up
ru ua
menu



Новости: > 2008 > 12 > 04

rss

Компания Hynix анонсирует первые в мире DRAM 2 Гб

Анонсированные микросхемы памяти  компании Hynix Semiconductor знамениты тем, что являются первыми в мире DRAM 2 Гб, выполненные по 54 нм техпроцессу. Новинки могут использоваться как в модулях SDRAM, так и DDR DRAM, потребляя всего 1,2 В и обеспечивая скорость обмена данными до 400 Мб/с.

 

Новые микросхемы Hynix DRAM 2 Гб соответствуют стандартам, разработанным JEDEC, а их массовый выпуск, согласно ожиданиям, начнется в первой половине 2009 года.

Анна Смирнова
TechConnect Magazine

Новость прочитана 1352 раз(а)



<< предыдущая новость     следующая новость >>

Социальные комментарии Cackle

Рекомендуемые видео:


Поиск по сайту
Почтовая рассылка
top10

vote

Голосование