Компьютерные новости
Все разделы
Samsung начала массовое производство 10-нм 16-гигабитных чипов LPDDR4X-памяти
Компания Samsung первой в мире начала массовое производство второго поколения 10-нм (1y-nm) 16-гигабитных чипов LPDDR4X. В отличие от микросхем первого поколения (1x-nm 16Gb LPDDR4X), новинки могут похвастать аналогичной скоростью передачи данных (4266 Мбит/с), но при снижении энергопотребления на 10%. Благодаря этому уменьшается нагрузка на аккумулятор.
Компания Samsung уже успела поместить четыре новых чипа в единый корпус для дальнейшего использования в составе новых смартфонов и планшетов. Получилась 8-гигабайтная микросхема LPDDR4X с пропускной способностью 34,1 ГБ/с. При этом ее толщина на 20% ниже, чем в аналогичной конструкции, созданной на основе чипов первого поколения.
Ожидается, что новые микросхемы LPDDR4X-памяти от Samsung на базе 16-гигабитных чипов второго поколения появятся в новых флагманских мобильных устройствах, которые дебютируют в конце этого года или в начале 2019-го.
