Компьютерные новости
Все разделы
Samsung начинает первое в отрасли массовое производство QLC 9-го поколения V-NAND
Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового производства своих однотерабитных (Tb) микросхем флеш-памяти NAND с четырёхуровневыми ячейками (QLC) 9-го поколения вертикальной архитектуры NAND (V-NAND).
Запуск массового производства QLC 9-го поколения V-NAND, который следует за первым в отрасли массовым выпуском NAND с трёхуровневыми ячейками (TLC) того же поколения в апреле этого года, укрепляет лидерство Samsung на рынке NAND флеш-памяти с высокой ёмкостью и производительностью.
"Успешный запуск массового производства QLC 9-го поколения V-NAND всего через четыре месяца после версии TLC позволяет нам предложить полный ассортимент передовых SSD-решений, соответствующих требованиям эры искусственного интеллекта", — отметил СонгХой Хур, исполнительный вице-президент и глава подразделения продуктов и технологий Flash в Samsung Electronics. "С ростом рынка корпоративных SSD и увеличением спроса на ИИ-приложения, мы продолжим укреплять своё лидерство в этом сегменте с помощью наших решений на базе QLC и TLC 9-го поколения V-NAND".
Samsung планирует расширять применение QLC 9-го поколения V-NAND, начиная с потребительских продуктов под собственным брендом и расширяя его на мобильные устройства (UFS), ПК и серверные SSD для клиентов, включая поставщиков облачных услуг.
QLC 9-го поколения V-NAND от Samsung объединяет несколько инноваций, которые привели к технологическим прорывам:
- Технология Channel Hole Etching, не имеющая аналогов в отрасли, позволила достичь самого большого количества слоев за счет использования двухслойной структуры. Благодаря опыту, накопленному с TLC 9-го поколения, была оптимизирована площадь ячеек и периферийных схем, что обеспечило на 86% более высокую плотность битов по сравнению с предыдущим поколением QLC V-NAND.
- Технология Designed Mold регулирует расстояние между линиями слов (WL), которые управляют ячейками, обеспечивая равномерность и оптимизацию характеристик ячеек по всему объему и слоям. Эти аспекты становятся всё более важными по мере увеличения количества слоев V-NAND. Применение Designed Mold улучшило характеристики хранения данных примерно на 20% по сравнению с предыдущими версиями, что повышает надёжность продукта.
- Технология Predictive Program предсказывает и контролирует изменения состояния ячеек, минимизируя ненужные действия. QLC 9-го поколения V-NAND от Samsung удвоила производительность записи и увеличила скорость ввода/вывода данных на 60% благодаря усовершенствованию этой технологии.
- Энергопотребление при чтении и записи данных уменьшилось примерно на 30% и 50% соответственно благодаря использованию технологии Low-Power Design, которая снижает напряжение, управляющее ячейками NAND, и минимизирует потребление энергии, обнаруживая только необходимые битовые линии (BL). Design, которая снижает напряжение, управляющее ячейками NAND, и минимизирует энергопотребление, обнаруживая только необходимые битовые линии (BL).
