Компьютерные новости
Все разделы
Samsung испытывает проблемы с переходом на 5-нм техпроцесс
Сегмент производства полупроводниковых микросхем является очень прибыльным за счет большого количества компаний, не имеющих своих производственных линий. Однако это еще и очень сложный с технической стороны процесс. Даже такие гиганты как Intel и Samsung испытывают трудности при освоении новых техпроцессов.
В 2020 году южнокорейский IT-гигант планировал за 2 года представить 3-нм технологию Gate All Around FET (GAAFET или 3GAE). Но, по слухам, Samsung сможет начать производства 3-нм чипов не ранее 2024 года.
Также у компании возникли проблемы с 5-нм технологией. Согласно информации Business Korea, процент выхода годных микросхем не превышает 50%. Это означает, что на кремниевой пластине, содержащей, например, 100 микросхем, менее 50 чипов будут полностью функциональные и готовые к работе.
Такая эффективность производства является очень низкой. Обычно для запуска массового производства необходимо достичь 95% эффективности. В противном случае существенно возрастает себестоимость чипов и их конечный ценник.
В данный момент инженеры Samsung активно работают над более тонкой настройкой 5-нм технологического процесса, чтобы повысить эффективность производства. В то же время главный конкурент, компания TSMC, еще в 2020 году начала массовое производство 5-нм чипов и готовится в 2022 году перейти на нормы 4-нм техпроцесса. Также во второй половине 2022 года TSMC планирует начать массовое производство 3-нм микросхем.
