Компьютерные новости
Все разделы
Samsung готовится к переходу на нормы 3-нм технологии GAA
Пока Intel продолжает использовать 14-нм техпроцесс, а TSMC активнее задействует 7-нм технологию, южнокорейский IT-гигант в рамках мероприятия Samsung Foundry Forum 2019 USA представил техпроцесс 3-нм Gate-All-Around (3GAA). Его разработка проходит в соответствии с намеченным графиком. В апреле партнеры получили Process Design Kit (PDK) версии 0.1 для 3GAA, что позволяет им начинать разработку своих продуктов в соответствии с новым техпроцессом.
Переход с 7-нм на 3-нм технологию обеспечит 45%-ое снижение площади микросхем и 50%-ое падение энергопотребления или 35%-ое повышение уровня производительности. Samsung ожидает, что новый техпроцесс будет широко использоваться для создания чипов для мобильных устройств, сетевого оборудования, автомобилестроения, для работы с искусственным интеллектом и в IoT. Она уже изготовила тестовый чип на основе 3GAA, и теперь сфокусируется на улучшении его производительности и энергоэффективности.
Также компания запатентовала новый дизайн MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) для 3GAA. Он обеспечивает прохождение больших токов в стеке и повышает гибкость при создании новых продуктов, чем традиционный FinFET. Но главное, что сохраняется совместимость MBCFET и FinFET, поэтому производители могут использовать оба
Пока в планах Samsung значатся 4 FinFET-технологии (от 7-нм до 4-нм) и 3-нм GAA или MBCFET. В частности, во второй половине этого года она начнет массовое производство чипов на основе 6-нм техпроцесса и закончит разработку 4-нм технологии. А уже в первой половине 2020 года начнется массовое производство первых продуктов на основе 5-нм FinFET-технологии. Сроки выпуска первых микросхем на базе 3GAA пока не сообщаются.
