Intel валидировала модули памяти Hynix DDR3 на 40 нм чипах

Компания Hynix Semiconductor анонсировала модули оперативной памяти 2 Гб DDR3 DRAM, выполненных на базе 40 нм техпроцеса и прошедших валидацию Intel.

Среди продуктов Hynix, недавно прошедших валидацию, модули памяти 2Гб DDR3 SDRAM, 4 ГБ DDR3 SODIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) для портативных устройств и 2 ГБ DDR3 UDIMM (Un-buffered Dual In-line Memory Module), рабочая частота которых составляет 1333 МГц, а потребляемое напряжение – 1,5 В.

Новые решения способны достигать максимальных скоростей передачи данных на частоте 1876 МГц c I/O на 16 бит и полосой пропускания 3,7 ГБ/с. По словам представителей Hynix,  40 нм модуль 2Гб DDR3 на 60% продуктивней, чем аналогичный модуль на базе технологического процесса 50 нм.

Кроме того, новый 40 нм модуль памяти DDR3 на 2 Гб Hynix отвечает на требования современной индустрии относительно экономии потребляемой энергии, расход которой у новых решений на 40 % меньше по сравнению с предыдущими продуктами из класса 50 нм устройств.

"Господствующая тенденция к уплотнению на рынке высокоэффективных серверных решений привела нас от 1 Гб к 2 Гб. Мы готовы полностью обеспечить лучшие производственные качества модулей памяти DD3 объемом на 1 Гб и 2 Гб," - говорит мистер Ким (Mr. J.B. Kim), главный маркетолог комании Hynix.

Компания Hynix стартовала массовое производство новых 2 Гб DDR3 на базе 40 нм технологического процесса. Валидация модулей RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) ожидается ближе к концу года.

http://www.tcmagazine.com
http://www.techarena.in
Кирилл Ноздрин