Компьютерные новости
Все разделы
Samsung начала массовое производство 256-гигабитных 3D V-NAND флэш-микросхем
Компания Samsung сообщила о запуске в массовое производство первых в индустрии 256-гигабитных (32-гигабайтных) трехмерных (3D) флэш-микросхем V-NAND, которые используют 48-слойную структуру и могут хранить 3 бита информации в одной ячейке.
Напомним, что в августе 2014 года компания Samsung представила второе поколение флэш-микросхем V-NAND, которое использует 32-слойную структуру и позволяет сохранять 3 бита данных в одной ячейке. Именно на основе этих микросхем построены 2-терабайтные модели твердотельных дисков серий Samsung 850 Pro и 850 EVO. Таким образом, представленные микросхемы V-NAND третьего поколения с 48-слойной структурой и объемом 256-гигабит позволят удвоить максимальный объем при сохранении текущего количества чипов в диске или же в два раза уменьшить количество чипов для достижения аналогичного объема конечного SSD.
К тому же новинки характеризуются 30% сокращением энергопотребления и 40% повышением быстродействия в сравнении с 32-слойными чипами V-NAND второго поколения. Использоваться же данные микросхемы будут не только в пользовательских твердотельных дисках, но и в серверных SSD с интерфейсом NVMe и SAS.
