования в паре с новыми процессорами Intel Ivy Bridge-E. Также она обещает поделиться планами выпуска модулей памяти стандарта DDR4, который будут официально представлены уже в следующем году.

Напомним, что на данный момент заявленной поддержкой нового стандарта оперативной памяти обладают высокопроизводительные процессоры линейки Intel Haswell-E, дебют которых ожидается в конце 2014 года. Для более широких масс пользователей они станут доступными вместе с процессорами Intel Skylake, которые во второй половине 2015 года придут на смену моделям линейки Intel Broadwell.
Что же касается компании AMD, то поддержка памяти стандарта DDR4 в ее процессорах и APU ожидается с появлением решений серии AMD Carrizo с микроархитектурой AMD Excavator, которые должны сменить APU AMD Kaveri в 2015 году.
http://www.techpowerup.com
Сергей Будиловский
Показать еще











