Компьютерные новости
Все разделы
Samsung представит 400-слойную флеш-память 3D NAND в феврале
19 февраля на конференции IEEE International Solid-State Circuits Conference 2025 инженеры Samsung анонсируют новую 400-слойную 3D NAND память, которую пока не производит ни один другой производитель. В документе указано, что будущая память Samsung будет иметь более 400 слоев. Производство будет осуществляться с использованием технологии WF-Bonding, что упрощает выпуск многослойных микросхем.
На сегодняшний день наибольшее количество слоев в памяти массово производят или предоставляют в виде образцов такие компании, как SK Hynix (321 слой), Samsung (286), Micron (276), Western Digital и Kioxia (218), а также SK Hynix Solidigm (192). Western Digital, Kioxia и YMTC также работают над созданием 300-слойной памяти, которую планируют представить в следующем году. Основная конкуренция разворачивается между SK Hynix и Samsung, которые стремятся достичь отметки в 400 слоев и более.
Новый 400-слойный чип Samsung будет иметь объем 1 Тбит и плотность 28 Гбит/мм². Каждая ячейка будет хранить по три бита данных. Скорость обмена данными достигнет 5,6 Гбит/с, что на 75% выше по сравнению с актуальными чипами памяти Samsung 9-го поколения (400-слойная память будет относиться к 10-му поколению V-NAND Samsung). Эта память будет подходить для создания SSD с интерфейсом PCIe 5.0 и PCIe 6.0.
Более плотная память Samsung может подтолкнуть производителей к выпуску SSD объемом 256 ТБ или даже 512 ТБ. Возможно, это произойдет через год или два. Ждем февральского доклада и четких заявлений руководства Samsung о производстве новой памяти.
