Компьютерные новости
Все разделы
Kioxia начинает поставки образцов флеш-памяти BiCS FLASH 9-го поколения
Kioxia объявила о начале пробных поставок образцов флеш-памяти BiCS FLASH 3D 9-го поколения с технологией Triple-Level Cell (TLC) ёмкостью 512 Гбит/с. Массовое производство этих устройств планируется начать в 2025 финансовом году.
Новые чипы разработаны для приложений, требующих высокой производительности и исключительной энергоэффективности, и будут интегрированы в корпоративные SSD-накопители Kioxia, в частности те, что предназначены для систем искусственного интеллекта.
Стратегия развития и ключевые улучшения
Kioxia придерживается двухосной стратегии для удовлетворения разнообразных потребностей рынка:
- Продукты BiCS FLASH 9-го поколения: Достигают высокой производительности при сниженной себестоимости благодаря технологии CBA (CMOS непосредственно присоединённый к массиву), которая интегрирует существующие технологии ячеек памяти с новейшей технологией CMOS.
- Продукты BiCS FLASH 10-го поколения: Будут включать увеличенное количество слоёв памяти для будущих решений с большей ёмкостью и высокой производительностью.
Новая TLC-память BiCS FLASH 9-го поколения на 512 Гбит/с, разработанная с использованием 120-слойного процесса стекирования на основе технологии BiCS FLASH 5-го поколения, демонстрирует значительные улучшения по сравнению с существующими продуктами Kioxia BiCS FLASH такой же ёмкости:
- Производительность записи: улучшение на 61%.
- Производительность чтения: улучшение на 12%.
- Энергоэффективность: повышена на 36% при записи и на 27% при чтении.
- Скорость передачи данных: интерфейс Toggle DDR 6.0 обеспечивает 3,6 Гбит/с. Kioxia также подтвердила, что в демонстрационных условиях 512-гигабитный TLC работает со скоростью до 4,8 Гбит/с.
- Битовая плотность: увеличена на 8% благодаря усовершенствованию планарного масштабирования.
Линейка продуктов BiCS FLASH 9-го поколения будет определена в соответствии с требованиями рынка.
