Компьютерные новости
Все разделы
Увеличена емкость в 4 раза: 30-нм NAND-память 512 ГБ от Samsung
Как сообщают зарубежные коллеги, корейская компания Samsung Electronics представила первый в мире модуль флэш-памяти NAND (объемом 64 гигабит), выполненный по 30-нм технологии.
Емкость чипа вчетверо больше емкости тех микросхем, которые выпускаются сегодня. В настоящее время в серийном производстве аналогичных модулей используется 50-нм технология. Ожидается, что серийное производство модулей памяти по новой технологии начнется в 2009 году, при этом эта продукция будет пользоваться огромным спросом на рынке флэш-памяти - согласно отчетам аналитиков, объемы продаж микрочипов емкостью 64 Гбит и выше в 2009 - 2011 годах превысят отметку в 20 млрд. - весьма перспективный рынок для производителей флэш-памяти.
Разработка основана на технологии MLC (Multi-Level Cell), когда данные хранятся в многоуровневых ячейках. Новый чип объемом 8 ГБ позволит создавать карты форматов SD или CF-II емкостью 128 ГБ (многоуровневые MLC-чипы предполагается соединят в модули по 16 штук) или 1,8-дюймовые SSD-накопители емкостью 512 ГБ, состоящие из 64 чипов. Стоит отметить, что 128 ГБ эквивалентно около 32 тыс. музыкальным трекам или около 80 фильмам в DVD-качестве. Использоваться они будут преимущественно для хранения данных. Таким образом, новинка не будет конкурировать с более быстрыми SLC-чипами от Samsung, которые могут использоваться там, где нужна высокая скорость работы.
Всего 10 месяцев назад, в январе этого года, компания с не меньшей радостью сообщала о создании 16 Гбитного чипа (тогда производство велось по технологии 50 нм). Большинство существующих твердотельных дисков SSD обладают объёмом не выше 80 Гбайт. Такие результаты действительно впечатляют.
