Компьютерные новости
Все разделы
Samsung представила 64-слойную микросхему памяти 3D V-NAND
Компания Samsung анонсировала начало массового производства 64-слойной 256-гигабитной памяти 3D V-NAND, которая будет использоваться в твердотельных накопителях для серверов, пользовательских ПК и мобильных устройств.
Новый 64-слойный чип поддерживает скорость передачи данных на уровне 1 Гбит/с, которая является самой быстрой среди доступных на данный момент типов NAND-памяти. Общие скоростные показатели новинки возросли на 30% по сравнению с 48-слойным V-NAND, энергопотребление снизилось на те же 30%, а выносливость новых ячеек V-NAND повысилась на 20% по сравнению с предшественником. К тому же до 500 мс уменьшилось время цикла программирования страниц, что в 4 раза быстрее планарных 2D NAND и в 1,5 превышает показатель 48-слойных V-NAND.
Также Samsung сообщила, что основные технологии, используемые при разработке 64-слойной микросхемы памяти 3D V-NAND, будут применяться в дальнейшем при разработке 90-слойных чипов.
