Компьютерные новости
Все разделы
Samsung начала массовое производство 10-нм DRAM-микросхем DDR4-памяти
В 2014 году компания Samsung первой в индустрии оперативной памяти начала использовать 20-нм техпроцесс для производства 4-гигабитных чипов DDR3 DRAM. Спустя два года она остается лидером в плане интеграции новых технологий, объявив о начале массового выпуска 10-нм 8-гигабайтных микросхем DDR4 DRAM и модулей памяти, созданных на их основе.
Примечательно, что для этого специалистам Samsung удалось использовать существующую литографию на основе фтористого аргона, без перехода к EUV (Extreme Ultra Violet) оборудованию. Однако не обошлось без интеграции ряда фирменных технологий: Cell Design, Quadruple Patterning и Ultra-Thin Dielectric Layer Deposition.
Новые 10-нм микросхемы DDR4-памяти характеризуются заметным ростом производительности и энергоэффективности. Например, в сравнении с 20-нм аналогами их пропускная способность увеличилась с 2400 до 3200 Мбит/с или на 33%. В то же время энергопотребление сократилось на 10-20%. Благодаря этому новинки еще лучше подойдут для создания высокопроизводительных модулей с хорошим разгонным потенциалом, а мобильные устройства ощутят дополнительное снижение нагрузки на аккумулятор.
В ближайшем будущем на рынке появятся новые SO-DIMM-модули DDR4-памяти на основе 10-нм микросхем общим объемом от 4 ГБ, а также DIMM-планки общей емкостью до 128 ГБ. Позже в этом году Samsung обещает представить мобильные 10-нм чипы DDR4-памяти, которые будут нацелены на использование в смартфонах и планшетах.
