Компьютерные новости
Все разделы
Samsung UFS 2.0 – 128 ГБ чип памяти для высокоскоростного функционирования гаджетов
Компания Samsung объявила о старте производства встраиваемых чипов памяти, объем которых равен 128 ГБ. Речь идет о флеш-памяти, которая базируется на стандарте Universal Flash Storage (UFS) 2.0 и обладает парой важных преимуществ над аналогами.
Новинка имеет высокую скорость передачи данных, а также высокий уровень энергоэффективности. Стандарт UFS 2.0 работает по принципу технологии очереди команд (Command Queuing), которая повышает скорость выполнения команд в SSD через последовательный интерфейс. Таким образом, на выходе мы получаем превосходство новинки над памятью eMMC на уровне 2,7 раза и 2-12 раз – над картами памяти. Уровень IOPS (операции ввода-вывода в секунду) на чтение составляет 19000, а для записи этот показатель равен 14000.
Также сообщается, что наряду с вместительностью в 128 ГБ, встраиваемая UHS 2.0 память будет доступна и в других вариантах: 32 ГБ и 64 ГБ. Этот факт подчеркивает емкость, которая вдвое больше, нежели варианты чипов eMMC. Важно отметить, что память Samsung UFS 2.0 представляет собой решение ePoP (embedded package on package).
Также бытует мнение, что новая память будет присутствовать в ожидаемом устройстве от Samsung – смартфоне Galaxy S6. Так ли это, мы узнаем уже совсем скоро.
