up
ru ua
menu


GOODRAM-SSD-Iridium-PRO.gif

Новости: > 2010 > 08 > 13

rss

Toshiba DDR Toggle Mode NAND – 32-нм флеш-микросхемы с новым интерфейсом

Компания Toshiba представила новые флеш-микросхемы DDR Toggle Mode NAND, которые выполнены по 32-нм техпроцессу и обладают значительно лучшими скоростными характеристиками по сравнению с предшественниками. Объем новинок будет зависеть от технологии изготовления – одноуровневой структуры ячеек (SLC) или многоуровневой (MLC).

Спецификация  Toshiba DDR Toggle Mode 1.0 предусматривает передачу данных на скорости 133 Мб/с, что значительно превышает показатель 40 Мб/с, который характерный для обычных SLC микросхем. Еще одним существенным преимуществом является использование асинхронного интерфейса, который не нуждается в сигнале синхронизации, поэтому существенно упрощается дизайн и уменьшается мощность потребления.

Компания Toshiba не планирует успокаиваться на достигнутому и уже начала создавать новый стандарт DDR Toggle Mode 2.0, который предусматривает изготовление втрое более быстрых микросхем (400 Мб/с), чем предусмотрено предыдущей спецификацией, и вдесятеро более быстрых, чем существующие на сегодня чипы. Таблица характеристик новых микросхем Toshiba DDR Toggle Mode NAND:

Объем, ГБ

SLC

4/8 / 16

MLC

8/16 / 32

Размер блока, МБ

1

Тип корпуса

132 BGA

Напряжение питания (Vcc), В

2,7 – 3,6

Дополнительное напряжение питания (VccQ), В

1,8/3,3

http://www.tcmagazine.com
http://www.toshttp.com
Сергей Будиловский

Новость прочитана 250 раз(а)



<< предыдущая новость     следующая новость >>

Социальные комментарии Cackle

Рекомендуемые видео:


Поиск по сайту
Почтовая рассылка
top10

vote

Голосование