Компьютерные новости
Все разделы
На 40% эффективнее: SK hynix представила 16-гигабитные чипы DDR4-памяти
Компания SK hynix с гордостью представила самые емкие в индустрии 16-гигабитные микросхемы памяти DDR4, созданные на основе техпроцесса 1z нм. Их производство не требует использования дорогой EUV литографии, а значит есть все предпосылки для снижения конечной стоимости.
Пропускная способность новинок достигает 3200 Мбит/с – это самый большой номинальный показатель для интерфейса DDR4. При этом энергоэффективность готовых модулей на базе этих чипов улучшилась на 40% по сравнению с аналогичными по плотности модулями, созданными на основе 8-гигабитных чипов прошлого поколения (технология 1y нм).
Массовое производство 1z-нм микросхем памяти запланировано на следующий год. SK hynix также планирует использовать эту технологию для создания чипов LPDDR5 и HBM3.
