Компьютерные новости
Все разделы
Samsung продемонстрировала технологию создания 900‑слойной V‑NAND
Samsung продемонстрировала технологию создания 900‑слойной V‑NAND, объединив два кристалла по 450 слоёв с помощью Cell Multi‑Bonding. Это важный шаг к цели компании — 1000 слоёв к 2030 году.
Samsung применила гибридное соединение кремниевых пластин с металлическими микробампами, образующими постоянную связь между двумя чипами. Такой подход позволяет преодолеть ограничения производства, когда один кристалл уже не может вместить больше слоёв. Для решения проблемы деформации толстых 450‑слойных пластин компания разработала микроскопические держатели и новые методы коррекции наложения.
В самой памяти созданы новые структуры битлайнов и вордлайнов, которые снижают энергопотребление и удерживают размер кристалла в разумных пределах. Массовое производство 900‑слойной V‑NAND пока не началось — сначала Samsung планирует вывести на рынок 10‑е поколение V‑NAND с более чем 400 слоями, а затем перейти к составным решениям.
Сейчас рекорд в серийном производстве принадлежит SK hynix с 321‑слойной 4D NAND, но Samsung стремится стать лидером в ближайшие годы.
