Micron и Nanya выпустили 42-нм DDR3-память: энергоэффективная и высокопроизводительная

Компании Micron Technology и Nanya объявляют о завершении разработки микросхем DDR3 DRAM по новому 42-нм техпроцессу ёмкостью 2 Гбит. Чипы памяти обеспечивают скорость передачи данных до 1866 Мбит/с. Новые энергосберегающие модули памяти работают при напряжении питания 1,35 В, в отличие от предыдущего поколения, которому характерна работа при стандартном напряжении питания 1,5 В.  Новинки будут доступны емкостью до 16 ГБ.

Компании Micron Technology и Nanya владеют совместным предприятием Inotera Memories по производству чипов памяти на Тайване, основанном в 2003 году. Изначально партнером Nanya была компания Qimonda, но в 2008 году ее долю выкупила Micron. Основными продуктами Inotera являются модули памяти DDR2 и DDR3.

Компании внедрили свой передовой 42-нм техпроцесс для производства новых микросхем памяти довольно успешно и вовремя предложив необходимый продукт потребителям. С момента выхода на рынок Windows 7 запущен цикл обновления компьютеров, ведь Windows 7 повышает спрос на DDR3 память со стороны OEM-производителей компьютеров.

Переход на 42-нм техпроцесс позволил увеличить выход чипов с одной подложки на 60%. Новые микросхемы отличаются высокой энергоэффективностью и могут использоваться как в серверных системах, настольных компьютерах, так и в ноутбуках, нетбуках и других мобильных устройствах. Массовое производство 42-нм DDR3-чипов стартует во втором полугодии.

Nanya