Поиск по сайту

up

Компьютерные новости

Все разделы

Новые модули оперативной памяти Elpida 4 ГБ DDR3 SO-DIMM на основе 30-нм чипов

Японская компания Elpida объявила о производстве первых образцов новых 4 ГБ модулей оперативной памяти стандарта DDR3 SO-DIMM на основе 30-нм микросхем. Новинки работают на тактовой частоте 1866 МГц при напряжении питания 1,5 В. Новые модули памяти от компании Elpida ориентированы на использование в мобильных компьютерах. По сравнению с 40-нм чипами, новые решения потребляют на 20% меньше тока в активном режиме и на 30% – в режиме ожидания. Это позволяет существенно снизить нагрузку на батарею, увеличив время автономной работы. Также отметим, что переход на более тонкий техпроцесс позволит увеличить эффективность использования материалов, что в конечном случае приведет к уменьшению себестоимости их изготовления.

Массовое производство новых 4 ГБ модулей памяти на базе 30-нм микросхем компания Elpida планирует наладить в первом квартале 2011 года.

 

Таблица технической спецификации новых модулей оперативной памяти от компании Elpida выглядит следующим образом: 

Стандарт памяти

DDR3 SO-DIMM

Тип модуля

204-контактный

Техпроцесс изготовления, нм

30

Объем, ГБ

4

Тактовая частота, МГц

1866

Номинальное напряжение питания, В

1,5

Диапазон рабочих температур, ºС

0…+95

http://www.tcmagazine.com
http://www.elpida.com
Сергей Будиловский