Компьютерные новости
Все разделы
Память DDR5 появится уже в этом году
В рамках International Solid-State Circuits Conference компании SK Hynix и Samsung поделились планами касательно выпуска на рынок DDR5-памяти. Презентация первой сконцентрировалась на 16-гигабитном чипе, произведенном на базе 1y-nm процессе с площадью 76,22 мм2. Он работает при напряжении 1,1 В с пропускной способностью 6,4 Гбит/с на каждый контакт. Эта микросхема ляжет в основу десктопных модулей памяти.
В свою очередь Samsung сконцентрировалась на мобильном стандарте LPDDR5. Ее чипы произведены на базе 10-нм технологии и обладают пропускной способностью 7,5 Гбит/с на контакт при рабочем напряжении 1,05 В.
Обе компании обещают уже до конца 2019 года представить первые образцы готовой продукции. SK Hynix прогнозирует, что к 2021 году стандарт DDR5 займет 25% рынка, а к 2022 – 44%.
