Компьютерные новости
Все разделы
HotChips 33: Samsung анонсировала модуль оперативной памяти DDR5-7200 объемом 512 ГБ
В рамках конференции HotChips 33 компания Samsung похвасталась достижениями в сфере создания чипов оперативной памяти. Она представила новые микросхемы DDR5 высотой 1,0 мм, которые используют 8-стековую структуру TSV (Through Silicon Via). Для сравнения: микросхемы DDR4 имеют максимум 4 слоя и общую высоту 1,2 мм.
Больше слоев в структуре чипов увеличивает их емкость. В результате новинки позволяют создавать модули оперативной памяти объемом до 512 ГБ. И у компании Samsung уже есть таковые в наличии. Они работают на частоте 7200 МГц при стандартном напряжении 1,1 В. Новинки будут готовы к массовому производству до конца текущего года. К сожалению, они используют стандарт RDIMM/LRDIMM и нацелены на рынок серверных систем.
Для мейнстрим-рынка Samsung подготовила модули DDR5 UDIMM объемом 64 ГБ. Компания ожидает, что новый стандарт будет доминировать на мейнстрим-рынке не ранее 2023 года, поэтому у производителей памяти еще много времени для экспериментов с частотами и объемом готовых модулей.
