Поиск по сайту

up

Компьютерные новости

Оперативная память

Трехканальные наборы оперативной памяти Super Talent DDR3-2000

Компания Super Talent представила новый высокопроизводительный набор трехканальной оперативной памяти DDR3 общим объемом 24 ГБ. Он состоит из шести планок, каждая из которых имеет емкость 4 ГБ и функционирует на тактовой частоте 2000 МГц. Модули оперативной памяти Super Talent DDR3-2000 нацелены на использование энтузиастами в наиболее современных платформах и протестированы на материнской плате ASUS Rampage III Extreme (чіпсет Intel X58). Согласно официальному пресс-релизу, компания Super Talent уже начала их отгрузку, однако еще не объявила рекомендованной цены.  

Краткая таблица спецификации нового набора оперативной памяти Super Talent:

Объем, ГБ

24 (6 х 4)

Тактовая частота функционирования, МГц

2000

Напряжение питания, В

1,65

Тайминги

CL9

http://www.tcmagazine.com
http://www.supertalent.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

I-O Data подготовила линейку SD-карт памяти

Компания I-O Data анонсировала начало выпуска новой серии карт памяти базового стандарта SD, которые поддерживают второй класс быстродействия, что гарантирует минимальную скорость записи на уровне 2 МБ/с. В состав новой линейки вошли также карты памяти SDHC, microSD и microSDHC, которые будут продаваться с SD- адаптерами. Все новинки изготовлены из безопасных материалов согласно директиве RoHS и поступят в продажу до конца текущего месяца.

Краткая спецификация новых карт памяти от компании I-O Data представлена в таблице:

Форм-фактор

SD

SDHC

microSD

microSDhc

Серия

SD-V2G

SDH-V4G, SDH-V8G, SDH-V16G, SDH-V32G

SDMC-V2G/A

SDMCH-V4G/A,

SDMCH-V8G/A

Объем, ГБ

2

4/8 / 16/32

2

4/8

Минимальная скорость записи, МБ/с

2

Размеры, мм

24 х 32 х 2,1

15 х 11 х 1

Вес, г

2

0,24

http://www.tcmagazine.com
http://www.iodata.jp
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Новые 2 ГБ модули оперативной памяти Super Talent Green DDR3

Анонсировано начало продаж новых 2 ГБ модулей экологически безопасной оперативной памяти Super Talent Green DDR3, которые собраны на базе 1 Гб микросхем. Характерными особенностями новинок является меньшее напряжение питания (1,35 В) вместо стандартного значения 1,575В и низкопрофильный дизайн – их высота составляет 18,3 мм, в то время как для обычных модулей этот показатель составляет 29, 97 мм. Эти два нововведения обеспечивают с одной стороны снижения затрат на изготовление и транспортировку новых модулей Super Talent Green DDR3, а с другой – уменьшение мощности потребления, выбросов CO2 и лучшему охлаждению. Как следствие, возрастает их экономическая и экологическая эффективность.

Краткая спецификации новых модулей оперативной памяти Super Talent Green DDR3 приведена в таблице:

Объем, ГБ

2

Тип

PC3-10600

Тактовая частота работы, МГц

1333

Напряжение питания, В

1,35

Организация модуля

256M x 72

Высота модуля, мм

18,3

Соответствие стандартам

JEDEC 1.35V DDR3 SDRAM-VLP, RoHS 

http://www.tcmagazine.com
http://www.supertalent.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Первые в мире 4 ГБ модули памяти Super Talent DDR3-1600 МГц SO-DIMM

Американская компания Super Talent анонсировала появление первых в мире оптимизированных модулей оперативной памяти DDR3 SO-DIMM, объемом 4 ГБ. Новинки получили конфигурацию 512М х 64 и будут работать на тактовой частоте 1600 МГц. Они нацелены на рынок высокопроизводительных игровых лептопов.

На сегодняшний день, несколько компаний уже изготовляют 4 ГБ DDR3 SO-DIMM модули оперативной памяти, но с максимальной тактовой частотой 1333 МГц. Увеличение тактовой частоты до 1600 МГц позволит повысить производительность функционирования всей системы в целом. Новые 4 ГБ модули оперативной памяти Super Talent DDR3-1600 МГц SO-DIMM поступят в продажу через несколько недель.

http://www.tcmagazine.com
http://www.supertalent.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Обновленная линейка оперативной памяти Transcend JetRam

Компания Transcend анонсировала расширение линейки DDR3 оперативной памяти JetRam новыми 4 ГБ модулями. При них изготовлении применялись нормы 40 нм технологического процесса, что позволило увеличить объем при одновременном сокращении мощности потребления. Новинки пополнят как десктопный, так и мобильный сегменты рынка.

Каждый модуль проверен на надежность и оптимизирован для стабильной работы при номинальном напряжении питания 1,5 В. Краткая таблица спецификации оперативной памяти Transcend JetRam:

Модель

JM1333KLN-4G

JM1066KSN-4G

JM1333KSN-4G

Тип памяти

Unbuffered DIMM

SO-DIMM

SO-DIMM

Объем, ГБ

4

Технологический процесс, нм

40

Тактовая частота, МГц

1333

1066

1333

Тайминги

9-9-9

7-7-7

9-9-9

Номинальное напряжение питания, В

1,5

Гарантия

пожизненная

Рекомендованная цена, €

71,30

66,04

http://www.tcmagazine.com
http://www.transcendusa.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Elpida анонсировала 2 Гб DDR 3-чипи оперативной памяти по 30 нм техпроцессу

Японская компания Elpida завершила разработку 2 Гб чипов оперативной памяти стандарта DDR3, при изготовлении которых использовались нормы 30 нм технологического процесса. Переход на новый техпроцесс обеспечит увеличение на 45% количества микросхем, которые изготовляются из одной пластины, по сравнению с 40 нм чипами. Это позволит эффективнее использовать сырье и уменьшить конечную себестоимость их изготовления. Также новинки владеют сниженным на 15% уровнем потреблением тока в активном режиме и на 10% - в режиме ожидания, что будет содействовать снижению их общей мощности потребления.

Новые чипы от компании Elpida отвечают стандарту организации JEDEC и смогут быть использованы при изготовлении стандартных (1,5 В) модулей оперативной памяти DDR3-1866 МГц и низковольтных (1,35 В) планок DDR3L-1600 МГц.

Массовое производство 2 Гб DDR 3-чипов оперативной памяти за 30 нм технологическим процессом начнется в декабре текущего года.

http://www.tcmagazine.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Silicon Power анонсировала новую линейку оперативной памяти DDR3-1333 МГц

Компания Silicon Power начнет продажу новой линейки оперативной памяти, которая полностью совместима с платформами Intel и AMD. В модельный ряд входят одинарные 4 ГБ модули, двухканальные 8 ГБ (2 х 4 ГБ) и трехканальные 12 ГБ (3 х 4 ГБ) наборы.

Новинки работают на тактовой частоте 1333 МГц, используют топологию Fly-by для более эффективной организации сигналов данных, адрес, управление и синхронизации, а также поддерживают технологию ODT (On-die Termination), которая увеличивает скорость передачи информации. Интегрированный код коррекции ошибок (ECC) повышает надежность работы оперативной памяти. Каждая планка проходит полный цикл тестирования на эффективность и стабильность характеристик. Таблица спецификации новых модулей памяти Silicon Power выглядит следующим образом: 

Тип модулей памяти

DDR3 небуферезированые с поддержкой ECC

Форм-фактор

240-контакные Long- DIMM / 204-контакные SO-DIMM

Тактовая частота работы, МГц

1333

Объем, ГБ

4/8 (2 х 4) / 12 (3 х 4)

Тип микросхем, бит

256Мх8

Напряжение питания, В

1,5

Тайминги

9-9-9-24

Гарантия

пожизненная

http://www.tcmagazine.com
http://www.silicon-power.com
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Toshiba анонсирует быстрейшие карты памяти формата SDHC и micro-SDHC

Сразу же после анонса компанией Panasonic новых флеш-карт формата SDHC, другая японская компания Toshiba представила свои SDHC и micro-SDHC карты памяти, которые отвечают стандарту SD Memory Card версии 3.0, используют интерфейс UHS-I и обеспечивают наивысшие показатели скорости чтения/записи. Уже сегодня посетители берлинской выставки IFA 2010 смогут увидеть эти новинки.

Спецификация карт памяти Toshiba SDHC

Модель

THNSU032GAA21L

THNSU016GAA21K

THNSU008GAA21J

Объем, ГБ

32

16

8

Максимальная скорость чтения, МБ/с

95

Максимальная скорость записи, МБ/с

80

Начало массового производства

ноябрь 2010

декабрь 2010

Спецификация карт памяти Toshiba micro-SDHC

Модель

THNSU016GBB2A0

THNSU008GBB2A0

THNSU004GBB2A0

Объем, ГБ

16

8

4

Максимальная скорость чтения, МБ/с

40

Максимальная скорость записи, МБ/с

20

Начало отгрузки образцов

ноябрь 2010

http://www.tcmagazine.com
http://www.toshttp.co.jp
Сергей Будиловский

Постоянная ссылка на новость

Показать еще