Компьютерные новости
Все разделы
Samsung объявляет о старте серийного производства передовых 20-нм модулей памяти DDR4
Компания Samsung Electronics объявила о старте серийного производства передовых модулей памяти DDR4 для корпоративных серверов, работающих в составе центров обработки данных (ЦОД) следующего поколения. При помощи этих высокопроизводительных и высокоемкостных модулей памяти, Samsung сможет удовлетворить потребность рынка в прогрессивных DDR4-решениях для ЦОДов и корпоративных серверов.
Более раннее появление на рынке 4-гигабитных (Гб) DDR4-устройств, созданных на основе 20-нанометрового техпроцесса, поспособствует росту спроса на модули памяти емкостью 16 ГБ и 32 ГБ, которые смогут в будущем заменить традиционные DRAM-версии емкостью 8 ГБ на основе 30-нм техпроцесса, которые наиболее распространены на данный момент. Скорость передачи данных 4-гигабитным чипом памяти DDR4 составляет 2667 Мбит/с, что в 1,25 раза больше скорости модулей DDR3, в которых также используются микросхемы 20-нанометрового класса. При этом энергопотребление чипа снижено более чем на 30%.
Использование высокоскоростных чипов памяти DRAM в работе корпоративных серверов следующего поколения значительно повышает производительность системы и снижает уровень энергопотребления. Применяя технологии модулей памяти DDR4 на раннем этапе, ОЕМ-производители могут свести к минимуму эксплуатационные расходы и значительно увеличить производительность, обеспечив, таким образом, более быстрый возврат инвестиций.
Создав на базе модуля 20-нм класса, самый производительный и маленький 4-гигабитный чип DRAM-памяти в мире, компания Samsung Electronics в настоящее время имеет самую большую в индустрии линейку продуктов, предназначенных для применения, как в серверах, так и в мобильных устройствах. Это обеспечит клиентам по всему миру широчайший выбор передовых экологичных решений для памяти, которые отличаются низким энергопотреблением и высокой производительностью.
